|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 29.01.2007 № 54Настоящая методика была использована при проведении технико-экономического обоснования и оценки эффективности таких федеральных целевых программ, как "Оптика России" (проект), "Национальная технологическая база" (2002-2006 годы), "Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007-2010 годы и на период до 2015 года" (проект), "Техническое перевооружение системы учета и контроля производства оружия, боеприпасов, взрывчатых материалов" ("Антитеррор" 2004-2008 годы), а также ряда крупных инвестиционных проектов предприятий оборонного комплекса. Оценка экономической эффективности Программы включает в себя: оценку эффективности Программы на основе определения показателей коммерческой эффективности путем сопоставления чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающихся в распоряжении предприятий, с суммарными затратами на реализацию Программы, осуществляемыми за счет использования всех источников финансирования (бюджетные и внебюджетные); оценку эффективности участия в реализации Программы государства на основе определения показателей бюджетной эффективности путем сопоставления расхода средств федерального бюджета с доходами, поступающими в бюджеты всех уровней в виде налогов. Расчеты выполнены в ценах каждого года (с учетом инфляции) с последующим дисконтированием затрат и результатов к показателям начала расчетного (программного) периода (2007-2011 годы), то есть к показателям 2006 года. В расчетах применялись налоги и ставки налогообложения, действующие на момент проведения расчета. Показатели коммерческой эффективности Чистый дисконтированный доход является одним из основных показателей эффективности и характеризует интегральный эффект от реализации Программы. Чистый дисконтированный доход определяется как сальдо суммарного денежного потока от операционной и инвестиционной деятельности предприятий с учетом дисконтирования за расчетный период по формуле: M ЧДД = Сумма фи х альфа , m=1 m m где: фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и m операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода; m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М); альфа - коэффициент дисконтирования на m-м шаге расчетного m периода. Чистый дисконтированный доход характеризуется превышением суммарных денежных притоков от инвестиционной и операционной деятельности предприятий над суммарными денежными оттоками за расчетный период с учетом дисконтирования. Эффективность Программы оценивается в течение расчетного периода, от начала реализации Программы до ее завершения. За начальный год расчетного периода принимается 2007 год - 1-й год осуществления затрат, за последний год расчетного периода - 2011 год - год завершения реализации Программы. За расчетный год принимается фиксированный момент времени - начальный год расчетного периода или год проведения расчета. В данном случае за расчетный год принят год проведения расчета - 2006 год. Расчетный период (2007-2011 годы) измеряется количеством шагов расчета. За шаг расчета принимается минимальный интервал времени, принятый разработчиком (год, полугодие, квартал, месяц). Номер шага обозначается числами - 1, 2, 3 и т. д. За начальный шаг принимается 1-й шаг. В данном случае за шаг принят 1 год. Соизмерение разновременных затрат и результатов (учет фактора времени) производится путем их приведения (дисконтирования) к расчетному шагу. Приведение размера будущих денежных ресурсов (инвестиций, производственных издержек, прибыли и т. д.) к показателям расчетного года расчетного периода производится путем умножения затрат и результатов на коэффициент дисконтирования, величина которого (альфа ) определяется по классической формуле сложных m процентов: 1 альфа = ________ , m m (1 + Е) где: Е - годовая норма дисконтирования; m - порядковый номер шага расчетного периода от 1 до m-го шага, а именно: 1 - базовый (начальный) шаг (год); 2 - 1-й шаг, следующий за базовым шагом; 3 - 2-й шаг, следующий за 1-м шагом и т. д. Под годовой нормой дисконтирования понимается минимально допустимая для инвестора величина дохода в расчете на единицу капитала, вложенного в реализацию Программы с учетом уровня инфляции. При отсутствии утвержденных норм дисконтирования и обоснованных требований инвесторов за норму дисконтирования рекомендуется принимать процентную ставку за банковский кредит, то есть ставку рефинансирования Центрального банка Российской Федерации, действующую на момент проведения расчета (13 процентов) с учетом фактора риска в размере 2 процентов, то есть для настоящего расчета норма дисконтирования принята в размере 15 процентов. В свою очередь, сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода определяется по формуле: и o фи = (фи + фи ), m m m где: и фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной m деятельности на m-м шаге расчетного периода; o фи - сальдо суммарного денежного потока от операционной m деятельности на m-м шаге расчетного периода. Сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной деятельности на m-м шаге расчетного периода определяется как разность между затратами на реализацию Программы, осуществляемыми за счет использования всех источников финансирования (отток), и затратами на реализацию активов (приток), которые в данном случае равны 0. Сальдо суммарного денежного потока от операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода определяется как разность между объемом продаж (приток) и суммой издержек производства реализуемой продукции (без амортизационных отчислений), налога на имущество и налога на прибыль (отток). В итоге образуется сумма чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающаяся у предприятий (чистый доход предприятий). Внутренняя норма доходности представляет собой норму дисконтирования, при которой величина чистого дисконтированного дохода равна 0. Внутренняя норма доходности характеризует предельную (граничную) норму дисконтирования, отделяющую эффективные варианты реализации Программы от неэффективных, а также степень устойчивости Программы. Внутренняя норма доходности сравнивается с нормой дисконтирования, принятой для расчета. Чем больше внутренняя норма доходности, тем эффективнее и устойчивее Программа. Показатель внутренней нормы доходности определяется исходя из условия, что чистый дисконтированный доход равен 0, и решение уравнения относительно внутренней нормы доходности осуществляется по формуле: M 1 ЧДД = Сумма фи x ---------- = 0, m=1 m m (1 + ВНД) где: фи - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и m операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода; m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М). Для определения показателя внутренней нормы доходности используется финансовая функция "ВНДОХ", встроенная в "Excel". Срок окупаемости инвестиций или период возврата - это период от начального шага, в течение которого чистый дисконтированный доход становится неотрицательным, или период, в конце которого суммарная величина дисконтированных инвестиций полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами (суммой чистой прибыли и амортизационных отчислений) вследствие реализации Программы. За начальный шаг принимается начало инвестиционной деятельности в календарном исчислении, то есть 2007 год - начало 1-го шага расчетного периода. Срок окупаемости определяется по данным расчета сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования. Часть срока окупаемости определяется количеством шагов, имеющих отрицательное значение сальдо. Дробная часть периода возврата, прибавляемая к указанной части, определяется методом интерполяции. Программа может быть принята к рассмотрению при условии, если срок окупаемости меньше расчетного периода, принятого в технико-экономическом обосновании Программы равным 5 годам (2007-2011 годы). Индекс доходности инвестиций определяется как отношение дисконтированной величины сальдо от операционной деятельности, то есть от чистого дохода предприятий (чистая прибыль плюс амортизационные отчисления) за расчетный период, к дисконтированной величине затрат, осуществляемых за счет использования всех источников финансирования за тот же период. Если индекс доходности инвестиций больше 1, реализация Программы будет эффективной, если меньше 1 - неэффективной. При чистом дисконтированном доходе, равном 0, индекс доходности равен 1. Показатели бюджетной эффективности Бюджетная эффективность характеризуется такими основными показателями, как бюджетный эффект, доля бюджетных ассигнований (коэффициент участия государства), срок окупаемости и индекс доходности средств федерального бюджета. Бюджетный эффект представляет собой превышение доходной части бюджета над его расходной частью в результате реализации Программы. Бюджетный эффект за расчетный период определяется по формуле: M БЭ = Сумма дельта х альфа , m=1 m m где: дельта - превышение доходной части бюджета над его расходной m частью на m-м шаге расчетного периода; альфа коэффициент дисконтирования на m-м шаге расчетного m периода; m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М). В состав расходов бюджета включаются средства, выделяемые для прямого бюджетного финансирования Программы. В состав доходов бюджета и приравненных к ним поступлений во внебюджетные фонды включаются: налог на имущество в размере 2 процентов среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости; налог на прибыль в размере 24 процентов налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество); налог на добавленную стоимость в размере 18 процентов объема реализованной продукции; подоходный налог в размере 13 процентов фонда оплаты труда; единый социальный налог в размере 26 процентов фонда оплаты труда. Доходная часть бюджета корректируется в зависимости от коэффициента участия государства в Программе. Коэффициент участия государства является важным показателем бюджетной эффективности и определяется как отношение дисконтированной величины средств федерального бюджета, предусмотренных