|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 29.01.2007 № 54ввод в эксплуатацию производственной линии 6. Разработка базовой технологии 532 - - 100 246 186 создание базовой технологии производства --- --- --- --- производства сверхвысокочастотных 352 64 164 124 сверхвысокочастотных интегральных схем высокой интегральных схем диапазона степени интеграции на основе 2-12 ГГц с высокой степенью гетероструктур "кремний - интеграции для аппаратуры германий" радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 7. Разработка аттестованных 171 60 76 35 - - разработка библиотек --- -- -- -- аттестованных библиотек сложнофункциональных 121 40 51 30 сложнофункциональных блоков для проектирования блоков для проектирования сверхвысокочастотных и широкого спектра радиочастотных интегральных сверхвысокочастотных схем на основе гетеростуктур интегральных схем на SiGe "кремний - германий" с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 8. Разработка базовых технологий 207 - - 40 100 67 создание базовых технологий проектирования кремний - --- -- --- -- проектирования на основе германиевых 142 30 67 45 библиотеки сверхвысокочастотных и сложнофункциональных блоков радиочастотных интегральных широкого спектра схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных библиотеки интегральных схем на SiGe с сложнофункциональных блоков рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка базовых технологий 163,5 43,5 60 60 - - создание базовых технологий производства элементной базы ----- ---- -- -- производства и конструкций для ряда силовых герметичных 110 30 40 40 элементной базы для модулей высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного вторичного электропитания электропитания вакуумных и сверхвысокочастотных приборов твердотельных и узлов аппаратуры, разработка сверхвысокочастотных приборов комплектов документации в и узлов аппаратуры стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и производства ряда силовых --- -- -- технологии производства герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных, высокоплотных источников высокоплотных источников вторичного электропитания вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе и узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка базовых конструкций 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового и технологии производства ----- ---- -- -- производства ряда корпусов корпусов мощных 110 25 52 33 мощных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" транзисторов X, C, S, L и P - сборки, разработка комплектов диапазонов из малотоксичных документации в стандартах материалов с высокой единой системы конструкторской, теплопроводностью технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых теплоотводящих элементов --- -- -- -- конструктивных рядов элементов систем охлаждения 97 30 40 27 систем охлаждения аппаратуры Х сверхвысокочастотных приборов и С - диапазонов наземных, Х и С - диапазонов на основе корабельных и воздушно- новых материалов космических комплексов 13. Разработка базовой технологии 93 - - - 60 33 создание технологии массового производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного элементов систем охлаждения 62 32 30 ряда элементов систем сверхвысокочастотных приборов охлаждения аппаратуры Х и С - Х и С - диапазонов на основе диапазонов наземных, новых материалов корабельных и воздушно- космических комплексов, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка базовых технологий 141,5 45,5 53 43 - - создание технологии массового производства суперлинейных ----- ---- -- -- производства конструктивного кремниевых 92 30 35 27 ряда сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка конструктивно- 170 - - - 95 75 создание конструктивно- параметрического ряда --- -- -- параметрического ряда суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка технологии 147 60 45 42 - - разработка метрологической измерений и базовых --- -- -- -- аппаратуры нового поколения конструкций установок 97 40 27 30 для исследования и контроля автоматизированного измерения параметров полупроводниковых параметров нелинейных моделей структур, активных элементов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных полупроводниковых структур, интегральных схем в мощных транзисторов и производстве и при их сверхвысокочастотных использовании монолитных интегральных схем X, C, S, L и P - диапазонов для их массового производства 17. Исследование и разработка 161 57 54 50 - - создание технологии базовых технологий для --- -- -- -- унифицированных создания нового поколения 107 38 36 33 сверхширокополосных приборов мощных вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового и гибридных малогабаритных диапазона длин волн и сверхвысокочастотных модулей с сверхвысокочастотных улучшенными массогабаритными магнитоэлектрических приборов характеристиками, для перспективных магнитоэлектрических радиоэлектронных систем и приборов сверхвысокочастотного аппаратуры связи космического диапазона, в том числе: базирования, разработка циркуляторов и фазовращателей, комплектов документации в вентилей, высокодобротных стандартах единой системы резонаторов, перестраиваемых конструкторской, фильтров, микроволновых технологической и приборов со спиновым производственной документации, управлением для перспективных ввод в эксплуатацию радиоэлектронных систем производственной линии двойного применения 18. Разработка базовых конструкций 141 - - - 89 52 разработка конструктивных и технологии производства --- -- -- рядов и базовых технологий нового поколения мощных 95 60 35 производства вакуумно-твердотельных сверхширокополосных приборов сверхвысокочастотных приборов среднего и большого уровня и гибридных малогабаритных мощности сантиметрового сверхвысокочастотных модулей с диапазона длин волн и улучшенными массогабаритными сверхвысокочастотных