Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 04.02.1994 № 81усилителей магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ II.17.1.2.1.3. Конструкция и технология производства импрегнированных катодов для электронных ламп, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на номинальную эмиссию менее 3 с; II.17.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования свыше 5 А/кв.см II.17.1.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства электронных вакуумных ламп и катодов, указанных в пунктах I.16.1.2.1.- I.16.1.2.1.3.2. II.17.1.2.3. Конструкция и технология производства интегральных схем или модулей микроволнового диапазона, содержащих твердотельные интегральные схемы, работающие на частотах свыше 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.3. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производства схем или модулей для оборудования, разработанного или пригодного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации с частотами, не превышающими 31 ГГц II.17.1.2.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства интегральных схем или модулей микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.1.2.2. II.17.1.2.5. Конструкция и технология производства микроволновых транзисторов, предназначенных для работы на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых транзис- торов, предназначенных для работы на частотах, превы- шающих 31 ГГц II.17.1.2.7. Конструкция и технология производства микроволновых твердотельных усилителей: II.17.1.2.7.1. работающих на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющих ширину рабочей полосы частот более чем пол-октавы; II.17.1.2.7.2. работающих на частотах свыше 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.7. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства усилителей: специально спроектированных для медицинских целей; специально спроектированных для простых учебных при- боров; имеющих выходную мощность не более 10 Вт и специально спроектированных для: промышленных или гражданских систем защиты периметра, обнаружения посторонних лиц или охранной сигнализа- ции; автодорожных или промышленных систем управления дви- жением и систем подсчета; систем обнаружения экологического загрязнения воздуха или воды II.17.1.2.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых твердо- тельных усилителей, указанных в пунктах I.16.1.2.4.- I.16.1.2.4.2. II.17.1.2.9. Конструкция и технология производства полосовых или за- граждающих фильтров с электронной или магнитной настрой- кой, имеющих свыше 5 настраиваемых резонаторов, обеспе- чивающих настройку в полосе частот с соотношением макси- мальной и минимальной частот 1,5 менее чем за 10 мкс, причем полоса пропускания составляет более 0,5 % от резонансной частоты или полоса подавления составляет менее 0,5 % от резонансной частоты II.17.1.2.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства полосовых или заграж- дающих фильтров, указанных в пункте I.16.1.2.5. II.17.1.2.11. Конструкция и технология производства микроволновых сборок, способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых сборок, способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.13. Конструкция и технология производства гибких волноводов, спроектированных для использования на частотах свыше 40 ГГц II.17.1.2.14. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства гибких волноводов, спроектированных для использования на частотах свыше 40 ГГц II.17.1.3. Конструкция и технология производства приборов на акустических волнах и специально спроектированных для них компонентов II.17.1.3.1. Конструкция и технология производства приборов на поверхностных акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборов для обработки сигналов, использующих упругие волны в материале), имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц; II.17.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности превышает 55 дБ, произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) больше 100 или задержка распространения превышает 10 мкс Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.1. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для бытовой электроники или развлечений II.17.1.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приборов на поверх- ностных акустических волнах в тонкой подложке, указанных в пунктах I.16.1.3.1.-I.16.1.3.1.2. II.17.1.3.3. Конструкция и технология производства приборов на объемных акустических волнах (т.е. приборов для обра- ботки сигналов, использующих упругие волны в материале), обеспечивающих непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц II.17.1.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приборов на объемных акустических волнах, указанных в пункте I.16.1.3.2. II.17.1.3.5. Конструкция и технология производства акустооптических приборов обработки сигналов, использующих взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностны- ми) и световыми волнами, что обеспечивает непосредствен- ную обработку сигналов или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.5. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для гражданского телевидения, видео- или амплитудно модулированной и частотно модулированной широковещательной аппаратуры II.17.1.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства акустооптических прибо- ров обработки сигналов, указанных в пункте I.16.1.3.3. II.17.1.4. Конструкция и технология производства электронных при- боров или схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на частотах, рав- ных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ или на частотах свыше 31 ГГц; II.17.1.4.2. наличие токовых переключателей для цифровых схем, ис- пользующих сверхпроводящие вентили, у которых произве- дение времени задержки на вентиль (в секундах) на рас- сеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10 -14Дж; II.17.