на реализацию Программы за расчетный период, к дисконтированной величине суммарных затрат, осуществляемых за счет использования из всех источников финансирования за тот же период. Показатель характеризует степень финансового участия государства в реализации Программы и учитывается при расчете бюджетного эффекта и других показателей бюджетной эффективности. Предпочтение следует отдавать вариантам программ, имеющим наименьший показатель коэффициента участия государства, так как для реализации таких программ требуется меньше бюджетных средств. Срок окупаемости или период возврата средств федерального бюджета - это период от начального шага, в течение которого бюджетный эффект становится неотрицательным, или период, в конце которого суммарная величина дисконтированных средств федерального бюджета полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами бюджета (налоговыми поступлениями) вследствие реализации Программы. Индекс доходности средств федерального бюджета, предусмотренных на реализацию Программы, определяется как отношение дисконтированной величины доходов бюджета, полученных от реализации Программы за расчетный период, к дисконтированной величине расходов бюджета за тот же период. ____________ УТВЕРЖДЕНА постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. N 54 П О Д П Р О Г Р А М М А "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы П А С П О Р Т подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы Наименование - подпрограмма "Развитие электронной подпрограммы компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы Дата принятия - распоряжение Правительства Российской решения Федерации от 18 декабря 2006 г. N 1761-р о разработке подпрограммы Государственные - Федеральное агентство по промышленности, заказчики Федеральное агентство по атомной энергии, подпрограммы Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию Государственный - Министерство промышленности и энергетики заказчик - Российской Федерации координатор подпрограммы Основные - Министерство промышленности и энергетики разработчики Российской Федерации, подпрограммы Министерство обороны Российской Федерации, Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по образованию Цель и задачи - цель подпрограммы - развитие национального подпрограммы научно-технологического и производственного базиса для разработки и производства конкурентоспособной наукоемкой электронной компонентной базы для решения приоритетных задач социально-экономического развития и обеспечения национальной безопасности России. Задачи подпрограммы: разработка базовых технологий и базовых конструкций электронных компонентов и приборов (сверхвысокочастотная электроника, радиационно стойкая электронная компонентная база, микросистемная техника, микроэлектроника, радиоэлектронные компоненты и приборы, материалы); опережающее развитие систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов и систем для достижения мирового уровня; техническое перевооружение российской электронной промышленности на основе передовых технологий; создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов; обеспечение российских разработок радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем российской электронной компонентной базой высокого технического уровня; активизация инновационных процессов, освоение новых технологий электронных компонентов Важнейшие целевые - основным целевым индикатором реализации индикаторы и подпрограммы является уровень разработанных и показатели освоенных микроэлектронных технологий по выпуску электронной компонентной базы. Ожидается, что в 2007 году на предприятиях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска современной электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских производителей аппаратуры и систем. В 2011 году планируется достижение уровня технологии 0,09 мкм, что существенно сократит отставание российской электроники от мировой. Основным показателем успешной реализации подпрограммы принято увеличение объемов продаж электронной продукции. Ожидается, что в 2011 году значение этого показателя составит около 45 млрд. рублей, темпы роста объемов производства электронной компонентной базы будут сопоставимы с мировыми показателями Срок и этапы - 2007-2011 годы: реализации I этап - 2007-2009 годы; подпрограммы II этап - 2008-2011 годы Объемы и источники - всего по подпрограмме на 2007-2011 годы - финансирования 38460 млн. рублей (в ценах соответствующих подпрограммы лет), в том числе: а) за счет средств федерального бюджета - 23200 млн. рублей, из них на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 15880 млн. рублей, на капитальные вложения - 7320 млн. рублей; б) за счет средств внебюджетных источников - 15260 млн. рублей. Всего по подпрограмме на 2007 год за счет средств федерального бюджета предусматривается 3800 млн. рублей, из них на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 2600 млн. рублей, на капитальные вложения - 1200 млн. рублей Ожидаемые конечные - выполнение подпрограммы в полном объеме результаты позволит: реализации создать современную инфраструктуру разработки подпрограммы и и производства перспективной электронной показатели компонентной базы, необходимой для выпуска социально- высокотехнологичной наукоемкой продукции экономической мирового уровня в области важнейших эффективности технических систем (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное, энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, навигации, связи и информатики, медицинская техника, образование, экологический контроль), обеспечивающей в целом технологическую безопасность России; расширить возможности для равноправного международного сотрудничества в сфере высоких технологий; решить задачи социально-экономического развития за счет увеличения доли высокотехнологичных продукции и услуг в структуре экономики; сохранить и создать новые рабочие места в организациях высокотехнологичных отраслей промышленности; уменьшить материало- и энергоемкость производства, снизить экологическую нагрузку, улучшить условия труда; сформировать научные и технологические предпосылки для кардинального изменения структуры экспорта в пользу наукоемкой продукции с увеличением ее доли в 2 - 2,5 раза за счет резкого повышения потребительских свойств, конкурентоспособности выпускаемой продукции, закрепления традиционных и освоения новых сегментов мирового рынка; обеспечить налоговые поступления в бюджет от организаций - исполнителей и пользователей результатами подпрограммы в размере 65343,9 млн. рублей, что превысит размер инвестиций и создаст бюджетный эффект в размере 46343,1 млн. рублей; обеспечить индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований в размере 1,78, а срок окупаемости бюджетных ассигнований (период возврата) - 1 год, что свидетельствует о высокой эффективности подпрограммы I. Характеристика проблемы, на решение которой направлена подпрограмма Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы (далее - подпрограмма) разработана в соответствии с распоряжением Правительства Российской Федерации от 18 декабря 2006 г. N 1761-р. Подпрограмма разработана с учетом положений Основ политики Российской Федерации в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу, утвержденных Президентом Российской Федерации 30 марта 2002 г. Основной проблемой, на решение которой направлена подпрограмма, является обеспечение создания и производства радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем с использованием российской электронной компонентной базы нового технического уровня на основе коренной модернизации производственно-технологической базы электронной промышленности и сокращения технологического разрыва с мировым технологическим уровнем, повышения технико-экономических показателей и расширения объемов производства массовой электронной компонентной базы, опережающего развития вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования электронной компонентной базы и аппаратуры. Подпрограмма учитывает, что проблемы экономического развития Российской Федерации в ближайшее десятилетие будут определяться способностью государственного обеспечения ресурсами для ускоренного роста высокотехнологичного сектора экономики. Привлечение инвестиций в экономику с их точной адресацией и учетом взаимодействия связанных с развитием высоких технологий секторов экономики рассматривается Правительством Российской Федерации в качестве важнейшего фактора создания российской конкурентоспособной технологической базы нового производства, формирующей перспективу общего роста экономики Российской Федерации. Приоритетами государственной инвестиционной политики в этих условиях являются ускоренное инвестиционное развитие секторов "новой экономики", прежде всего становление инновационных и информационных отраслей, формирование нового технологического уровня промышленности и решение на его базе задач социально-экономического развития государства. Все это позволяет ставить и решать в среднесрочной перспективе задачу предотвращения увеличения технологического разрыва между Российской Федерацией и развитыми государствами, а в долгосрочной перспективе - задачу упрочения позиции России как одного из лидеров мирового развития. Ускорение социально-экономического развития общества, его информационное обеспечение и повышение интеллектуального уровня, дальнейший рост эффективности труда и комфортности быта, экономия природных и энергетических ресурсов, коренное улучшение технико-экономических и экологических показателей практически во всех отраслях промышленности и топливно-энергетического комплекса, модернизация базы научных исследований, медицины, образования, развитие космических исследований и разработка систем телекоммуникации основаны на широком применении электроники. Основополагающими факторами расширения производства и использования современной радиоэлектронной аппаратуры и информационно-коммуникационных систем являются динамичный научно-технический и производственный процесс развития