характеристиками, магнитоэлектрических приборов магнитоэлектрических приборов для перспективных сверхвысокочастотного радиоэлектронных систем и диапазона, в том числе: аппаратуры связи космического циркуляторов и фазовращателей, базирования, разработка вентилей, высокодобротных комплектов документации в резонаторов, перестраиваемых стандартах единой системы фильтров, микроволновых конструкторской, приборов со спиновым технологической и управлением для перспективных производственной радиоэлектронных систем документации, ввод в двойного применения эксплуатацию производственной линии 19. Исследование и разработка 130 45 45 40 - - создание технологических процессов и базовых технологий --- -- -- -- процессов производства нанопленочных малогабаритных 87 30 30 27 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно- резисторно- индуктивно-емкостных матриц индуктивно-емкостных матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного назначения для печатного монтажа и монтажа, создание базовой сверхбыстродействующих технологии получения (до 150 ГГц) приборов на сверхбыстродействующих наногетероструктурах с (до 150 ГГц) приборов на квантовыми дефектами наногетероструктурах с квантовыми дефектами, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 20. Разработка базовых конструкций 85 - - - 45 40 создание конструктивных рядов и технологии производства -- -- -- и базовых технологий нанопленочных малогабаритных 57 30 27 производства нанопленочных сверхвысокочастотных малогабаритных резисторно- сверхвысокочастотных индуктивно-емкостных матриц резисторно-индуктивно-емкостных многофункционального матриц многофункционального назначения для печатного назначения для печатного монтажа монтажа, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков управления и портативных портативной аппаратуры фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения волн на основе средств связи, радиолокационных магнитоэлектронных станций, радионавигации, твердотельных и измерительной техники, высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных приборов и устройств с и сигнальных устройств, функциями адаптации и разработка комплектов цифрового диаграммообразования документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944 ------ ----- ---- ---- ---- --- 3349 545 680 668 827 629 Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база" 22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии радиационно стойких ----- -- ---- ---- изготовления микросхем с сверхбольших интегральных схем 134,8 34 47,4 53,4 размерами элементов 0,5 мкм на уровня 0,5 мкм на структурах структурах "кремний на "кремний на сапфире" диаметром сапфире" диаметром 150 мм, 150 мм разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии радиационно стойких ----- ---- ----- изготовления микросхем с сверхбольших интегральных схем 210,3 39,6 170,7 размерами элементов 0,35 мкм уровня 0,35 мкм на структурах на структурах "кремний на "кремний на сапфире" диаметром сапфире" диаметром 150 мм, 150 мм разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высоко интегрированной радиационно стойкой элементной базы 24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического проектирования и ----- ---- ---- -- базиса (технология конструктивно- 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые технологических решений технологии), позволяющего библиотеки логических и разрабатывать радиационно аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие оперативных запоминающих интегральные схемы на устройств, постоянных структурах "кремний на запоминающих устройств, изоляторе" с проектной нормой сложнофункциональных до 0,25 мкм радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического проектирования и ----- ---- ----- базиса (технология конструктивно - 240 54,3 185,7 проектирования, базовые технологических решений технологии), позволяющего библиотеки логических и разрабатывать радиационно аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие оперативных запоминающих интегральные схемы на устройств, постоянных структурах "кремний на запоминающих устройств, изоляторе" с проектной нормой сложнофункциональных до 0,18 мкм радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и пьезоэлектрической и базовой технологии создания, магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы элементной базы 27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и пьезоэлектрической и создания, изготовления и магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной пассивной радиационно стойкой компонентной базы элементной базы 28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров, лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных радиационно стойких запоминающих программируемых и комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств, полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно процессоров обработки стойком исполнении для сигналов, микроконтроллеров и создания специальной схем интерфейса аппаратуры нового поколения 29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии с ультратонким слоем кремния ----- ---- ----- проектирования и изготовления на сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости 30. Разработка базовой технологии 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели и приборно-технологического ----- ---- ---- -- интегральных элементов и базиса производства 135,4 37 50,4 48 технологического маршрута радиационно стойких изготовления радиационно сверхбольших интегральных схем стойких сверхбольших "система на кристалле", интегральных схем типа радиационно стойкой силовой "система на кристалле" с электроники для аппаратуры расширенным температурным питания и управления диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А 31. Разработка элементной базы 109,2 28 33,2 48 - - создание ряда микронанотриодов радиационно стойких ----- -- ---- -- и микронанодиодов с наивысшей интегральных схем на основе 79,5 22 25,5 32 радиационной стойкостью для полевых эмиссионных долговечной аппаратуры микронанотриодов космического базирования 32. Создание информационной базы 251 - - - 61,1 189,9 разработка комплекса моделей радиационно стойкой ----- ---- ----- расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы, 167,3 40,7 126,6 электронной компонентной базы содержащей модели интегральных в обеспечение установления компонентов, функционирующих в технически обоснованных норм условиях радиационных испытаний воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229 ------ --- ----- ----- ----- ----- 1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6 Направление 3 "Микросистемная техника" 33. Разработка базовых технологий 302 93 112 97 - - создание базовых технологий и микроэлектромеханических --- -- --- -- комплектов технологической систем 166 61 75 30 документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 34. Разработка базовых конструкций 424 - - 75 228 121 разработка базовых конструкций микроэлектромеханических --- -- --- --- и комплектов необходимой систем 277 60 141 76 конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов: микросистем контроля давления; микроакселерометров; микромеханических датчиков угловых скоростей; микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно- энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 35. Разработка базовых технологий 249 94 110 45 - - создание базовых технологий и микроакустоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов необходимой систем 161 61 70 30 технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно- акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 36. Разработка базовых конструкций 418 - - 71 225 122 разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- и комплектов необходимой систем 280 60 143 77 конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин: микроакселерометров; микрогироскопов на поверхностных акустических волнах; датчиков давления и температуры; датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений; резонаторов 37. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий микроаналитических систем --- -- -- изготовления элементов 72 34 38 микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 38. Разработка базовых конструкций 224 - - 64 102 58 создание базовых конструкций микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем, 164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 39. Разработка базовых технологий 151 57 59 35 - - создание базовых технологий микрооптоэлектромеханических --- -- -- -- выпуска трехмерных оптических систем 109 38 41 30 и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей 40. Разработка базовых конструкций 208 - - 35 112 61 разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- и комплектов, конструкторской систем 145 30 75 40 документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения 41. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий микросистем анализа магнитных --- -- -- изготовления микросистем полей 72 34 38 анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур 42. Разработка базовых конструкций 214 - - 54 104 56 разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных --- -- --- -- и комплектов конструкторской полей 137 30 69 38 документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях 43. Разработка базовых технологий 119 42 45 32 - - разработка и освоение в радиочастотных --- -- -- -- производстве базовых микроэлектромеханических 89 28 31 30 технологий изготовления систем радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели 44. Разработка базовых конструкций 166 - - 32 87 47 разработка базовых конструкций радиочастотных --- -- -- -- и комплектов конструкторской микроэлектромеханических 119 30 58 31 документации на изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий 45. Разработка методов и средств 81 41 40 - - - создание методов и средств обеспечения создания и -- -- -- контроля и измерения производства изделий 54 30 24 параметров и характеристик микросистемной техники изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии Всего по направлению 3 2768 429 476 540 858 465 ---- --- --- --- --- --- 1845 286 317 360 572 310 Направление 4 "Микроэлектроника" 46. Разработка технологии и 443 173 148,9 121,1 - - разработка комплекта развитие методологии ----- --- ----- ----- нормативно-технической проектирования изделий 212,6 87 76,6 49 документации по проектированию микроэлектроники: изделий микроэлектроники, разработка и освоение создание отраслевой базы современной технологии данных с каталогами проектирования универсальных библиотечных элементов и микропроцессоров, процессоров сложнофункциональных блоков с обработки сигналов, каталогизированными микроконтроллеров и "системы результатами аттестации на на кристалле" физическом уровне (2008 г.), на основе каталогизированных разработка комплекта сложнофункциональных блоков и нормативно-технической и библиотечных элементов, в том технологической документации числе создание отраслевой базы по взаимодействию центров данных и технологических проектирования в сетевом режиме файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 47. Разработка и освоение базовой 64 30 22 12 - - разработка комплекта технологии производства ---- -- ---- -- технологической документации и фотошаблонов с технологическим 42,7 20 14,7 8 организационно- уровнем до 0,13 мкм с целью распорядительной документации обеспечения информационной по взаимодействию центров защиты проектов изделий проектирования и центра микроэлектроники при изготовления фотошаблонов использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 48. Разработка семейств и серий 1050,9 284 336,7 430,2 - - разработка комплектов изделий микроэлектроники: ------ --- ----- ----- документации в стандартах универсальных микропроцессоров 617,8 151 180 286,8 единой системы конструкторской, для встроенных применений; технологической и универсальных микропроцессоров производственной документации, для серверов и рабочих изготовление опытных образцов станций; цифровых процессоров изделий и организация обработки сигналов; серийного производства сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 49. Разработка базовых серийных 1801,6 - - - 799,8 1001,8 разработка комплектов технологий изделий ------ ----- ------ документации в стандартах микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 единой системы конструкторской, цифроаналоговых и технологической и аналого-цифровых производственной документации, преобразователей на частотах изготовление опытных образцов выше 100 МГц с разрядностью изделий и организация более 14-16 бит 802.11, серийного производства 802.16, WiMAX и т. д.; микроэлектронных сенсоров различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 50. Разработка технологии и 513,4 51 252,4 210 - - разработка комплектов освоение производства изделий ----- -- ----- --- документации в стандартах микроэлектроники с 342,3 34 168,3 140 единой системы конструкторской, технологическим уровнем технологической и ввод в 0,13 мкм эксплуатацию производственной линии 51. Разработка базовой технологии 894,8 - - - 146,3 748,5 разработка комплектов формирования многослойной ----- ----- ----- документации в стандартах разводки (7-8 уровней) 596,2 97,3 498,9 единой системы конструкторской, сверхбольших интегральных схем технологической и на основе Al и Cu производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 52. Разработка технологии и 494,2 - - 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов организация производства ----- ----- ----- ----- документации в стандартах многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 единой системы конструкторской, микроэлектронных модулей для технологической и мобильных применений с производственной документации, использованием полимерных и ввод в эксплуатацию металлополимерных микроплат и производственной линии носителей 53. Разработка новых методов 258 85 68 105 - - разработка комплектов технологических испытаний --- -- -- --- документации в стандартах изделий микроэлектроники, 258 85 68 105 единой системы конструкторской, гарантирующих их технологической и повышенную надежность в производственной документации, процессе долговременной (более ввод в эксплуатацию 100 000 часов) эксплуатации, специализированных участков на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 54. Разработка современных методов 342 115 132 95 - - разработка комплектов анализа отказов изделий --- --- --- -- документации, включая микроэлектроники с применением 342 115 132 95 утвержденные отраслевые ультраразрешающих методов методики, ввод в эксплуатацию (ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно - и ионно-лучевое зондирование и др.) Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867 ------ --- ----- ------ ------ ------ 3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4 Направление 5 "Электронные материалы и структуры" 55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых производства новых --- -- -- -- диэлектрических материалов на диэлектрических материалов на 85 36 32 17 основе ромбоэдрической основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и модификации нитрида бора и подложек из подложек из поликристаллического алмаза с поликристаллического алмаза повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии производства --- -- -- производства гетероэпитаксиальных структур 87 51 36 гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе транзисторов на основе нитридных соединений А В для нитридных соединений А В для 3 5 3 5 мощных полупроводниковых обеспечения разработок и приборов и изготовления сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем монолитных интегральных схем и мощных транзисторов 57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой технологии производства метаморфных --- -- -- -- производства гетероструктур и структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структур на псевдоморфных структур на подложках InP для подложках InP для приборов перспективных сверхвысокочастотной полупроводниковых приборов и электроники диапазона сверхвысокочастотных 60-90 ГГц монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц 58. Разработка технологии 133 - - - 79 54 создание спинэлектронных производства спинэлектронных --- -- -- магнитных материалов и магнитных материалов, 88 52 36 микроволновых структур со радиопоглощающих и спиновым управлением для мелкодисперсных ферритовых создания перспективных материалов для микроволновых сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления 59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии массового производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочистых химических материалов 85 36 31 18 химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) в тетрахлорида кремния) для обеспечение производства выпуска полупроводниковых полупроводниковых подложек подложек нитрида галлия, нитрида галлия, арсенида арсенида галлия, фосфида галлия, фосфида индия, кремния индия, кремния и и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур структур на их основе на их основе 60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии производства --- -- -- производства поликристаллических алмазов и 88 52 36 поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных его пленок для мощных конструкций мощных выходных сверхвысокочастотных приборов транзисторов и сверхвысокочастотных приборов 61. Исследование путей и 98 41 36 21 - - создание технологии разработка технологии -- -- -- -- изготовления новых изготовления новых 65 27 24 14 микроволокон на основе микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых и наноструктур, а также классов микроструктурных полупроводниковых нитей с приборов, магниторезисторов, наноразмерами при вытяжке осцилляторов, устройств стеклянного капилляра, оптоэлектроники заполненного жидкой фазой полупроводника 62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной выращивания слоев --- -- -- -- технологии пьезокерамических пьезокерамики на кремниевых 69 17 28 24 элементов, совместимой с подложках для формирования комплементарной металло- комплексированных устройств оксидной полупроводниковой микросистемной техники технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами 63. Разработка методологии и 98 41 36 21 - - создание технологии травления базовых технологий создания -- -- -- -- и изготовления кремниевых многослойных кремниевых 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов структур с использованием микроэлектромеханических "жертвенных" и "стопорных" систем с использованием диффузионных и диэлектрических "жертвенных" и "стопорных" слоев для производства силовых слоев для серийного приборов и элементов производства элементов микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических систем кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния 64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии получения получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых полупроводниковых наноструктур 70 41 29 наноструктур и наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий, покрытий с широким диапазоном алмазных полупроводящих пленок функциональных свойств для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения 65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии технологии роста --- -- -- -- изготовления гетероструктур и эпитаксиальных слоев карбида 128 35 38 55 эпитаксиальных структур на кремния, структур на основе основе нитридов для создания нитридов, а также формирования радиационно стойких изолирующих и коммутирующих сверхвысокочастотных и силовых слоев в приборах экстремальной приборов нового поколения электроники 66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии производства радиационно --- -- -- --- производства структур "кремний стойких сверхбольших 130 40 35 55 на сапфире" диаметром до 150 мм интегральных схем на с толщиной приборного слоя ультратонких до 0,1 мкм и топологическими гетероэпитаксиальных нормами до 0,18 мкм для структурах кремния на производства электронной сапфировой подложке для компонентной базы специального производства электронной и двойного назначения компонентной базы специального и двойного применения 67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии производства высокоомного --- -- -- -- производства радиационно радиационно облученного 126 30 36 60 облученного кремния и пластин кремния, слитков и пластин кремния до 150 мм для выпуска кремния диаметром до 150 мм мощных транзисторов и для производства силовых сильноточных тиристоров нового полупроводниковых приборов поколения 68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное производства кремниевых --- -- -- -- освоение получения подложек и структур для 83 20 24 39 высококачественных подложек и силовых полупроводниковых структур для использования в приборов с глубокими производстве силовых высоколегированными слоями полупроводниковых приборов, с р- и n-типов проводимости и глубокими высоколегированными скрытыми слоями носителей с слоями и скрытыми слоями повышенной рекомбинацией носителей с повышенной рекомбинацией 69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства электронного --- --- -- --- производства пластин кремния кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 диаметром до 200 мм и диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня кремниевых эпитаксиальных 0,25 - 0,18 мкм структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных решений и перспективной 161 78 83 схем и полупроводниковых базовой технологии приборов на основе корпусирования интегральных использования многослойных схем и полупроводниковых кремниевых структур со приборов на основе сквозными токопроводящими использования многослойных каналами, обеспечивающей кремниевых структур со сокращение состава сборочных сквозными токопроводящими операций и формирование каналами трехмерных структур 71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии производства гетероструктур --- -- --- производства гетероструктур SiGe биполярной 143 53 90 SiGe для выпуска комплементарной металл-окисел быстродействующих сверхбольших полупроводниковой технологии интегральных схем с для разработки приборов с топологическими нормами топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 0,25 - 0,18 мкм 72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и обработки, в том -- -- -- -- выращивания и обработки числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 пьезоэлектрических материалов пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и для акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения акустооптики производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения 73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового производства -- -- -- производства исходных соединений А В и тройных 58 22 36 материалов и структур для 3 5 перспективных приборов структур для: лазерной и оптоэлектронной производства сверхмощных техники, в том числе: лазерных диодов; производства сверхмощных высокоэффективных светодиодов лазерных диодов; белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов ультрафиолетового диапазонов; белого, зеленого, синего и фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов; инфракрасного диапазона фотоприемников среднего инфракрасного диапазона 74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии технологии получения -- -- -- -- производства принципиально гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 новых материалов оптическими резонаторами на полупроводниковой электроники основе квантовых ям и на основе сложных композиций квантовых точек для для перспективных приборов производства вертикально лазерной и оптоэлектронной излучающих лазеров для техники устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства современных -- -- -- производства компонентов для компонентов для 57 22 35 специализированных специализированных электронно-лучевых; фотоэлектронных приборов, в электроннооптических и том числе: отклоняющих систем; катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из электронно-оптических и электровакуумного стекла отклоняющих систем; различных марок стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства особо тонких -- -- -- -- производства особо тонких гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, изготовления высокоэффективных электронно-оптических фотокатодов электронно- преобразователей и оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов диапазона, солнечных элементов и др., фотоэлектронных и других приложений приборов с высокими значениями коэффициента полезного действия 77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии производства монокристаллов -- -- -- монокристаллов AlN для AlN для изготовления 58 22 36 изготовления изолирующих и изолирующих и проводящих проводящих подложек для подложек для гетероструктур создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения 78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических металлов (корунда и т. п.) порошков и нитридов металлов для производства для промышленного освоения вакуумно-плотной спецстойких приборов нового нанокерамики, в том числе с поколения, в том числе заданными оптическими микрочипов, свойствами сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники 79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства полимерных и -- -- -- производства полимерных и гибридных органо- 58 21 37 композиционных материалов с неорганических использованием поверхностной и наноструктурированных защитных объемной модификации полимеров материалов для электронных наноструктурированными компонентов нового поколения наполнителями для создания прецизионных и изделий с высокой сверхвысокочастотных механической, термической и резисторов, терминаторов, радиационной стойкостью при аттенюаторов и резисторно- работе в условиях длительной индукционно-емкостных матриц, эксплуатации и воздействии стойких к воздействию комплекса специальных комплекса внешних и внешних факторов специальных факторов Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717 ---- --- --- --- --- --- 2238 442 408 468 442 478 Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы" 80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц долговременной стабильностью резонаторов на поверхностно для создания контрольной и акустических волнах до 1,5 ГГц связной аппаратуры двойного с полосой до 70 процентов и назначения длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и нелицензируемых международных --- -- -- -- конструкции акустоэлектронных частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 пассивных и активных меток- 2,45 ГТц ряда радиочастотных транспондеров для применения в пассивных и активных логистических приложениях на акустоэлектронных меток- транспорте, в торговле и транспондеров, в том числе промышленности работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 82. Разработка базовой конструкции 56 24 17 15 - - создание технологии и промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных поверхностного монтажа корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении связной аппаратуры массового применения 83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи, конструирования измерительной и навигационной акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения - нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых, промежуточной частоты с тропосферных и радиорелейных высокими характеристиками для линий связи, цифрового современных систем связи, интерактивного телевидения, включая высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры, высокочастотные устройства радиолокационных станций, частотной селекции на спутниковых навигационных поверхностных и систем приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии проектирования и базовой -- -- -- производства технологии производства 64 22 42 высокоинтегрированной функциональных законченных электронной компонентной базы устройств стабилизации, типа "система в корпусе" для селекции частоты и обработки вновь разрабатываемых и сигналов типа "система в модернизируемых сложных корпусе" радиоэлектронных систем и комплексов 85. Разработка базовой конструкции 69 - - - 48 21 создание базовой технологии и технологии изготовления -- -- -- (2010 г.) и базовой высокочастотных резонаторов и 46 32 14 конструкции микроминиатюрных фильтров на объемных высокодобротных фильтров для акустических волнах для малогабаритной и носимой телекоммуникационных и аппаратуры навигации и связи навигационных систем 86. Разработка технологии и 80 50 30 - - - создание нового поколения базовой конструкции -- -- -- оптоэлектронных приборов для фоточувствительных приборов с 53 33 20 обеспечения задач матричными приемниками предотвращения аварий и высокого разрешения для контроля видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для микроканальных пластин, задач теплоэнергетики, пироэлектрических матриц и медицины, поисковой и камер на их основе с контрольной аппаратуры на чувствительностью до 0,1 К и транспорте, продуктопроводах и широкого инфракрасного в охранных системах диапазона 88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии создания интегрированных -- -- -- -- (2008 г.) и конструкции новых гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 типов