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех диапазонах частот с использованием резонансных контуров с добротностью свыше 10000 II.17.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства электронных приборов или схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпрово- дящих материалов, указанных в пунктах I.16.1.4.- I.16.1.4.3. II.17.1.6. Конструкция и технология производства вращающихся преоб- разователей абсолютного углового положения вала в код, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.6.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полного диапазона (18 бит); II.17.1.6.2. точность лучше чем +2,5 угл.с II.17.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства вращающихся преобразова- телей абсолютного углового положения вала в код, указанных в пунктах I.16.1.5.-I.16.1.5.2. II.17.1.8. Конструкция и технология производства вакуумных микро- электронных приборов II.17.1.9. Конструкция и технология производства полупроводниковых приборов с гетероструктурой, например транзисторов с вы- сокой подвижностью электронов (ВПЭТ), биполярных тран- зисторов на гетероструктуре (ГБТ), приборов на эффекте потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках II.17.1.10. Конструкция и технология производства электронных прибо- ров со сверхпроводимостью II.17.2. Конструкция и технология производства электронной аппа- ратуры общего назначения II.17.2.1. Конструкция и технология производства записывающей аппа- ратуры II.17.2.1.1. Конструкция и технология производства накопителей на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая нако- пители с возможностью записи цифровых сигналов (т.е. ис- пользующей модуль цифровой записи высокой плотности), имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на электронный канал или дорожку; II.17.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на электронный канал или дорожку при числе дорожек более 42; II.17.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы менее +0,1 мкс II.17.2.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства накопителей на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, указанных в пунктах I.16.2.1.1.-I.16.2.1.1.3. II.17.2.1.3. Конструкция и технология производства цифровых видеомаг- нитофонов, имеющих максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с, кроме специально спроектированных для телевизионной записи по стандартам или рекомендациям для гражданского телевидения II.17.2.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства цифровых видеомагнито- фонов, указанных в пункте I.16.2.1.2. II.17.2.1.5. Конструкция и технология производства накопителей на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.1.5.1. максимальная пропускная способность цифрового интер- фейса свыше 60 Мбит/с и использование методов спираль- ного сканирования; II.17.2.1.5.2. максимальная пропускная способность цифрового интер- фейса свыше 120 Мбит/с и использование фиксированных магнитных головок; II.17.2.1.5.3. по техническим условиям пригодны для космического при- менения Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.5.3. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства аналоговых накопителей на магнитной ленте, оснащенных электроникой для преобразования в цифровую запись высо- кой плотности и предназначенных для записи только цифро- вых данных II.17.2.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства накопителей на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, указанных в пунктах I.16.2.1.3.-I.16.2.1.3.3. II.17.2.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры с мак- симальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированной для переделки цифровых видеомагнитофонов в устройство записи данных цифровой аппаратуры II.17.2.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, указанной в пункте I.16.2.1.4. II.17.2.2. Конструкция и технология производства сборок синтезато- ров частоты, имеющих время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс II.17.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства сборок синтезаторов частоты, указанных в пункте I.16.2.2. II.17.2.4. Конструкция и технология производства анализаторов сиг- налов: II.17.2.4.1. способных анализировать частоты, превышающие 31 ГГц; II.17.2.4.2. динамических анализаторов сигналов с полосой пропуска- ния в реальном масштабе времени, превышающей 25,6 кГц, кроме тех, которые используют фильтры с полосой про- пускания фиксированных долей (известные также как ок- тавные или дробно-октавные фильтры) II.17.2.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства анализаторов сигналов, указанных в пунктах I.16.2.3.-I.16.2.3.2. II.17.2.6. Конструкция и технология производства генераторов сигна- лов синтезированных частот, формирующих выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильностью на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота, превышающая 31 ГГц; II.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; II.17.2.6.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) лучше чем -(126 + 20лг( ) - 20лг(ф)) в единицах дБ/Гц, где - смещение рабочей частоты в Гц, а ф- рабочая частота в МГц Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.2.6.-II.17.2.6.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, в которой выходная частота либо создается путем сложения или вычитания частот с двух и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты II.17.2.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства генераторов сигналов синтезированных частот, указанных в пунктах I.16.2.4.- I.16.2.4.3. II.