электронных технологий и организация массового выпуска необходимых электронных компонентов. В настоящее время доля электроники в стоимости бытовых, промышленных и оборонных изделий и систем составляет 50-80 процентов. Степень совершенства этих изделий и технико-экономические показатели производства определяются в первую очередь техническим уровнем используемой электронной компонентной базы. Повышение технических характеристик и функциональной сложности электронной компонентной базы приводит к значительному улучшению технико-экономических показателей и надежности создаваемой радиоэлектронной аппаратуры, снижает число сборочных операций и количество используемых компонентов, уменьшает стоимость продукции при улучшении ее технических характеристик. Мировой рынок микроэлектронной техники (основной составляющей электронной промышленности) в 2005 году достиг объема 228 млрд. долларов США и имеет устойчивые показатели роста 10-15 процентов в год, что почти в 5 раз превышает мировые общепромышленные показатели. Электроника используется ведущими мировыми державами как рычаг удержания мирового технического, финансового, политического и военного господства. Развивающиеся страны рассматривают государственную поддержку электронной промышленности как наиболее эффективный способ подъема экономики и вхождения в мировой рынок. Мировой опыт также показывает, что совершенствование электронной продукции и наращивание объемов ее производства ведутся, главным образом, на основе комплексно-целевых научно-технических программ, инициируемых правительствами развитых и развивающихся стран и финансируемых до 50 процентов из средств государственного бюджета. Ежегодно на программы развития электроники в мире выделяется более 12 млрд. долларов США, а если учесть, что фирмы расходуют до 10 процентов от объемов продаж изделий электроники на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, то эта сумма вырастает до 30 млрд. долларов США. Объем капитальных вложений в полупроводниковую отрасль (включая научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы) в 2005 году в мире составил 47 млрд. долларов США. Наряду с прямым финансированием программ правительства заинтересованных в развитии электроники государств оказывают косвенную поддержку новых производств путем предоставления налоговых льгот, льготных кредитов на закупку технологий и специального технологического оборудования, государственных гарантий инвесторам, уменьшения срока амортизации специального технологического оборудования и защиты внутреннего рынка от импорта. В сложившейся ситуации единственным способом решения проблемы развития электронной компонентной базы в Российской Федерации является программно-целевой метод, обеспечивающий необходимый уровень адресной поддержки развития технологий и новых производств электронной компонентной базы, которая, в свою очередь, призвана обеспечить повышение конкурентоспособности экономики, инвестиционных программ и проектов в секторах с высокой долей участия государства, прежде всего проектов оборонно-промышленного комплекса. Таким образом, реализация подпрограммы полностью соответствует приоритетам государственной политики по созданию стратегически важных для страны инфраструктурных объектов, от которых зависит устойчивое функционирование всей экономики страны и ее сфер, способствующих инновационно-технологическому прорыву, решение задач социально-экономической политики государства, развитие и безопасное функционирование технически сложных систем и экологическая безопасность. Подпрограмма разрабатывалась с учетом следующих критериев: соответствие основным направлениям социально-экономической политики, так как развитие электронной компонентной базы позволит решить вопрос создания основы для развития передовых отраслей промышленного производства, обеспечит укрепление экономики, расширит сферы применения средств телекоммуникаций, информатики, улучшит условия труда и быта населения, будет способствовать повышению его образовательного и интеллектуального уровня, уровня медицинского обслуживания и социального обеспечения, улучшит экологию; межотраслевой и межведомственный характер проблемы, поскольку электронная компонентная база является основой для разработки и производства радиоэлектронной аппаратуры, систем связи и телекоммуникации, систем управления в промышленности, социальной сфере, торговле и транспорте, связана с технологиями и материалами двойного назначения, дает возможность применения изделий в экстремальных условиях эксплуатации (космическое пространство, земные недра, мониторинг обстановки вблизи источников излучений ядерных объектов, физические эксперименты, стихийные бедствия) и в специальной технике (системы антитеррора и контроля за перемещением наркотиков, системы экологического мониторинга, системы раннего предупреждения и ликвидации последствий техногенных катастроф); значительный мультипликативный эффект, поскольку совершенствование технологий и конструкций обеспечивает не только повышение функциональных и технических характеристик электронной компонентной базы и создаваемой на ее основе аппаратуры, но и резко снижает затраты на проектирование и выпуск аппаратуры и систем. Это объясняется тем, что этапы проектирования систем, выполняющих сложные функции, переносятся на этап проектирования специализированных больших интегральных схем, а основной объем сборочных операций при выпуске аппаратуры заменяется на процессы интеграции элементов при изготовлении сложнофункциональной электронной компонентной базы, которая выполняет роль блоков и узлов аппаратуры или полностью реализует функции аппаратуры в составе одной сверхбольшой интегральной схемы "система на кристалле" (однокристальный телевизор, однокристальный телефон). При использовании аппаратуры и систем с высокими техническими показателями достигается значительный эффект в части повышения производительности, точности и надежности выполнения функций, энергосбережения, экономии материалов, улучшения условий труда; количественно определенный результат, который будет определяться по каждому инвестиционному проекту в виде достигнутых мощностей производства, показателей технического качества выпускаемой продукции, социально значимых показателей (количество дополнительных рабочих мест, улучшение условий труда, снижение экологической нагрузки), технико-экономических показателей производства (снижение энергопотребления, повышение процента выхода годных изделий), расширения объема экспортных поставок, а также размера поступлений в бюджет в виде налогов; увязка расходов с возможностями бюджета в течение всего срока реализации подпрограммы путем финансирования подпрограммы по итогам выполнения плана научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ за предыдущий год на основе ежегодного открытого конкурса проектов, который позволяет оптимизировать состав участников подпрограммы и обеспечить максимально возможное выполнение программных мероприятий при заданном объеме финансирования; преобладание расходов на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы над расходами капитального характера, включая приобретение оборудования, в структуре финансирования подпрограммы (60 процентов расходов на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, 40 процентов - на капитальные вложения), которое позволит достигнуть максимально возможного практического эффекта от реализации подпрограммы в целом. Каждый инвестиционный проект подпрограммы сопровождается соответствующим мероприятием (комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке автоматизированных систем проектирования, базовых технологий и базовых конструкций электронной компонентной базы, необходимых материалов); невозможность решения проблемы межотраслевого, межведомственного характера другими способами и необходимость принятия решений на уровне Правительства Российской Федерации. Необходимость участия Правительства Российской Федерации обусловлена в первую очередь государственной важностью этой задачи и ее стратегическим значением для подъема производства промышленного комплекса, а также широким кругом использования электронной компонентной базы для решения задач социально-экономического развития страны. Иностранные инвесторы, пытаясь сохранить сложившееся положение на мировом и российском рынке электронной компонентной базы, не предполагают участвовать в развитии российских электронных предприятий, а внутренние инвесторы реализуют, как правило, краткосрочные проекты и не готовы вкладывать средства в высокотехнологичные длительные проекты. Современное состояние производства электронной компонентной базы таково, что реализация подпрограммы является последней возможностью восстановления электроники и от полноты государственной поддержки зависит судьба высоких технологий в России. Важным обстоятельством является то, что в ближайшие годы в Российской Федерации открываются новые рыночные ниши, еще не занятые иностранным производителем, что формирует потребность и создает реальные условия для быстрого развития производства новых видов электронной компонентной базы. Обеспечение создания и производства средств радиочастотной идентификации Одним из важнейших направлений применения радиочастотной идентификации является электронный паспорт. Работы в этом направлении активно ведутся в настоящее время и в Российской Федерации. По экспертным оценкам, для обеспечения электронными паспортами населения в количестве около 150 млн. человек потребуется не менее 100 млн. микросхем, затем ежегодно 30-50 млн. микросхем в связи с пополнением состава взрослого населения, необходимостью замены паспортов по семейным и другим обстоятельствам, плановым обновлением паспортов один раз в 5 лет, а также переводом на эту же технологию водительских удостоверений, смарт-карт платежных систем, карт доступа к мобильной связи. С использованием средств радиочастотной идентификации можно выпускать менее сложные микросхемы, например, электронные метки для товаров и грузов (потребность в них в 2007 году может