|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 04.02.1994 № 81ектированное сопутствующее оборудование, их сборки и элементная база I.16.10.1. Систолические матричные вычислительные 8471 машины I.16.10.2. Нейронные вычислительные машины 8471 I.16.10.3. Оптические вычислительные машины 8471 Часть II. Технологии и научно-техническая информация ------------------------------------------------------------------------------- Номер ¦ позиции ¦ Наименование ¦ ------------------------------------------------------------------------------- Раздел II.1. Металлические материалы II.1.1. Технология производства алюминидов никеля или титана в виде сырья или полуфабрикатов: II.1.1.1. алюминидов никеля с содержанием алюминия 10 или более процентов (по массе); II.1.1.2. алюминидов титана с содержанием алюминия 12 или более процентов (по массе) II.1.2. Технология производства металлических сплавов методом порошковой металлургии или вводимых гранул материалов, указанных в пунктах I.1.8.-I.1.8.5., включая: II.1.2.1. никелевые сплавы: II.1.2.1.1. с пределом длительной прочности 550 МПа (55 кгс/кв.мм) о при температуре 923 К (650 С) за 10000 ч и более; II.1.2.1.2. с малоцикловой выносливостью при максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов о и более при температуре 823 К (550 С) II.1.2.2. ниобиевые сплавы: II.1.2.2.1. с пределом длительной прочности 400 МПа (40 кгс/кв.мм) о при температуре 1073 К (800 С) за 10000 ч и более; II.1.2.2.2. с малоцикловой выносливостью при максимальном напряже- нии 700 МПа (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и о более при температуре 973 (700 С) II.1.2.3. титановые сплавы: II.1.2.3.1. с пределом длительной прочности 200 МПа (20 кгс/кв.мм) о при температуре 723 К (450 С) за 10000 ч и более; II.1.2.3.2. с малоцикловой выносливостью при максимальном напряже- нии 400 МПа (40 кгс/кв.мм) на базе 10000 циклов и о более при температуре 723 (450 С) II.1.2.4. алюминиевые сплавы с пределом длительной прочности: II.1.2.4.1. 240 МПа (24 кгс/кв.мм) и более при температуре 473 К о (200 С); II.1.2.4.2. 415 МПа (41,5 кгс/кв.мм) и более при температуре о 298 К (25 С); II.1.2.5. магниевые сплавы с пределом длительной прочности 240 МПа (24 кгс/кв.мм) и более и скоростью коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном растворе хлорида натрия II.1.3. Технология производства титановых сплавов (в том числе вторичных) с пределом длительной прочности свыше 1200 МПа (120 кгс/кв.мм) и пределом ползучести свыше 150 МПа о (15 кгс/кв.мм) при температуре 873 К (600 С) II.1.4. Технологии производства алюминий-литиевых сплавов (в том числе содержащих скандий) с содержанием лития более 6 %, скандия более 3 %, а именно: II.1.4.1. системы алюминий-магний-литий (скандий), обладающие в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2,47 г/куб.см; модулем упругости более 78000 МПа (7800 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 19 км; II.1.4.2. системы алюминий-медь-магний-литий (скандий), обладаю- щие в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2,56 г/куб.см; модулем упругости более 80000 МПа (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 19 км; II.1.4.3. системы алюминий-медь-литий (скандий), обладающие в совокупности следующими характеристиками: плотностью менее 2,6 г/куб.см; модулем упругости более 80000 МПа (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 22 км; II.1.4.4. системы алюминий-литий (скандий), обладающие в сово- купности следующими характеристиками: плотностью менее 2,4 г/куб.см; модулем упругости более 80000 МПа (8000 кгс/кв.мм); удельной прочностью более 20 км II.1.5. Технология производства деформируемых магниевых сплавов (в том числе гранулированных) с пределом длительной прочности более 350 МПа (35 кгс/кв.мм) II.1.6. Технология производства литейных магниевых сплавов с пределом длительной прочности более 280 МПа (28 кгс/кв.мм) при рабочей температуре более 523 К о (250 С) II.1.7. Технология производства урано-титановых сплавов или вольфрамовых сплавов с матрицей на основе железа, ни- келя или меди: с плотностью свыше 17,5 г/куб.см; с пределом упругости свыше 1250 МПа; с пределом прочности на разрыв более 1270 МПа; с относительным удлинением свыше 8 % II.1.8. Технология производства порошков металлических сплавов или вводимых гранул для материалов, указанных в пунктах I.1.1.