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых анализато- ров с максимальной рабочей частотой, превышающей 31 ГГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.8. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства сетевых анализаторов с качающейся частотой, рабочая частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые не имеют шины данных для интерфейса дистанционного управления II.17.2.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства сетевых анализаторов, указанных в пункте I.16.2.5. II.17.2.10. Конструкция и технология производства приемников- тестеров микроволнового диапазона, имеющих максимальную рабочую частоту более 31 ГГц и способных одновременно измерять амплитуду и фазу II.17.2.11. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приемников-тестеров микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.2.6. II.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных эталонов частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение) менее (лучше) 10-11/мес; II.1.2.12.2. по техническим условиям пригодны для космического при- менения Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.12.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства руби- диевых эталонов, не предназначенных для космического применения II.17.2.13. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства атомных эталонов частоты, указанных в пунктах I.16.2.7.-I.16.2.7.2. II.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов микро- схем, указанных в пунктах I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.14. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства эмуляторов, спроектированных под семейство, содержащее хотя бы один прибор, на который не распространяется экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. II.17.2.15. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства эмуляторов микросхем, указанных в пункте I.16.2.8. II.17.3. Конструкция и технология производства оборудования для производства и испытания полупроводниковых приборов II.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством установок для эпитаксиального выращивания II.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок для эпи- таксиального выращивания, способных выдерживать толщину эпитаксиального слоя с отклонением не более +2,5 % на протяжении не менее 75 мм вдоль пластины II.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок химичес- кого осаждения металлорганических паров, специально предназначенных для выращивания кристаллов сложных полу- проводников с помощью химических реакций материалов, указанных в пунктах I.6.11.-1.6.11.4. или I.6.12. II.17.3.1.3. Конструкция и технология установок молекулярно-лучевой эпитаксии, использующих газовые источники II.17.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения установок для эпитаксиального выращивания, указанных в пунктах I.16.3.1.-I.16.3.1.3. II.17.3.3. Конструкция и технология производства многофункциональ- ных фокусируемых ионно-лучевых систем, снабженных про- граммно-управляемым запоминающим устройством, специаль- но спроектированных для производства, ремонта, анализа физической топологии и тестирования масок или полупро- водниковых приборов, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.3.1. точность управления положением пучка на мишени 0,25 мкм или лучше; II.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового преобразова- ния свыше 12 бит II.17.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения многофунк- циональных фокусируемых ионно-лучевых систем, указанных в пунктах I.16.3.2.-I.16.3.2.2. II.17.3.5. Конструкция и технология производства многокамерного центра обработки полупроводниковых пластин с автомати- ческой загрузкой и программно-управляющим запоминающим устройством, имеющего устройства для загрузки и выгрузки пластин, к которому должны быть присоединены более двух установок технологической обработки полупроводников, об- разуя комплексную вакуумированную систему для последо- вательной многопозиционной обработки пластин Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.5. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства автоматических робототехнических систем обработки пластин, не предназначенных для работы в вакууме II.17.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения многокамер- ного центра обработки полупроводниковых пластин, указанного в пункте I.16.3.3. II.17.3.7. Конструкция и технология производства установок литогра- фии, снабженных программно-управляющим запоминающим уст- ройством II.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок много- кратного совмещения и экспонирования для обработки плас- тин методами фотооптической или рентгеновской литогра- фии, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны короче 400 нм; II.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40; II.17.3.7.1.3. точность совмещения +0,20 мкм (3 сигма) или лучше Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.7.1. не рас- пространяется на конструкцию и технологию производства установок многократного совмещения и экспонирования, имеющих длину волны источника освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше, диаметр изображения 22 мм и меньше II.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок, специ- ально спроектированных для производства масок или обра- ботки полупроводниковых приборов с использованием откло- няемого фокусируемого электронного пучка, ионного пучка или лазерного пучка, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм; II.17.3.7.2.2. способность производить структуру с минимальными раз- мерами менее 1 мкм; II.17.3.7.2.3. точность совмещения лучше +0,20 мкм (3 сигма) II.17.3.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения установок литографии, указанных в пунктах I.16.3.4.