достигнуть 250-400 млн. штук). Большая потребность в микросхемах возникнет и при формировании инфраструктуры пользователей. По экспертным оценкам, объем данного сегмента рынка микроэлектронных изделий составляет 6-8 млрд. рублей в год. Принципиально важным является решение об обязательном выборе российского разработчика и изготовителя микросхем для электронного паспорта, что, с одной стороны, придаст новый импульс развитию электронной промышленности, с другой - будет направлено на обеспечение безопасности государства. Проект создания электронного паспорта должен находиться под контролем государства и его следует рассматривать как основной проект-катализатор для подъема электронной промышленности в целом. Обеспечение создания и производства средств координатно-временного обеспечения В настоящее время основными и наиболее точными средствами навигационного обеспечения различных потребителей являются глобальные навигационные спутниковые системы "ГЛОНАСС" (Россия) и GPS (США). В Европе разворачивается навигационная система "Галилео". Объем российского рынка навигационной аппаратуры составляет около 5 процентов общего мирового рынка, что соответствует около 50 млн. навигационных приборов. Сохранение за российским производителем не менее 50 процентов рынка навигационной аппаратуры соответствует объему выпуска электронной компонентной базы на 1,5 - 1,8 млрд. рублей в год. Обеспечение создания и производства техники для цифрового телевидения Правительством Российской Федерации принято решение о внедрении европейской системы цифрового телевизионного вещания, что позволяет рассчитывать на широкое использование российского высокотехнологичного оборудования и исключить "захват" российского рынка телевидения иностранными фирмами, как это произошло при внедрении мобильной радиосвязи. По оценкам, объем рынка аппаратуры для цифрового телевидения к 2015 году составит около 600 млрд. рублей, при этом уже сегодня не менее 60 процентов аппаратуры может производиться российскими организациями. Следует учитывать, что дополнительную потребность при этом создает производство приставок к обычным (аналоговым) телевизорам для приема ими цифрового телевизионного сигнала. Учитывая большое количество аналоговых телевизоров, находящихся в пользовании у населения (не менее 80 млн. аппаратов), данный сегмент рынка представляется весьма существенным. Кроме того, следует учитывать систему платного абонентского телевидения, в которой используются специальные схемы, обеспечивающие возможность платного просмотра. В целом, совокупный объем рынка электронной компонентной базы по данному направлению составит 5-8 млрд. рублей в год. Обеспечение создания и производства современного медицинского оборудования, в том числе мобильного типа В настоящее время совокупный объем рынка медицинской техники в России составляет 40-45 млрд. рублей, из них около 30 млрд. рублей - импортные изделия, причем значительную долю импортных изделий составляют изделия с применением современной электронной компонентной базы (более 42 процентов). Приоритетным направлением развития следует считать разработку и освоение производства автономных миниатюрных электронных медицинских систем, приборов и оборудования, рассчитанных на мобильное использование. Средняя стоимость изделий медицинской техники мобильного типа с учетом покупательной способности населения страны не должна превышать 50 долларов США. Общий объем рынка оборудования этого типа прогнозируется на уровне 5 млн. единиц в год. Доля электронной компонентной базы в стоимости такого оборудования составляет не менее 80 процентов. Таким образом, общий объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования мобильного типа может составить 7,2 млрд. рублей в год. С учетом высокой стоимости сложного диагностического и терапевтического импортного медицинского оборудования одним из путей снижения его стоимости должно стать производство в России аналогичного оборудования на основе широкого применения отечественной электронной компонентной базы. Доля электронной компонентной базы в общей стоимости только стационарного оборудования доходит до 20 процентов, поэтому можно рассчитывать на сбыт электронной компонентной базы в пределах 1,4 млрд. рублей, исходя из общего объема рынка такого оборудования в размере 7,2 млрд. рублей в год. В перспективе совокупный объем рынка электронной компонентной базы для медицинского оборудования может достигнуть 8 млрд. рублей в год. Современные технологии образования В области образования необходимо в первую очередь обеспечить равный доступ всех обучающихся к источникам информации современного типа на основе использования мультимедийных систем. В связи с этим необходимо обеспечить устойчивый высокоскоростной доступ к сетевым ресурсам на всей территории страны. Беспроводной мультимедийный доступ к ресурсам обучения целесообразно развивать путем существенного снижения стоимости персональных мобильных компьютеров с целью максимального приближения их цены к покупательной способности населения Российской Федерации. Решить эту задачу можно только путем организации массового производства комплектующих для выпуска указанных устройств и оборудования на территории Российской Федерации, причем основным подходом к решению данной задачи должно быть резкое сокращение количества комплектующих в персональных и мобильных вычислительных устройствах за счет применения "систем на кристалле". Кроме того, необходимо организовать на территории России массовое производство дешевых жидкокристаллических и других мониторов (например, на базе дешевой технологии полимерных дисплеев). Общий объем рынка мультимедийных устройств для системы образования при условии снижения их стоимости до 1 - 1,5 тыс. рублей может достичь 5 млн. единиц в год, то есть 3,6 - 7 млрд. рублей в год. Стоимость электронной компонентной базы в составе таких изделий составляет не менее 70 процентов, поэтому совокупный объем продаж электронной компонентной базы в этом сегменте рынка может составить 2,6 - 5,2 млрд. рублей. Электроника и доступное жилье В ближайшей перспективе планируется значительное сокращение расходов на эксплуатацию и энергообеспечение жилья за счет внедрения энергосберегающих технологий. Большое значение при этом имеет широкое внедрение солнечной энергетики, высокоэффективных твердотельных источников света и систем интеллектуального управления объектами в жилых помещениях, оптимизирующих энергопотребление и обеспечивающих постоянный мониторинг всех объектов управления, находящихся в помещении ("интеллектуальный дом"). Необходимо также решить вопросы, связанные с обеспечением коммунальной инфраструктуры строящегося и модернизируемого жилищного фонда, повышением качества и совершенствованием учета объема коммунальных услуг (водоснабжение, электроснабжение, теплоснабжение). Модернизации с применением электронных технологий должны подвергнуться около 20 млн. единиц жилищного фонда страны за 10 лет. При среднем уровне затрат на модернизацию не менее 1,5 тыс. рублей на типовое электронное устройство общий объем этого сегмента рынка может составить 30 млрд. рублей в год. Электроника и сельское хозяйство В области сельского хозяйства электронные технологии должны использоваться для создания производственной основы модернизации сельскохозяйственного машиностроения (включая транспортную составляющую, технологическое оборудование для животноводства и первичной переработки продукции, новую инженерно-техническую базу отрасли), беспроводных сенсорных сетей на основе интеллектуальных датчиков, контролирующих состояние почвы, растительных культур, режим питания и перемещение скота в животноводстве. Применение указанных технологий в сельском хозяйстве обеспечит рациональное использование удобрений, снижение падежа скота и птицы, а также своевременное предупреждение о распространении среди животных опасных для человека эпидемий. Данный сегмент рынка оценивается в объеме около 12-15 млрд. рублей в год. Другие сегменты рынка электронной компонентной базы (промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, космическая техника, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование и др.) могут также существенно увеличить загрузку электронных производств. Таким образом, в России существует реальная, подкрепленная гарантированным рынком государственных закупок, возможность создания современного производства электронной компонентной базы с общим объемом сбыта в размере 90-120 млрд. рублей в год. Подпрограмма направлена на приоритетное развитие основных базовых электронных технологий, обеспечивающих укрепление научно-производственной базы российской электроники, ускоренное развитие автоматизированных систем проектирования электронной компонентной базы и реализацию основных структурных элементов интегрированной многоуровневой системы разработки сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически важных систем на базе библиотек стандартных элементов, сложнофункциональных блоков, специализированных больших интегральных схем "система на кристалле", прикладного и системного программного обеспечения. Срок реализации подпрограммы обусловлен необходимостью ее согласования с основными действующими и разрабатываемыми программами социально-экономического развития, а также с реализацией в рамках одной программы крупных инвестиционных проектов, определяющих выполнение государственных заданий по социально-экономическому развитию. Подпрограмма является обеспечивающей по отношению к федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы. Подпрограмма подготовлена и будет реализовываться на основе следующих принципов: комплексность решения наиболее актуальных проблем научно-технического и технологического развития разработки и производства электронной компонентной базы; сосредоточение основных усилий на развитии критических технологий, разработке и организации выпуска новых серий электронной компонентной базы, имеющих межотраслевое значение для повышения технологического уровня и конкурентоспособности российской