-I.1.2.5., получаемых в контролируемой среде посредством одного из нижеследующих процессов: распылением в вакууме; газоструйным распылением; центробежным распылением; спиннингованием; расплавлением с вращением и кристаллизацией; экстракцией расплава; механическим легированием и изготовленных из любой системы: II.1.8.1. никелевых сплавов (Ни-Ал-Ь, Ни-Ь-Ал), предназначенных для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. с менее чем тремя неметаллическими частицами (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 10 частицах сплава; II.1.8.2. ниобиевых сплавов (Нб-Ал-Ь или Нб-Ь-Ал, Нб-Си-Ь или Нб-Ь-Си,Нб-Ти-Ь или Нб-Ь-Ти); II.1.8.3. титановых сплавов (Ти-Ал-Ь или Ти-Ь-Ал); II.1.8.4. алюминиевых сплавов (Ал-Мг-Ь или Ал-Ь-Мг, Ал-Зн-Ь или Ал-Ь-Зн, Ал-Фе-Ь или Ал-Ь-Фе); II.1.8.5. магниевых сплавов (Мг-Ал-Ь или Мг-Ь-Ал) Примечание Х служит показателем равенства содержания в сплаве одного или более составляющих элементов (примесей) II.1.9. Технология производства сплавленных материалов в виде неизмельченных гранул, стружки или тонких стержней, из- готовляемых в контролируемой среде методом спиннин- гования, расплавления с вращением или экстракцией расплава, используемых при производстве порошка для ме- таллических сплавов или вводимых гранул, указанных в пунктах I.1.8.-I.1.8.5. II.1.10. Технология производства магнитных материалов всех типов и любой формы II.1.10.1. Технология производства магнитных материалов с начальной относительной проницаемостью 120000 или более и толщиной 0,05 мм или менее II.1.10.2. Технология производства магнитострикционных сплавов: II.1.10.2.1. с магнитострикционным насыщением более 5*10-4; II.1.10.2.2. с коэффициентом магнитомеханического сцепления более 0,8 II.1.10.3. Технология производства магнитного сплава в виде аморф- ной стружки с составом минимум 75 % (по массе) железа, кобальта или никеля, магнитной индукцией насыщения не менее 1,6 Т, толщиной стружки не более 0,02 мм и удельным электрическим сопротивлением не менее 2*10-4 Ом/см Раздел II.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и нити, каучуки и изделия из них II.2.1. Технология производства полимерных веществ II.2.1.1. Технология производства бисмалеимида II.2.1.2. Технология производства ароматических полиимидных о материалов с термостойкостью выше 723 К (450 С) II.2.1.3. Технология производства ароматических полихиноксалинов и материалов на их основе II.2.1.4. Технология производства ароматических полиэфиримидов, о имеющих температуру стеклования более 503 К (230 С) II.2.1.5. Технология производства ароматических полиамидов Примечание Технологии производства неплавких порошков для формо- образования под давлением или подготовки форм из мате- риалов, указанных в пунктах II.2.1.1., II.2.1.3., II.2.1.5., II.2.1.6., II.2.1.13., экспортному контролю не подлежат II.2.1.6. Технология производства изделий из нефторированных полимерных веществ, указанных в пунктах I.2.1.5.- I.2.1.10., I.2.1.13., в виде пленки, листа, ленты или полосы: II.2.1.6.1. при толщине свыше 0,254 мм; II.2.1.6.2. покрытых углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами II.2.1.7. Технология производства термопластических жидкокристал- лических сополимеров, имеющих температуру тепловой де- о формации более 523 К (250 С), измеренную при нагрузке 1,82 Н/кв.мм, и образованных сочетанием: пара-фенилена, пара-пара'-бифенилена или 2,6 нафтали- на; метила, третичного бутила или фенил-замещенного фени- лена, бифенилена или нафталина с любой из следующих кислот: терефталевой кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 4-гидроксибензойной кислотой II.2.1.8. Технология производства полиариленовых эфирных кетонов: II.2.1.8.1. полиэфироэфирокетона (ПЭЭК); II.2.1.8.2. полиэфирокетон-кетона (ПЭКК); II.2.1.8.3. полиэфирокетона (ПЭК); II.2.1.8.4. полиэфирокетон эфирокетон-кетона (ПЭКЭКК) II.2.1.9. Технология производства полиариленовых кетонов II.2.1.10. Технология производства полиариленовых сульфидов, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифени- лен или их комбинации II.2.1.11. Технология производства полибифениленэфирсульфона II.2.1.12. Технология производства материалов-полуфабрикатов (т.