приборов, сочетающих высокочувствительных и фотоэлектронные и высокоразрешающих приборов и твердотельные технологии, с усилителей для задач целью получения экстремально космического мониторинга и достижимых характеристик для специальных систем наблюдения, задач контроля и наблюдения в научной и метрологической системах двойного назначения аппаратуры 89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии мощных полупроводниковых --- -- -- -- (2008 г.) и конструкций лазерных диодов (непрерывного 106 42 30 34 принципиально новых мощных и импульсного излучения) диодных лазеров, специализированных лазерных предназначенных для широкого полупроводниковых диодов, применения в изделиях двойного фотодиодов и лазерных назначения, медицины, волоконно-оптических модулей полиграфического оборудования для создания аппаратуры и и системах открытой оптической систем нового поколения связи 90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных навигационных приборов, 65 10 40 15 компонентов для лазерных включая интегральный гироскопов широкого применения оптический модуль лазерного (2010 г.), гироскопа на базе сверх- создание комплекса технологий малогабаритных кольцевых обработки и формирования полупроводниковых лазеров структурных и приборных инфракрасного диапазона, элементов, оборудования оптоэлектронные компоненты для контроля и широкого класса аттестации, обеспечивающих инерциальных лазерных систем новый уровень технико- управления движением экономических показателей гражданских и специальных производства средств транспорта 91. Разработка базовых конструкций 74 27 22 25 - - создание базовой технологии и технологий создания -- -- -- -- твердотельных чип-лазеров квантово-электронных 50 18 15 17 для лазерных дальномеров, приемопередающих модулей твердотельных лазеров с для малогабаритных пикосекундными длительностями лазерных дальномеров нового импульсов для установок по поколения на основе прецизионной обработке твердотельных чип-лазеров с композитных материалов, для полупроводниковой накачкой, создания элементов и изделий технологических лазерных микромашиностроения и в установок широкого производстве электронной спектрального диапазона компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах 92. Разработка базовых технологий 127 60 55 12 - - создание технологии получения формирования конструктивных --- -- -- -- широкоапертурных элементов на узлов и блоков для лазеров 85 40 37 8 основе алюмоиттриевой нового поколения и технологии легированной керамики создания полного комплекта композитных составов для электронной компонентной лазеров с диодной накачкой базы для производства (2008 г.), высокоэффективных лазерного устройства преобразователей частоты определения наличия опасных, лазерного излучения, взрывчатых, отравляющих и организация промышленного наркотических веществ в выпуска оптических изделий и контролируемом пространстве лазерных элементов широкой номенклатуры 93. Разработка базовых технологий, 82 30 25 27 - - разработка расширенной серии базовой конструкции и -- -- -- -- низковольтных организация производства 55 20 17 18 катодолюминесцентных и других интегрированных дисплеев с широким диапазоном катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и дисплеев двойного назначения свойств по условиям применения со встроенным микроэлектронным для информационных и управлением контрольных систем 94. Разработка технологии и 72 27 24 21 - - создание ряда принципиально базовых конструкций -- -- -- -- новых светоизлучающих приборов высокояркостных светодиодов и 48 18 16 14 с минимальными геометрическими индикаторов основных цветов размерами, высокой надежностью свечения для систем подсветки и устойчивостью к механическим в приборах нового поколения и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения 95. Разработка базовой технологии 90 - - 15 57 18 создание базовой технологии и конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового поколения приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной светодиоды) в миниатюрных высокоэффективной и надежной корпусах для поверхностного электронной компонентной базы монтажа для промышленного оборудования и систем связи 96. Разработка схемотехнических 81 30 24 27 - - создание технологии новых решений и унифицированных -- -- -- -- классов носимой и стационарной базовых конструкций и 54 20 16 18 аппаратуры, экранов технологий формирования отображения информации твердотельных видеомодулей на коллективного пользования полупроводниковых повышенных емкости и формата светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой 97. Разработка базовой технологии 93 33 30 30 - - создание технологии массового изготовления высокоэффективных -- -- -- -- производства солнечных солнечных элементов на базе 62 22 20 20 элементов для индивидуального использования кремния, и коллективного использования полученного по "бесхлоридной" в труднодоступных районах, технологии и технологии развития солнечной энергетики "литого" кремния в жилищно-коммунальном прямоугольного сечения хозяйстве в обеспечение задач энергосбережения 98. Разработка базовой технологии 59 21 18 20 - - создание технологии массового и освоение производства -- -- -- -- производства нового класса оптоэлектронных реле с 39 14 12 13 оптоэлектронных приборов для повышенными техническими широкого применения в характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре поверхностного монтажа 99. Комплексное исследование и 162 - - 33 99 30 создание базовой технологии разработка технологий --- -- -- -- массового производства экранов получения новых классов 108 22 66 20 с предельно низкой удельной органических (полимерных) стоимостью для информационных люминофоров, пленочных и обучающих систем транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" 100. Разработка базовых конструкций 183 - 45 33 105 - создание технологии и и технологии активных