продукции; адресность инвестиций в отношении проектов, реализуемых в рамках подпрограммы, в сочетании с возможностью маневра бюджетными средствами и их концентрацией на приоритетных направлениях для обеспечения наибольшей эффективности реализуемых мероприятий; обеспечение эффективного управления реализацией подпрограммы и контроля за целевым использованием выделенных средств; создание условий для продуктивного сотрудничества государства и частного бизнеса, основанных на сочетании экономических интересов и соблюдении взаимных обязательств. II. Основные цель и задачи подпрограммы, срок и этапы ее реализации, а также целевые индикаторы и показатели Целью подпрограммы является развитие национального научно-технологического и производственного базиса по разработке и выпуску конкурентоспособной наукоемкой электронной компонентной базы для решения приоритетных задач социально-экономического развития и обеспечения национальной безопасности Российской Федерации. Задачи подпрограммы: разработка базовых технологий и базовых конструкций электронных компонентов и приборов (сверхвысокочастотная электроника, радиационно стойкая электронная компонентная база, микросистемная техника, микроэлектроника, силовая электроника, пассивные элементы, электронные материалы); опережающее развитие систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов и систем для достижения мирового уровня; техническое перевооружение российской электронной промышленности на основе передовых технологий и расширение производства электронной компонентной базы для обеспечения внутреннего рынка и увеличения экспорта наукоемкой продукции; создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов и процессов проектирования перспективных видов электронной компонентной базы и аппаратуры; активизация процессов коммерциализации новых технологий электронной компонентной базы; обеспечение российских разработок радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем российской электронной компонентной базой высокого качества. В результате реализации подпрограммы предполагается создание современной технологической базы и модернизация промышленного производства электронной компонентной базы, необходимых для разработки и производства высокотехнологичной наукоемкой продукции мирового уровня в области важнейших технических систем (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное и энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, связи и информатики), медицинской техники, образования, экологического контроля и обеспечивающих технологические аспекты национальной безопасности государства, решение задачи удвоения к 2010 году национального валового продукта, расширение возможностей для равноправного международного сотрудничества в сфере высоких технологий. Осуществление мероприятий подпрограммы позволит на макроуровне: увеличить объем продаж российской электронной компонентной базы на внутреннем и внешнем рынках; значительно сократить технологическое отставание российской электронной промышленности от мирового уровня; обеспечить большие возможности для развития всех отраслей промышленности; создать условия для более эффективной реализации национальных проектов; создать ориентированную на рынок инфраструктуру электронной промышленности (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, специализированные производства по заказу, научно-технологический центр по микросистемотехнике); активизировать инновационную деятельность и ускорить внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство; обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства. Реализация подпрограммы позволит на микроуровне: обеспечить обновляемость основных фондов организаций электронной промышленности и стимулировать создание современного высокотехнологичного производства; создать крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими иностранными фирмами, работающими в области электроники; организовать производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, разнообразных современных телекоммуникационных услуг, включая радио и телевидение. В социально-экономической сфере: повысится качество жизни населения благодаря интеллектуализации среды обитания и расширению возможности использования электроники и информационных систем; увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, будет обеспечено привлечение молодых специалистов и ученых и улучшится возрастная структура кадров; улучшится экологическая ситуация за счет разработки экологически чистых технологий получения и обработки электронных материалов, развития новых электронных производств с повышенными требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и аварий. В бюджетной сфере будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий электронной промышленности. Подпрограмму предполагается выполнить в соответствии с федеральной целевой программой "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы в два этапа: I этап - 2007-2009 годы; II этап - 2008-2011 годы. Индикаторы и показатели реализации подпрограммы В качестве основного показателя успешной реализации подпрограммы принимается увеличение объемов продаж электронной продукции. В 2005 году общий объем реализованной продукции предприятий электронной промышленности составил 13 млрд. рублей. Ожидается, что в 2011 году аналогичный показатель составит около 45 млрд. рублей. Темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями и соответствовать задаче новой экономической доктрины России по увеличению внутреннего валового продукта. Индикатором реализации подпрограммы является технологический уровень освоенных в производстве сверхбольших интегральных схем (оценка проводится по величине минимального размера элемента). Ожидается, что в 2009 году организациями электронной промышленности будет освоен технологический уровень в 0,13 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска необходимой электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских потребителей. Значения индикатора и показателей реализации мероприятий подпрограммы приведены в приложении N 1. III. Перечень мероприятий подпрограммы Мероприятия подпрограммы приведены в приложении N 2 и структурированы по следующим важнейшим направлениям развития электронной компонентной базы: сверхвысокочастотная электроника (сверхвысокочастотные транзисторы и твердотельные микросхемы); радиационно стойкая электронная компонентная база; микросистемная техника; микроэлектроника; электронные материалы и структуры; группы пассивной электронной компонентной базы (радиоэлектронные компоненты и приборы опто- и фотоэлектроники, пьезо- и магнитоэлектроники, квантовой электроники, а также установочные изделия); обеспечивающие работы (комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по управлению подпрограммой, анализу выполненных работ, оптимизации состава выполняемых работ, проведению конкурсного отбора, а также по разработке и реализации информационно-аналитической системы обеспечения программно-целевого подхода к развитию электронной техники, по созданию и внедрению комплекса стандартов надежности и качества электронной компонентной базы, экологической безопасности). В рамках направления 1 "Сверхвысокочастотная электроника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в следующих целях: разработка базовых технологий производства мощных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов L и S частотных диапазонов для систем радиолокации с использованием активных фазированных антенных решеток и систем связи; развитие технологий сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на гетероструктурах и широкозонных полупроводниках и организация их опытного производства; организация опытно-технологической производственной линии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов частотного диапазона до 150 ГГц для перспективных систем связи и локации; разработка базовой технологии, базовых конструкций и организация выпуска новых типов магнитоэлектрических сверхвысокочастотных приборов; разработка систем автоматизированного проектирования сверхвысокочастотных приборов, монолитных сверхвысокочастотных микросхем, сверхширокополосных твердотельных мощных сверхвысокочастотных модулей, приемо-передающих модулей на основе унифицированного конструктивно-технологического базиса и библиотек стандартных элементов. Указанное направление определяет весь комплекс работ, выполнение которых обеспечит создание к 2012 году серийных образцов активных антенных фазированных решеток для радиолокаторов наземного, корабельного, воздушного и космического базирования для перспективных средств противоздушной обороны, воздушной и космической разведки, управления и связи, а также создание производственных мощностей для серийного производства специальной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и приемо-передающих модулей. Сверхвысокочастотная электронная компонентная база востребована в аппаратуре сотовых (спутниковых, воздушных и наземных носителей) интерактивных телекоммуникаций в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, на основе которых создаются принципиально новые стратегические системы передачи информации и управления. Роль этих систем будет настолько велика, что блокирование их деятельности или несанкционированный доступ приведет к ущербу в государственном масштабе, который сегодня вряд ли можно оценить. Поэтому аппаратура сотовых интерактивных телекоммуникаций должна и может создаваться только на отечественной твердотельной сверхвысокочастотной электронной компонентной базе. Массовое применение сверхвысокочастотной электронной компонентной базы возможно и в гражданской сфере: в цифровом телевидении, в домашней и учрежденческой беспроводной информационно-управляющей сети, в автомобильных радарах для автоматической парковки, предупреждения столкновений и автопилотирования. Подпрограмма предусматривает мероприятия по разработке: технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы А В , объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных 3 5 субмодулей X диапазона; базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур; базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний-германий"; базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах; базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X, C, S, L и P диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью; базовых технологий производства и конструктивного ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов; технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем X, C, S, L и P диапазонов для их массового производства; базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения; технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами; базовой технологии портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных, твердотельных (GaAs) и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования. Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано с созданием в стране электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для таких электронных компонентных баз являются широкозонные полупроводники (нитрид галлия и карбид кремния) для мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов и кремний-германий для монолитных интегральных схем. Работы с этими материалами за рубежом активно развиваются последние 3-5 лет. В России их использование сдерживается недостаточным объемом работ по созданию и совершенствованию технологии производства как самих материалов, так и электронной компонентной базы на их основе. В рамках направления 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база" предусмотрено выполнение комплексных мероприятий подпрограммы в целях создания: базовых технологий изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире"; технологии проектирования и изготовления серий логических и аналоговых радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм; базовых технологий радиационно стойких специализированных больших интегральных схем энергонезависимой памяти; технологии структуры "кремний на сапфире" для лицензионно-независимых специализированных цифровых сверхбольших интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса; технологии радиационно стойких силовых приборов. Предполагается разработать принципиально новую технологию с применением элементов памяти на основе фазовых структурных переходов вещества, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа памяти для всех встроенных применений в микроконтроллерах и микропроцессорах. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов. Кроме того, будут разработаны качественно новые приборы на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы до 200 тыс. вентилей, программируемые логические интегральные схемы, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые специализированные сверхбольшие интегральные схемы). Необходимость выполнения работ обусловлена задачей сохранения паритета с другими ядерными державами в области стратегических ядерных сил. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001-2005 годах в рамках Программы ускоренного развития субмикронной радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения стратегических ядерных сил. Нужно учитывать, что закупки лицензий на эти технологии на мировом рынке невозможны из-за ограничений, накладываемых международными соглашениями о нераспространении ядерных технологий. В рамках направления 3 "Микросистемная техника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий в целях разработки: базовой технологии прецизионного формирования микроэлектромеханических трехмерных структур; системы автоматизированного проектирования микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных акселерометров, включая создание специализированного центра проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек стандартных элементов; библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов, пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и других приборов. Развертывание работ по указанному направлению обусловлено необходимостью удовлетворения резко возросшего спроса на микроэлектромеханические системы на внутреннем и мировом рынках. Так, объемы мирового рынка в 2005 году составили 7,1 млрд. долларов США. По прогнозу, рыночная потребность в 2010 году простейших систем, разработка и производство которых под силу большинству российских микроэлектронных производств, составит более 850 млн. штук (более 30 млрд. рублей в год), что дает возможность выхода российских производителей на мировой рынок. Отставание России от передовых стран в области микросистемной техники не так значительно в связи с тем, что конкретные прикладные результаты в мировом масштабе были получены только в 90-е годы и технологические нормы для производства микроэлектромеханических систем доступны большинству предприятий отрасли. В 2007 году планируется начать выполнение комплекса научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке базовых технологий и базовых конструкций микроакустоэлектромеханических, микроаналитических, микрооптоэлектромеханических, радиочастотных микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных полей. В результате будут разработаны датчики физических величин, в частности давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, резонаторов и других, а также освоены базовые технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые вещества. Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники для других отраслей промышленности, реализация этого направления расширяет возможности автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, навигации, здравоохранения, информационных, телекоммуникационных и военных технологий, что позволит обеспечить реализацию национальных приоритетов технологического развития и повысить экспортный потенциал России в области высоких технологий. В рамках направления 4 "Микроэлектроника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в целях: разработки базовых технологий специализированных больших интегральных схем, в том числе технологии комплементарных полевых транзисторных структур уровня 0,25 - 0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства; разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства специализированных сверхбольших интегральных схем и организации межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мкм; ускоренного развития систем проектирования сложных специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы "система на кристалле"), ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля; разработки новых поколений электронной компонентной базы, в том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых больших интегральных схем для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения; разработки сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том числе программируемых), микроконтроллеров, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов, приемопередатчиков), а также специализированных блоков для телекоммуникации и связи; разработки комплектов специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", имеющих до 10-50 млн. транзисторов, для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля); разработки приборов силовой электроники, включая базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов, силовых ключей на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В, а также базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей; создания центров проектирования перспективной электронной компонентной базы, в том числе промышленно ориентированных центров проектирования и испытания электронной компонентной базы в составе отраслевой многоуровневой системы проектирования сложной электронной компонентной базы и аппаратуры (топологического и схемотехнического уровней), системоориентированных базовых центров сквозного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе функционально сложной электронной компонентной базы и специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", а также развития системы проектирования сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически значимых систем, учебных центров проектирования электронной компонентной базы для решения задачи обучения и подготовки высококвалифицированных специалистов. Создаваемые центры проектирования должны освоить методы проектирования специализированных сверхбольших интегральных схем с технологическим уровнем до 0,09 мкм и систему заказов на зарубежных специализированных производствах, действующих в мировой системе разделения труда. В рамках направления 5 "Электронные материалы и структуры" мероприятия подпрограммы ориентированы в первую очередь на создание технологий для освоения принципиально новых материалов для современной электронной компонентной базы (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми эффектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы). Среди новых разрабатываемых материалов наиболее перспективными являются нитрид галлия, карбид кремния, алмазоподобные пленки и другие. Полупроводниковые материалы пользуются повышенным спросом как на внутреннем, так и на внешнем рынках, что создает хорошие перспективы для увеличения экспорта. Предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в следующих целях: разработка базовых технологий и организация производства, в том числе кремниевых пластин диаметром 200 мм технологического уровня 0,18 - 0,13 мкм, структур "кремний на изоляторе", "кремний на сапфире" диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5 - 0,35 мкм, пластин радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для приборов силовой электроники, гетероструктур диаметром 100-150 мм с квантовыми эффектами для сверхвысокочастотной твердотельной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников, керамических материалов и плат, материалов для пленочных технологий, композитов, клеев и герметиков для выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей, "бессвинцовых" сложных композиций для экологически чистой сборки