е. полимерных или металлоорганических материалов специали- зированного назначения): II.2.1.12.1. полидиорганосиланов (для производства карбида крем- ния); II.2.1.12.2. полисилазанов (для производства нитрида кремния); II.2.1.12.3. поликарбосилазанов (для производства керамики с крем- ниевыми, углеродными или азотными компонентами) II.2.1.13. Технология производства полибензотиазолов или полибен- зоксозолов II.2.2. Технология производства фторсодержащих веществ II.2.2.1. Технология производства необработанных соединений фтора: II.2.2.1.1. сополимеров винилиденфторида, содержащих 75 % или бо- лее бета-кристаллической структуры, полученной без вы- тягивания; II.2.2.1.2. фтористых полиимидов, содержащих 30 % или более свя- занного фтора; II.2.2.1.3. фтористых фосфазеновых эластомеров, содержащих 30 % или более связанного фтора II.2.2.2. Технология производства фтористых эластомерных соеди- нений, содержащих по крайней мере один дивинилэфирный мономер II.2.2.3. Технология производства уплотнений, прокладок, седел клапанов, трубчатых уплотнений или диафрагм из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один виниловый мономер, специально предназначенных для авиационной и аэрокосмической техники, и указанных в пункте I.2.2.3. II.2.2.4. Технология производства пьезоэлектрических полимеров и сополимеров, изготовленных из фтористого винилидена в виде пленки или листа толщиной более 200 мкм II.2.3. Технология производства электропроводных полимерных материалов с удельной электрической проводимостью свыше 10 сименс/м или поверхностным сопротивлением менее 10 Ом/кв.м, выполненных на основе следующих полимеров: II.2.3.1. полианилина; II.2.3.2. полипиррола; II.2.3.3. политиофена; II.2.3.4. полифенилен-винилена; II.2.3.5. политиофинилен-винилена II.2.3.6. Технологии для нанесения, эксплуатации или восстановле- ния (ремонта) материалов, указанных в пунктах I.2.3.- I.2.3.5. II.2.4. Технология производства ароматических полиамидных воло- кон II.2.5. Технология производства волокнистых или нитевидных мате- риалов на основе: II.2.5.1. полиэфиримидов, указанных в пункте I.2.1.13. II.2.5.2. материалов, указанных в пунктах I.2.1.15.-I.2.1.19. II.2.6. Технология производства фторсилоксановых каучуков, рабо- о тоспособных при температурах ниже 213 К (-60 С) и о выше 473 К (200 С) II.2.7. Технология производства герметиков на основе жидкого тиокола, работоспособных при температурах ниже 213 К о о (-60 С) и выше 423 К (150 С) II.2.8. Технология производства кремнийорганических герметиков, работоспособных при температурах ниже 213 К о о (-60 С) и выше 523 К (250 С) II.2.9. Технология производства органических полимерных фотопри- емников для пространственно-временных модуляторов света II.2.10. Технология производства дипараксилилена (мономера Д-2) Раздел II.3. Композиционные и керамические материалы II.3.1. Технологии производства материалов на керамической ос- нове, некомпозиционных керамических материалов, мате- риалов типа "композит" с керамической матрицей, а также их полуфабрикатов: II.3.1.1. основных материалов из простых или сложных боридов титана, имеющих металлические примеси (кроме специаль- ных добавок) на уровне менее 5000 частиц на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньшем 5 мкм (при этом не более 10 % частиц размером более 10 мкм); II.3.1.2. некомпозиционных керамических материалов в виде сырых полуфабрикатов (кроме абразивов) на основе боридов титана с плотностью 98 % или более от теоретического значения II.3.1.3. Технологии для восстановления композиционных структур, слоистых структур или материалов, указанных в пунктах I.3.3.-I.3.3.2. II.3.2. Технология производства трехмерно-армированных углерод- углеродных материалов типа КИМФ с повышенной эрозионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы о менее 3 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше II.3.3. Технология производства объемно-армированных углерод- углеродных материалов типа "ЗАРЯ", с повышенной эрозион- ной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы о менее 0,05 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше II.3.4. Технология производства жаростойких углеродных материа- о лов на рабочие температуры более 2025 К (1750 С) с пределом прочности более 300 МПа (30 кгс/кв.мм) (для применения в углерод-углеродных материалах) и более 200 МПа (20 кгс/кв.мм) (для применения в углерод-керамических материалах) II.3.5. Технология производства теплоизоляционных термостабиль- ных (десятки тысяч часов в диапазоне температур до 1025 о К (750 С) экологически чистых материалов типа КГ-3 на основе графита с плотностью 0,2 г/куб.