матриц и --- -- -- --- конструкции активно-матричных драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 органических основе аморфных, электролюминесцентных, поликристаллических и жидкокристаллических и кристаллических кремниевых катодолюминесцентных дисплеев, интегральных структур на стойких к внешним специальным различных подложках и создание и климатическим воздействиям на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения 101. Разработка базовой конструкции 162 - - 33 99 30 создание технологии и базовых и технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветных полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомодулей видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования 102. Разработка технологии сверх- 72 - 24 18 30 - разработка расширенного ряда прецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого- цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей на цифровых преобразователей с их основе в параметрами, превышающими металлокерамических корпусах уровень существующих для аппаратуры двойного отечественных и зарубежных назначения изделий для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники 103. Разработка базовой технологии 105 - - - 45 60 разработка расширенного ряда особо стабильных и особо --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с точных резисторов широкого 70 30 40 повышенной удельной мощностью диапазона сопротивления, рассеяния, высоковольтных прецизионных датчиков тока для высокоомных резисторов для измерительной и контрольной измерительной техники, аппаратуры и освоение их приборов ночного видения и производства аппаратуры контроля 104. Разработка технологии и 192 - - 24 78 90 создание базовой технологии и базовых конструкций резисторов --- -- -- -- конструкции резисторов с и резистивных структур нового 128 16 52 60 повышенными значениями поколения для поверхностного стабильности, удельной монтажа, в том числе: мощности в чип-исполнении на резисторов с повышенными основе многослойных монолитных характеристиками, структур ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции 105. Разработка технологий 90 42 36 12 - - создание базовой технологии формирования интегрированных -- -- -- -- производства датчиков на резистивных структур с 60 28 24 8 резистивной основе с высокими повышенными технико- техническими характеристиками эксплуатационными и надежностью характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки 106. Создание групповой технологии 105 45 30 30 - - создание технологии автоматизированного --- -- -- -- автоматизированного производства толстопленочных 70 30 20 20 производства чип- и микрочип- чип- и микрочип-резисторов резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре 107. Разработка новых базовых 129 - 24 30 75 - создание базовой технологии технологий и конструктивных --- -- -- -- производства конденсаторов с решений изготовления 86 16 20 50 качественно улучшенными танталовых оксидно- характеристикам с электродами полупроводниковых и оксидно- из неблагородных металлов при электролитических сохранении высокого уровня конденсаторов и чип- надежности конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками 108. Разработка комплексной базовой 65 24 20 21 - - создание базовых технологий технологии и организация -- -- -- -- конденсаторов и ионисторов на производства конденсаторов с 43 16 13 14 основе полимерных материалов с органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и повышенными удельными энергоемких накопительных характеристиками и ионисторов конденсаторов с повышенной с повышенным током разряда удельной энергией 109. Разработка технологии, базовых 115 - - 25 60 30 создание технологии и базовых конструкций высоковольтных --- -- -- -- конструкций нового поколения (быстродействующих, мощных) 77 17 40 20 выключателей для вакуумных выключателей нового радиоэлектронной аппаратуры с поколения с предельными повышенными тактико- характеристиками для техническими характеристиками радиотехнической аппаратуры с и надежностью высокими сроками службы 110. Разработка технологий создания 74 25 24 25 - - создание технологии газонаполненных высоковольтных -- -- -- -- изготовления коммутирующих высокочастотных коммутирующих 50 17 16 17 устройств для токовой устройств для токовой коммутации цепей в широком коммутации цепей с повышенными диапазоне напряжений и токов техническими характеристиками для радиоэлектронных и электротехнических систем 111. Разработка полного комплекта 57 30 27 - - - создание технологии выпуска электронной компонентной базы -- -- -- устройств грозозащиты в для создания модульного 38 20 18 индивидуальном, промышленном и устройства грозозащиты зданий гражданском строительстве, и сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных требований по международным объектов стандартам 112. Разработка базовых конструкций 151 54 46 51 - - создание базовой технологии и технологий изготовления --- -- -- -- формирования малогабаритных переключателей 101 36 31 34 высококачественных с повышенными сроками службы гальванических покрытий, для печатного монтажа технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения Всего по направлению 6 3379 753 684 722 867 353 ---- --- --- --- --- --- 2252 502 456 481 578 235 Направление 7 "Обеспечивающие работы" 113. Разработка организационных 62 12 9 15 11 15 разработка комплекта принципов и научно-технической -- -- - -- -- -- методической и научно- базы обеспечения 41 8 6 10 7 10 технической документации в проектирования и производства обеспечение функционирования электронной компонентной базы систем проектирования и в соответствии с требованиями производства электронной Всемирной торговой организации компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации 114. Создание и обеспечение 124 24 20 30 22 28 разработка новых и Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