- I.16.3.4.2.3. II.17.3.9. Технология производства масок или фотошаблонов II.17.3.9.1. Технология производства масок или фотошаблонов для ин- тегральных схем, указанных в пунктах I.16.1.- I.16.1.1.8.2. II.17.3.9.2. Технология производства многослойных масок, оснащенных фазосдвигающим слоем II.17.3.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения масок или фотошаблонов, указанных в пунктах I.16.3.5.- I.16.3.5.2. II.17.3.11. Информация по способам оптимизации процессов совмещения скрытых локальных слоев и топологии интегральных схем с высокой точностью (лучше +0,20 мкм) II.17.3.12. Конструкция и технология производства испытательной аппаратуры, снабженной программно-управляющим запоминаю- щим устройством, специально спроектированной для испытания полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов: II.17.3.12.1. аппаратуры для замера параметров матрицы рассеяния на частотах свыше 31 ГГц; II.17.3.12.2. аппаратуры для испытания интегральных схем и их сборок, способной выполнять функциональное тестирова- ние (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк свыше 40 МГц Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.2. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытаний: сборок или класса сборок для бытовой электроники или развлечений; электронных компонентов, сборок или интегральных схем, не подлежащих экспортному контролю II.17.3.12.3. аппаратуры для испытания микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 31 ГГц; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.3. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытаний микроволновых интегральных схем, для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц II.17.3.12.4. электронно-лучевых систем, спроектированных для работы ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых систем для бескон- тактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющих одновременно стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробирова- нием и электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.4. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства сканирующих электронных микроскопов, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов II.17.3.13. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры испытаний полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов, указанных в пунктах I.16.3.6-I.16.3.6.4. II.17.3.14. Программное обеспечение систем автоматизированного про- ектирования (САПР) полупроводниковых приборов или интег- ральных схем, имеющее хотя бы один из следующих приз- наков: II.17.3.14.1. имеются правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; II.17.3.14.2. обеспечивается моделирование схем по их физической то- пологии; II.17.3.14.3. имеются имитаторы литографических процессов для проек- тирования Примечания: 1. Имитатор литографических процессов - это пакет прог- раммного обеспечения, используемый на этапе проек- тирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения с целью воплощения структур на фотошаблонах в конкретные топологические структуры проводников, диэлектриков или полупровод- ников 2. Экспортный контроль по пунктам II.17.3.14.- II.17.3.14.3. не распространяется на программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, рас- кладки и маршрутизации, создания магнитных лент для верификации топологии или формирования рисунка. Библиотеки, проектные атрибуты и сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология II.17.4. Конструкция и технология производства радиолокационных станций (РЛС), аппаратуры, узлов и специально разрабо- танных компонентов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.4.-II.17.4.20.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства: РЛС с активным ответом; автомобильных РЛС для предотвращения столкновений; дисплеев и мониторов, используемых для контроля воздушного движения, имеющих разрешение не более 12 элементов на мм II.17.4.1. Конструкция и технология производства РЛС, работающих на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеющих среднюю выходную мощность более 100 мВт II.17.4.2. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих перестраиваемую частоту в пределах более чем +6,25 % от центральной рабочей частоты II.17.4.3. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих воз- можность работать на двух или более несущих частотах II.17.4.4. Конструкция и технология производства РЛС воздушного базирования, имеющих возможность функционирования в ре- жимах синтезированной апертуры, обратной синтезированной апертуры или бокового обзора II.17.4.5. Конструкция и технология производства РЛС, включающих фазированные антенные решетки для электронного управле- ния лучом II.17.4.6. Конструкция и технология производства РЛС, обладающих способностью нахождения высотных одиночных целей Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.6. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппара- туры РЛС точной посадки, удовлетворяющей стандартам ИКАО, и метеорологических (погодных) РЛС II.17.4.7. Конструкция и технология производства РЛС, предназначен- ных специально для воздушного базирования и имеющих доп- леровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей II.17.4.8. Конструкция и технология производства РЛС, использующих обработку сигнала методами расширения спектра или пе- рестройки частоты II.17.4.9. Конструкция и технология производства РЛС, обеспечиваю- щих наземное функционирование с максимальной инструмен- тальной дальностью свыше 185 км Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.9. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства наземных РЛС наблюдения рыбных косяков II.17.4.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения РЛС, указанных в пунктах I.16.4.1.