электронной компонентной базы и монтажа в составе радиоэлектронной аппаратуры; разработка экологически чистой технологии нанесения гальванопокрытий с замкнутым циклом нейтрализации и утилизации, высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, процессов самоформирования пространственных структур, новых классов сложных полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения), новых классов полимерных пленочных материалов, включая многослойные и металлизированные, а также для задач политроники и сборочных процессов массового производства электронной компонентной базы широкого потребления. В рамках направления 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий в следующих целях: разработка технологий и базовых конструкций типового ряда радиоэлектронных компонентов требуемой номенклатуры, в том числе: магнитоуправляемых контактов, тиратронов и искровых разрядников; коммутационных и установочных изделий; разработка технологий и базовых конструкций новых поколений, в том числе: новых классов и групп резисторов и конденсаторов с повышенными техническими и эксплуатационными характеристиками, включая развитие производственных мощностей по их выпуску; сверхъярких высокоэкономичных светодиодов красного свечения для "стоп-сигналов" транспортной техники; высокоэффективных широкоспектральных твердотельных осветительных приборов для бытовых и промышленных целей; гибких экранов, информационных табло и сигнальных устройств на полимерной основе, включая варианты "прозрачных" экранов; светочувствительных твердотельных матричных приемников для наблюдения в широком спектральном диапазоне с вариациями освещенности; рентгеночувствительных матричных приемников для медицинской техники нового поколения; приборов пьезотехники и акустоэлектроники для научной, медицинской и связной аппаратуры; приборов магнитоэлектроники для радиоэлектронной аппаратуры, сверхвысокочастотной техники, диагностической и научной аппаратуры; фотоэлектронных умножителей широкого спектрального диапазона; магнитоэлектрических приборов расширенного диапазона частот; мощных технологических лазеров с полупроводниковой накачкой; эксимерных лазеров для электронных технологий и медицины; базовых модулей лазерных локаторов и лазерных комплексов. Рыночная потребность в указанных видах электронной компонентной базы достаточно высока, более того, большая часть вновь разрабатываемых видов электронной компонентной базы и изделий электронной техники (высокояркостные твердотельные источники света и экраны, солнечные элементы и батареи, приборы акустоэлектроники, магнито-, пьезоэлектроники) не только обладают высокими потребительскими свойствами, но и дают значительный экономический эффект за счет энергосбережения и интеграции функций. Для создания нового технического уровня резисторов планируются работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, технологии интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки, технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов, термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов. Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и организации производства таких конденсаторов. Для совершенствования качества и технических характеристик коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона. Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, разработку ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, разработку базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, разработку промышленной технологии акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга, робототехники и контроля функционирования различных механизмов, средств и систем, разработку базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов, а также разработку технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем. Работы по приборам инфракрасной техники будут сконцентрированы в области разработки: технологии фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений; технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона; технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения. Для приборов квантовой электроники приоритетными будут работы по созданию технологий: мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения; специализированных лазерных полупроводниковых диодов и лазерных волоконно-оптических модулей; для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта; полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве. Приборы светотехники и отображения информации будут совершенствоваться на основе разработки: технологий интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением; технологии высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения; базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа; базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения; технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления "с катушки на катушку"; базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и созданных на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные; базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей. В рамках направления 7 "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий, включающих: разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования, системе заказа шаблонов, изготовлению опытных образцов и аттестации проектов сложной электронной компонентной базы; разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и подготовку комплектов документов программно-целевого развития электронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России; систематический контроль и анализ выполнения мероприятий подпрограммы, формирование годовых планов, проведение конкурсного отбора научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и анализ выполнения подпрограммы; создание и внедрение комплекса методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, по обеспечению надежности и качества, экологической безопасности и защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации. IV. Обоснование ресурсного обеспечения подпрограммы Расходы на реализацию мероприятий подпрограммы составляют 38460 млн. рублей, в том числе: а) за счет средств федерального бюджета - 23200 млн. рублей, из них: на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 15880 млн. рублей; на капитальные вложения - 7320 млн. рублей; б) за счет средств внебюджетных источников - 15260 млн. рублей. Ресурсное обеспечение подпрограммы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных средств. Средства федерального бюджета направляются в первую очередь на финансирование следующих приоритетных направлений развития электронной компонентной базы: сверхвысокочастотная электроника, включая сверхвысокочастотные материалы; радиационно стойкая электронная компонентная база, включая радиационно стойкие материалы и радиационно стойкую микроэлектронику; микросистемная техника на базе микроэлектромеханических систем, интеллектуальных сенсоров и интегрированных структур, включая материалы для микросистемной техники; базовые центры системного проектирования, в том числе межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов. Приоритетность направлений обусловлена имеющимся научно-техническим заделом, прогрессивностью новых исследований и результатов, удельным весом данного направления в общем объеме работ по развитию электроники и темпами развития специальной и гражданской техники. Объемы финансирования приоритетных направлений развития электронной компонентной базы в 2007-2011 годах за счет средств федерального бюджета приведены в приложении N 3. Наибольшие суммы средств на научные исследования выделяются на проведение научно-исследовательских работ в области развития сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной компонентной базы и микросистемной техники (около 58 процентов). За пятилетний период планируется в первую очередь осуществить техническое перевооружение предприятий, работающих в области сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной компонентной базы и микросистемной техники, для чего планируется выделить 54 процента всех капитальных вложений. При этом наибольшая сумма капитальных вложений (41 процент) будет выделена на создание и техническое оснащение базовых центров системного проектирования и межотраслевого центра фотошаблонов. Таким образом, на четыре приоритетных направления развития электронной компонентной базы в 2007-2011 годах планируется выделить 70 процентов всех финансовых средств, выделяемых на реализацию подпрограммы. Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям подпрограммы за счет внебюджетных средств будет не менее 7940 млн. рублей. Источниками внебюджетных средств станут средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средств от эмиссии акций). Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов по техническому перевооружению предприятиями привлекаются внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение внебюджетных средств, привлекаемых для выполнения мероприятий научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ реконструкции и технического перевооружения организаций, средствами федерального бюджета не допускается. Объемы и источники финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и капитальных вложений подпрограммы по годам приведены в приложении N 4. Объемы финансирования подпрограммы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 5. Распределение объемов финансирования подпрограммы за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам подпрограммы приведено в приложении N 6. V. Механизм реализации подпрограммы Учитывая сложившуюся структуру федеральных органов исполнительной власти и общепромышленное значение выполнения подпрограммы, государственным заказчиком - координатором подпрограммы является Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, а государственными заказчиками - Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию. Управление реализацией подпрограммы, а также контроль за ее выполнением будет осуществлять государственный заказчик - координатор федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы. Подпрограмма имеет межотраслевой характер и отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию. Исполнителями подпрограммы будут научные и научно-производственные организации. Управление реализацией подпрограммы будет осуществляться в соответствии с Порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и положением о порядке управления реализацией программ, утверждаемым Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации. Для осуществления планирования работ и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков подпрограммы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках подпрограммы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем. Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам технологического развития, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов. Для осуществления текущего контроля и анализа хода работ по подпрограмме, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией подпрограммы организуется автоматизированная информационно-аналитическая система. Головные исполнители (исполнители) мероприятий подпрограммы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации. Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий подпрограммы, и организуют кооперацию соисполнителей. Федеральное агентство по промышленности, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию представляют в Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации отчетность о результатах выполнения работ за отчетный год и дают предложения по формированию плана работ на следующий год. Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации в установленном порядке представляет в Министерство экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации отчетность о выполнении годовых планов и подпрограммы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию подпрограммы в предстоящем году. VI. Оценка социально-экономической и экологической эффективности подпрограммы Эффективность подпрограммы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом ее осуществления вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей. За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций или 1-й год разработки приоритетных образцов продукции, то есть 2007 год. Конечный год расчетного периода определяется годом полного освоения в серийном производстве разработанной в период реализации подпрограммы продукции на созданных в этот период мощностях, а также 3 годами серийного производства. Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия подпрограммы и завершается в 2011 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей 1,5 - 2 года, то конечным годом расчетного периода с учетом 3 лет серийного производства принят 2016 год. Экономическая эффективность реализации подпрограммы в отрасли характеризуется следующими показателями: налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 65343,9 млн. рублей; чистый дисконтированный доход - 24615,6 млн. рублей; бюджетный эффект - 46343,1 млн. рублей; индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям - 3,4; индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу предприятий - 1,78; удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) - 0,6; срок окупаемости инвестиций из всех источников финансирования - 7,3 года, в том числе 2,3 года после окончания реализации подпрограммы; срок окупаемости средств федерального бюджета - 1 год; уровень безубыточности равен 0,67 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности и устойчивости подпрограммы к возможным изменениям условий ее реализации. Результаты расчета показателей социально-экономической эффективности подпрограммы приведены в приложении N 7. Социальная эффективность подпрограммы обусловлена количеством создаваемых рабочих мест (3550-3800 мест на момент завершения подпрограммы), а также существенным повышением технологического уровня новой электронной компонентной базы, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание новых классов радиоэлектронной аппаратуры и систем и улучшение условий труда. Разработка новых классов электронной компонентной базы обеспечит создание широкой номенклатуры приборов и техники для технического обеспечения решения государственных социальных программ. Экологическая эффективность подпрограммы определяется: разработкой и освоением экологически чистых технологий производства электронной компонентной базы в процессе их производства; новыми уровнями химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющими исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистыми технологиями нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизацией и нейтрализацией отходов; технологией "бессвинцовой" сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и специализированных больших интегрированных схем; высокоэффективными методами подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, внедрением систем экологического мониторинга производства электронной компонентной базы и окружающей территории, кластерными технологическими системами обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества; разработкой технологий утилизации электронной компонентной базы в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла. Вновь создаваемые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики-сенсоры) и аппаратура на их основе будут использованы в создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга. Электронная промышленность по технологической сути является самой экологически чистой отраслью экономики, и достижения по улучшению экологической обстановки, полученные в рамках совершенствования новых производств электронной компонентной базы, могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам, получение сверхчистой воды и сверхчистых реактивов). ____________ ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы Индикатор и показатели реализации мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы -------------------------------------------------------------------------------------------------- | | Значение | Единица +------------------------------------------------ |измерения|2007 |2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | |год | | | | -------------------------------------------------------------------------------------------------- Индикатор Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,1 - 0,09 уровень электроники Показатели Увеличение объемов продаж млрд. 19 25 31 38 45 изделий электронной техники рублей Количество разработанных базовых - 3-5 9-11 16-18 24-27 36-40 технологий в области электронной компонентной базы (нарастающим итогом) Количество завершенных разрабатываемых - 3 9 10 17 29 проектов базовых центров проектирования функционально сложной электронной компонентной базы, в том числе сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" (нарастающим итогом) Количество объектов технологического - 1 1 5 8 18 перевооружения электронных производств на основе передовых технологий (нарастающим итогом) Количество завершенных поисковых - 1 3 7 10-12 13-16 технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом) Количество реализованных мероприятий - 4 11-12 14-16 19-22 32-36 по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) Количество создаваемых рабочих мест - 450 950-1020 1700-1800 2360-2500 3550-3800 (нарастающим итогом) ____________ ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы П Е Р Е Ч Е Н Ь мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ | 2007- | В том числе | Мероприятия | 2011 +-------------------------------------| Ожидаемые результаты |годы - | 2007 | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | | всего | год | год | год | год | год | ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника" 1. Разработка технологии 312 105 147 60 - - создание базовой технологии производства мощных ---- --- --- -- производства мощных сверхвысокочастотных 208* 70 98 40 сверхвысокочастотных транзисторов на основе транзисторов на основе гетероструктур материалов гетероструктур материалов группы А В группы А В для бортовой и 3 5 3 5 наземной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 2. Разработка базовой технологии 265 - - 60 120 85 создание базовой технологии производства монолитных --- -- --- -- производства монолитных сверхвысокочастотных 175 40 79 56 сверхвысокочастотных микросхем и объемных микросхем и объемных приемо-передающих приемо-передающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В для 3 5 бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 3. Разработка базовой технологии 467 153 214 100 - - создание технологии производства мощных --- --- --- --- производства мощных сверхвысокочастотных 312 102 143 67 транзисторов полупроводниковых приборов на сверхвысокочастотного основе нитридных диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации 4. Разработка базовой технологии 770 - - 136 337 297 создание технологии и библиотеки элементов для --- --- --- --- производства на основе проектирования и производства 512 90 225 197 нитридных гетероэпитаксиальных монолитных интегральных схем структур мощных сверхвысокочастотного сверхвысокочастотных диапазона на основе нитридных монолитных интегральных схем с гетероэпитаксиальных структур рабочими частотами до 20 ГГц для связной техники, радиолокации, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 5. Разработка базовой технологии 357 120 166 71 - - создание базовой технологии производства --- --- --- -- производства компонентов для сверхвысокочастотных 231 80 111 40 сверхвысокочастотных компонентов и интегральных схем диапазона сложнофункциональных блоков 2-12 ГГц с высокой степенью для сверхвысокочастотных интеграции для аппаратуры интегральных схем высокой радиолокации и связи бортового степени интеграции на основе и наземного применения, а гетероструктур "кремний - также бытовой и автомобильной германий" электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