см и коэффициентом теплопроводности 0,1 Вт/(м*К) II.3.6. Базовые материалы или некомпозиционные керамические ма- териалы II.3.6.1. Технология производства базовых материалов с суммарными металлическими примесями (включая вносимые преднамерен- но) менее чем 1000 частей на миллион для комплексных со- единений и единичных карбидов, 5000 частей на миллион для комплексных соединений или единичных нитридов, сред- ним размером частиц, равным или менее 5 мкм, и не более чем 10 % частиц с размерами более 10 мкм, содержащих пластинки с отношением длины к толщине, превышающим значение 5, короткие стержни (усы) с отношением длины к диаметру более 10 для диаметров стержней менее чем 2 мкм и длинные или рубленные волокна с диаметром меньшим 10 мкм, из следующих материалов: II.3.6.1.1. единичных или комплексных оксидов циркония и комплекс- ных оксидов кремния или алюминия; II.3.6.1.2. единичных нитридов бора (с кубическими формами крис- таллов); II.3.6.1.3. единичных или комплексных карбидов кремния или бора; II.3.6.1.4. единичных или комплексных нитридов кремния Примечание Для циркония представленные выше пределы размеров час- тиц соответствуют 1 мкм и 5 мкм соответственно II.3.6.2. Технология производства некомпозитных керамических мате- риалов (кроме абразивов), указанных в пунктах II.3.6.1.- II.3.6.1.4. II.3.7. Технология производства пенопласта с микросферами для применения под водой на морских глубинах более 1000 м и с плотностью менее 561 кг/куб.м II.3.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения пенопласта с микросферами для применения под водой на морских глубинах более 1000 м и плотностью менее 561 кг/куб.м Раздел II.4. Жидкости и смазочные материалы II.4.1. Технология производства гидравлических жидкостей, содер- жащих в качестве основных составляющих любые из следую- щих веществ или материалов: II.4.1.1. синтетические углеводородные масла или кремний-угле- водородные масла с точкой возгорания свыше 477 К о о (204 С), точкой застывания 239 К (-34 С) или ниже, коэффициентом вязкости 75 или более, о термостабильностью при 616 К (343 С); Примечание Указанные в пункте II.4.1.1. кремний-углеводородные мас- ла содержат исключительно кремний, водород и углерод II.4.1.2. хлоро-фторуглероды с температурой самовоспламенения о свыше 977 К (704 С), точкой застывания 219 К о (-54 С), коэффициентом вязкости 80 или более и о точкой кипения 473 К (200 С) или более Примечание Указанные в пункте II.4.1.2. хлоро-фторуглероды содер- жат исключительно хлор, фтор и углерод II.4.2. Технология производства смазочных материалов, содержащих в качестве основных составляющих следующие вещества и материалы: II.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или смесей; II.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие жидкости, характери- зуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв.мм/с о (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25 С) II.4.3. Технология производства увлажняющих или флотирующих жидкостей с показателем чистоты более 99,8 %, содержащих менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленных по меньшей мере на 85 % из следующих веществ и материалов: II.4.3.1. дибромтетрафторэтана; II.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воско- образные модификации); II.4.3.3. полибромтрифторэтилена Раздел II.5. Фармацевтические препараты II.5.1. Технология производства полианатоксинов II.5.2. Технология производства вакцины инактивированной, кон- центрированной, очищенной для профилактики венесуэльс- кого энцефаломиелита на основе оригинального штамма СМ-27 II.5.3. Технология производства дивакцины инактивированной, культуральной, очищенной для профилактики восточного и западного энцефаломиелита лошадей II.5.4. Технология производства препаратов группы холинэстераз для определения фосфорорганических ОВ и информация по использованию препаратов II.5.5. Технология получения и использования иммуноглобулинов полигрупповых люминесцирующих риккетсиозных, позволяющих проводить индикацию риккетсий группы сыпного тифа, клещевой пятнистой лихорадки и ку-риккетсиоза при иммунофлуоресцентном анализе II.5.6. Диагностикум, технология получения и использования культурального, поливалентного диагностикума геморраги- ческой лихорадки с почечным синдромом для непрямого метода