-I.16.4.9. II.17.4.11. Конструкция и технология производства лазерных локацион- ных станций или лазерных дальномеров (ЛИДАРов): II.17.4.11.1. имеющих космическое применение; II.17.4.11.2. использующих методы когерентного гетеродинного или го- модинного детектирования и имеющих угловое разрешение менее (лучше) 20 мкрад Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.4.11.-II.17.4.11.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства ЛИДАРов, специально спроектированных для метеорологических наблюдений II.17.4.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения лазерных локационных станций или лазерных дальномеров, указанных в пунктах I.16.4.10.-I.16.4.10.2. II.17.4.13. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих под- системы обработки сигнала в виде сжатия импульса с коэф- фициентом сжатия свыше 150 или шириной импульса менее 200 нс II.17.4.14. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих под- системы обработки данных: II.17.4.14.1. с автоматическим сопровождением целей, обеспечивающим при любом вращении антенны предполагаемое положение цели далее, чем до следующего прохождения луча ан- тенны; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства средств выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС II.17.4.14.2. с вычислением скорости цели относительно РЛС, имеющей непериодическое сканирование; II.17.4.14.3. для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (сигналов или образов) для идентификации или классификации целей; II.17.4.14.4. с наложением, корреляцией или слиянием данных цели от двух или более пространственно распределенных на мест- ности и взаимосвязанных датчиков РЛС для улучшения различения целей Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.4. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства сис- тем, оборудования и узлов для контроля морского движения II.17.4.15. Конструкция и технология производства импульсных РЛС из- мерения площади поперечного сечения с длительностью им- пульса 100 нс или менее и специальными компонентами II.17.4.16. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения РЛС, указанных в пунктах I.16.4.11.-I.16.4.13. II.17.4.17. Программное обеспечение для управления воздушным движе- нием на компьютерах общего назначения, находящихся в центрах управления воздушным движением и обладающих сле- дующими возможностями: II.17.4.17.1. обработка и отображение более чем 150 одновременных траекторий; II.17.4.17.2. прием РЛС информации о целях от более чем четырех пер- вичных РЛС; II.17.4.17.3. автоматическая обработка с передачей данных о целях от первичных РЛС (в случае отсутствия корреляции с инфор- мацией наблюдения РЛС с активным ответом) с одного центра управления воздушным движением на другой центр управления II.17.4.18. Конструкция и технология производства антенных фазиро- ванных решеток, функционирующих на частотах выше 10,5 ГГц, содержащих активные элементы и распределенные ком- поненты, позволяющие осуществлять электронное управление формой и направлением луча, за исключением систем посад- ки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам ИКАО (сис- тема посадки СВЧ-диапазона) II.17.4.19. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения антенных фазированных решеток, указанных в пункте I.16.4.14. II.17.4.20. Программное обеспечение для разработки или производства обтекателей, которые: II.17.4.20.1. специально разработаны для защиты фазированных решеток с электронной перестройкой луча, указанных в пункте I.16.4.14. II.17.4.20.2. ограничивают увеличение среднего уровня боковых ле- пестков менее чем на 13 дБ для частот равных или выше 2 ГГц II.17.5. Конструкция и технология производства телекоммуникацион- ной аппаратуры, узлов и компонентов II.17.5.1. Конструкция и технология производства телекоммуникацион- ного оборудования любого типа, имеющего хотя бы одну из перечисленных характеристик, свойств или качеств: II.17.5.1.1. специально разработанное для защиты от транзисторного эффекта или электромагнитного импульса, возникающих при ядерном взрыве; II.17.5.1.2. специально разработанное с повышенной стойкостью к гамма, нейтронному или ионному излучению; II.17.5.1.3. специально разработанное для функционирования за пре- о делами интервала температур от 219 К (-54 С) о до 397 К (124 С) Примечания: 1. Пункт II.17.5.1.3. применяется только в отношении конструкции и технологии производства электронной ап- паратуры 2. Пункты II.17.5.1.2. и II.17.5.1.3. не применяются в отношении конструкции и технологии производства бор- товой аппаратуры спутников II.17.5.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения телекоммуникационного оборудования, указан- ного в пунктах I.16.5.1.-I.16.5.1.3. II.17.6. Конструкция и технология производства телекоммуникацион- ной аппаратуры передачи или специально разработанных компонентов и вспомогательного оборудования, содержащих: II.17.6.1. аппаратуру, использующую цифровые методы, включая цифровую обработку аналоговых сигналов, разработанную для функционирования при скорости цифровой передачи на верхнем пределе уплотнения свыше 45 Мбит/с или общей скорости цифровой передачи свыше 90 Мбит/с; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.6.1. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппара- туры, специально разработанной для включения и функ- ционирования в любой спутниковой системе гражданского назначения II.17.6.2. аппаратуру цифровой коммутации со встроенным программным управлением и скоростью цифровой передачи свыше 8,5 Мбит/с на порт; II.17.6.3. аппаратуру, включающую: II.17.6.3.1. модемы, использующие полосу одного телефонного канала, со скоростью цифровой передачи свыше 9600 бит/с; II.17.6.3.2. контроллеры канала связи с цифровым выходом, имеющие скорость передачи свыше 64000 бит/с на канал; II.17.6.3.3. контроллеры доступа в сеть и связанную с ними общую среду со скоростью передачи свыше 33 Мбит/с; II.17.6.4. аппаратуру, использующую лазер и имеющую хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.6.4.1. длина волны излучения лазера свыше 1000 нм; II.17.6.4.2. использование аналоговых методов и полосы частот более 45 МГц; II.17.6.4.3. когерентная оптическая передача или когерентные методы оптического детектирования (также называемые оптичес- кими гетеродинными или гомодинными методами); II.17.6.4.4. использование методов уплотнения с разделением по длине волны; II.17.6.4.5. осуществление оптического усиления; II.17.6.5. радиоаппаратуру, функционирующую на частотах входного или выходного сигнала свыше: II.17.6.5.1. 31 ГГц для применения на наземных станциях систем спутниковой связи; II.17.6.5.2. 26,5 ГГц для других применений; Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.6.5.2. не распрос- траняется на конструкцию и технологию производства радиоаппаратуры, рассчитанной на гражданское применение, функционирующей в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в соответствии с рекомендациями Международного Союза Электросвязи II.17.6.6. радиоаппаратуру, использующую квадратурную амплитудную модуляцию выше уровня 4 или другие цифровые методы модуляции и имеющую спектральную эффективность свыше 3 бит/(с*Гц); Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.6.6. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально разработанной для включения и работы в любой спутниковой системе гражданского назначения II.17.6.7. радиоаппаратуру, функционирующую в диапазоне 1,5-87,5 МГц и имеющую какую-либо из указанных ниже характе- ристик: II.17.6.7.1. автоматические прогнозирование и выбор значений частот и общей скорости цифровой передачи для ее оптимизации; II.17.6.7.2. наличие линейного усилителя мощности, способного одновременно поддерживать множественные сигналы с выходной мощностью 1 кВт или более в частотном диапазоне 1,5-30 МГц, или 250 Вт или более в частотном диапазоне 30-87,5 МГц, свыше пределов мгновенной полосы одной октавы или более, с содержанием гармоник и искажений на выходе лучше 80 дБ; II.17.6.7.3. включающая адаптивные методы, обеспечивающие более чем 15 дБ подавления помехового сигнала; II.17.6.8. радиоаппаратуру, использующую расширение спектра или методы перестройки частоты, имеющую коды расширения, программируемые пользователем, или общую ширину полосы частот передачи в 100 или более раз превышающую полосу частот одного информационного канала и составляющую более чем 50 кГц; II.17.6.9. радиоприемники с цифровым управлением и более чем 1000 каналами, которые ищут или сканируют в части электро- магнитного спектра, идентифицируют принятый сигнал или тип передатчика и имеют время переключения частоты менее 1 мс; II.17.6.10. аппаратуру, обеспечивающую функцию цифровой обработки сигналов в виде: II.17.6.10.1. кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с; II.17.6.10.2. использования схем, обеспечивающих программируемость пользователем схем цифровой обработки сигналов, превы- шающих пределы, указанные в пункте I.16.9.7.; II.17.6.11. системы подводной связи, имеющие любую из следующих характеристик: II.17.6.11.1. использование акустической несущей частоты за преде- лами интервала от 20 до 60 кГц; II.17.6.11.2. использование электромагнитной несущей частоты ниже 30 кГц; II.17.6.11.3. использование методов электронного сканирования луча II.17.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения телекоммуникационной передающей аппаратуры, указанной в пунктах I.16.5.2.-I.16.5.2.11.3. II.17.8. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации с встроенным программным управлением и связанными системами сигналообразования, имеющей любую из приведен- ных ниже характеристик, функций или качеств, и специ- ально разработанные компоненты и вспомогательное обо- рудование II.17.8.1. Конструкция и технология производства систем сигналооб- разования общего канала, указанных в пункте I.16.5.3.1. II.17.8.2. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, выполняющей функции цифровых сетей интегрального обслуживания (ЦСИО), указанной в пунктах I.16.5.3.2.- I.16.5.3.2.2. II.17.8.3. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей многоуровневый приоритет и иерархию цепей коммутации, указанной в пункте I.16.5.3.3. II.17.8.4. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей адаптивную динамическую маршрутизацию, указанной в пункте I.16.5.3.4. II.17.8.5. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей маршрутизацию или коммутацию дейтограм- мных пакетов, указанной в пункте I.16.5.3.5. II.17.8.6. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, имеющей маршрутизацию или коммутацию пакетов быстрого выбора, указанной в пункте I.16.5.3.6. II.17.8.7. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, разработанной для автоматического вызова сотового радио к другим сотовым коммутаторам или для автоматичес- кого соединения абонентов с централизованной базой дан- ных, являющейся общей более чем для одного коммутатора, указанной в пункте I.16.5.3.7. II.17.8.8. Конструкция и технология производства коммутаторов паке- тов, каналов и маршрутизаторов, указанных в пунктах I.16.5.3.8.-I.16.5.3.8.2. II.17.8.9. Конструкция и технология производства аппаратуры оптической коммутации, указанной в пункте I.16.5.3.9. II.17.8.10. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, использующей методы асинхронного режима передачи, указанной в пункте I.16.5.3.10. II.17.8.11. Конструкция и технология производства аппаратуры комму- тации, содержащей оборудование цифровой кросс-коммутации со встроенным программным управлением со скоростью пере- дачи более 8,5 Мбит/с на порт, указанной в пункте I.16.5.3.11. II.17.9. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или применения аппаратуры коммутации, указанной в пунктах I.16.5.3.- I.16.5.3.11. II.17.10. Конструкция и технология производства комплекса аппара- туры централизованного управления сети, указанной в пункте I.16.5.4. II.17.11. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения комплекса аппаратуры централизованного управления сети, указанного в пункте I.16.5.4. II.17.12. Технология для разработки или производства телекоммуни- кационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников II.17.13. Конструкция и технология производства комплектов аппара- туры лазерной связи со способностью автоматического зах- вата, слежения сигнала и поддержания связи через атмо- сферу или подповерхностную среду (воду) II.17.14. Технология для производства аппаратуры, использующей ме- тоды синхронной цифровой иерархии или синхронной оптиче- ской сети II.17.15. Технология производства коммутационных центров со ско- ростью свыше 64 кбит/с на информационный канал, отличных от цифровых кросс-соединителей, встроенных в переключа- тель (коммутатор) II.17.16. Технология для централизованного управления сетью II.17.17. Технология производства цифровых сотовых радиосистем II.17.18. Технология для производства цифровых сетей интегрально- го обслуживания (ЦСИО) II.17.19. Общее программное обеспечение в отличной от машинно-ис- полняемой форме, специально разработанное или модифици- рованное для использования систем или оборудования циф- ровой коммутации с встроенным программным управлением II.17.20. Программное обеспечение в отличной от машинно-исполня- емой форме, специально разработанное или модифицирован- ное для использования оборудования или систем цифрового сотового радио II.17.21. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, указанных в пунктах I.16.5.- I.16.5.4. II.17.22. Программное обеспечение, обеспечивающее способность вос- становления программного кода телекоммуникационного про- граммного обеспечения, указанного в пунктах II.17.7.- II.17.21. II.17.23. Конструкция и технология производства систем аппаратуры, специальных узлов, модулей или интегральных схем для за- щиты информации и других специально разработанных компо- нентов II.17.23.1. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением цифровых ме- тодов обеспечения защиты информации II.17.23.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разра- ботанных для использования в криптографии, на которые распространяется экспортный контроль по пункту I.16.6.1. II.17.23.3. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для выполнения криптоаналитических функций II.17.23.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для выполнения криптоанали- тических функций II.17.23.5. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением аналоговых методов для обеспечения защиты информации, указанных в пункте I.16.6.3. II.17.23.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для использования в крип- тографии с применением аналоговых методов для обеспечения защиты информации, указанных в пункте I.16.6.3. II.17.23.7. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для подавления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.23.7. не распростра- няется на конструкцию и технологию производства аппа- ратуры специального подавления утечки излучений, вредных для здоровья или безопасности окружающих II.17.23.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для подавления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию, указанных в пункте I.16.6.4. II.17.23.9. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для применения криптографических методов генерации кода расширения спектра или перестройки частоты II.17.23.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для применения крипто- графических методов генерации кода расширения спектра или перестройки частоты II.17.23.11. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для обеспечения сертифицированной или подлежащей серти- фикации многоуровневой защиты или изоляции пользователя на уровне, превышающем класс В2 критерия оценки надежных компьютерных систем или эквивалентном ему уровне II.17.23.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разрабо- танных или модифицированных для обеспечения сертифи- цированной или подлежащей сертификации многоуровневой защиты или изоляции пользователя, на которые распростра- няется экспортный контроль по пункту I.16.6.6. II.17.23.13. Конструкция и технология производства кабельных систем связи, разработанных или модифицированных с использова- нием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа II.17.23.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения кабельных систем связи, указанные в пункте I.16.6.7. II.17.24. Программное обеспечение с характеристиками или выпол- няющее функции аппаратуры, указанной в пунктах I.16.6.1. -I.16.6.7. II.17.25. Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, указанного в пункте II.17.24. II.17.26. Программное обеспечение, разработанное или модифици- рованное для защиты против нанесения преднамеренного ущерба, например, вирусов II.17.27. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, спе- циально разработанных или приспособленных для решения задач криптографии и оснащенных оборудованием и програм- мными средствами для защиты информации II.17.28. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования цифровых ЭВМ, указанных в пункте I.16.7. II.17.29. Конструкция и технология производства гибридных ЭВМ, а также сборок и специально созданной для них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.-I.16.8.2. II.17.30. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гибридных ЭВМ, а также сборок и специально созданной для них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.-I.16.8.2. II.17.31. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, их сборок и сопутствующего оборудования, а также специально созданной для них элементной базы: II.17.31.1. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, а также сборок, спроектированных для комбинированного рас- познавания, понимания и интерпретации изображений или непрерывной (связной) речи II.17.31.2. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, а также сборок, указанных в пункте I.16.9.2, спроектиро- ванных или модифицированных для обеспечения отказо- устойчивости II.17.31.3. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, име- ющих совокупную теоретическую производительность (СТП) свыше 12,5 миллиона теоретических операций в секунду (мегатопсов) II.17.31.4. Конструкция и технология производства сборок цифровых ЭВМ, специально спроектированных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вы- числительных элементов, указанных в пунктах I.16.9.4.- I.16.9.4.2. II.17.31.5. Конструкция и технология производства накопителей на дисках и твердотельных приборов памяти II.17.31.5.1. Конструкция и технология производства накопителей на магнитных, перезаписываемых оптических или магнито- оптических дисках с максимальной скоростью передачи ин- формации, превышающей 25 Мбит/с II.17.31.5.2. Конструкция и технология производства твердотельных приборов памяти, не относящихся к оперативной памяти (известных также под названием твердотельных (жестких) дисков или дисков с произвольным доступом), с макси- мальной скоростью передачи информации, превышающей 36 Мбит/с II.17.31.6. Конструкция и технология производства устройств управ- ления вводом-выводом, спроектированных для применения с оборудованием, указанным в пунктах I.16.9.5.1.- I.16.9.5.2. II.17.31.7. Конструкция и технология производства аппаратуры для обработки сигналов или улучшения качества изображения, имеющей совокупную теоретическую производительность свы- ше 8,5 миллионов теоретических операций в секунду (мегатопсов) II.17.31.8. Конструкция и технология производства графических аксе- лераторов или графических сопроцессоров, превышающих скорость исчисления трехмерных векторов, равную 400000, а если аппаратно поддерживаются только двумерные век- тора, то превышающих скорость исчисления двумерных век- торов, равную 600000 Примечание Пункт II.29.31.8. не распространяется на конструкцию и технологию производства рабочих станций, созданных и ограниченных графическим искусством (например, полигра- фией, книгопечатанием) или отображением двумерных векторов II.17.31.9. Конструкция и технология производства цветных дисплеев или мониторов, имеющих более 12 разрешающих элементов на миллиметр в направлении максимальной плотности пикселей Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.31.9. не распрос- траняется на конструкцию и технологию производства дисплеев или мониторов, не спроектированных специально для ЭВМ II.17.31.10. Конструкция и технология производства аппаратуры, содер- жащей в своем составе терминальный интерфейс, превосхо- дящий пределы, установленные пунктом I.16.5.2.3. и на которую распространяется экспортный контроль по пункту I.16.9.10. II.17.32. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения цифровых ЭВМ, сборок и сопутствующего оборудования, указанных в пунктах I.16.9.-I.16.9.10. II.17.33. Конструкция и технология производства вычислительных ма- шин и специально спроектированного сопутствующего обору- дования, их сборок и элементной базы II.17.33.1. Конструкция и технология производства систолических мат- ричных вычислительных машин II.17.33.2. Конструкция и технология производства нейронных вычисли- тельных машин II.17.33.3. Конструкция и технология производства оптических вычис- лительных машин II.17.34. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования вычислительных машин и специально спроек- тированного сопутствующего оборудования, указанных в пунктах I.16.10.-I.16.10.3. II.17.35. Технология производства оборудования, спроектированного для многопоточной обработки данных II.17.36. Технология производства накопителей на жестких магнитных дисках с максимальной скоростью передачи информации свыше 11 Мбит/с II.17.37. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, на которую распространяется экспортный контроль по пунктам II.17.35. и II.17.36. II.17.38. Специальное программное обеспечение: II.17.38.1. Программное обеспечение для доказательства корректности программы и испытания качества с применением математи- ческих и аналитических методов, разработанное или мо- дифицированное под программы, имеющие свыше 500000 ко- манд в исходных кодах II.17.38.2. Программное обеспечение, позволяющее автоматически гене- рировать исходные коды по данным, поступающим в режиме "он-лайн" с внешних датчиков, описанных в позициях дан- ного перечня II.17.38.3. Программное обеспечение операционных систем, инструмен- тарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально спроектированные для оборудования многопоточ- ной обработки данных в исходных кодах II.17.38.4. Экспертные системы или программное обеспечение для меха- низмов логического вывода экспертных систем, обладающие обоими признаками одновременно: правилами, зависящими от времени; примитивами для работы с временными характеристиками правил и факторов II.17.38.5. Операционные системы, специально спроектированные для оборудования обработки информации в реальном масштабе времени, гарантирующие полное время обработки прерывания меньше чем за 30 мкс _____________ Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Ноябрь
|