иммунофлуоресценции II.5.7. Гибридомная технология получения иммунодиагностикума моноклонального люминесцирующего к вирусу клещевого эн- цефалита и информация об использовании диагностикума Раздел II.6. Токсичные вещества II.6.1. Информация о синтезе и оценке физико-химических токси- кологических характеристик нейротоксикантов особо высокой токсичности со средней летальной дозой менее 0,1 мг/кг в целях поиска нейротоксикантов высокой эффек- тивности Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики II.7.1. Технология изготовления и нанесения радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с коэффициентом отражения ме- о нее 15 % при температуре до 623 К (350 С) II.7.2. Технология производства многослойных структур кадмий- ртуть-теллур (КРТ) с использованием вакуумного синтеза II.7.3. Технологии производства материалов для оптических датчи- ков: II.7.3.1. Технология производства элементарного теллура (Те) чис- тотой, равной или более 99,9995 % II.7.3.2. Технология производства монокристаллов теллурида кадмия (ЦдТе) любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины II.7.3.3. Технология производства заготовок оптических волокон, специально предназначенных для производства волокон с высоким двулучепреломлением, использующихся в оптоволо- конных датчиках, указанных в пунктах I.12.2.4.3.- I.12.2.4.3.2. II.7.4. Технологии производства оптических материалов: II.7.4.1. Технология производства селенида цинка (ЗнСе) и сульфида цинка (ЗнС) в виде пластин-подложек, изготовляемых в процессе химического осаждения паров, объемом более 100 куб.см или диаметром более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм II.7.4.2. Технологии производства слитков следующих электрооп- тических материалов: II.7.4.2.1. арсенида титаната калия (КТА); II.7.4.2.2. смешанного селенида серебра и галлия (АгГаСе2); II.7.4.2.3. смешанного селенида таллия и мышьяка (Тл3АсСе3), также известного как ТАС II.7.4.3. Технология производства нелинейных оптических материа- лов, имеющих восприимчивость третьего порядка (3), рав- ную или меньшую 1 Вт/кв.м, время отклика менее 1 мс II.7.4.4. Технология производства пластинчатых подложек карбида кремния или осажденных материалов бериллия/бериллия (Бе/Бе ) свыше 300 мм в диаметре или длины наибольшей оси II.7.4.5. Технологии производства материалов с малым оптическим поглощением: II.7.4.5.1. Технология производства сложных соединений фтора, содер- жащих ингредиенты с чистотой 99,999 % или более Примечание Пункт II.7.4.5.1. распространяется только на технологию производства фторидов циркония или алюминия и подобных соединений II.7.4.5.2. Технология производства объемных фторсодержащих стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2. II.7.4.6. Технология производства стекол, содержащих расплавы кремния, стекол из фосфатов, фторфосфатов, фторида цир- кония (ЗрФ4) и фторида гафния (ХфФ4) с концентрацией гидроксильных ионов (ОН-) менее 5 промилле, интегральными уровнями чистоты металлов менее 1 промилле, высокой однородностью (вариацией показателя преломления менее 5*10-6) II.7.4.7. Технология производства синтетического алмазного мате- риала с поглощением менее 10-5см на длине волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм II.7.4.8. Технология производства оптоволоконных заготовок, изго- товленных из объемных соединений фторидов, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999 % или лучше, специально разработанных для производства фторидных волокон, указанных в пункте I.12.5.4. II.7.5. Технологии производства материалов для кристаллических основ лазеров: II.7.5.1. сапфира с имплантированным титаном; II.7.5.2. александрита II.7.6. Технологии производства материалов резистов и подложек, покрытых резистами: II.7.6.1. Технология производства позитивных резистов со спект- ральной чувствительностью, оптимизированной на излуче- ние менее 370 нм II.7.6.2. Технология производства всех резистов, используемых для экспонирования электронными или ионными пучками, с чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв.мм II.7.6.3. Технология производства всех резистов, используемых для экспонирования рентгеновскими лучами, с чувствитель- ностью не хуже 2,5 мДж/кв.мм II.7.6.4. Технология производства всех резистов, оптимизированных под технологию формирования рисунка, включая силициро- ванные резисты II.7.7. Технология производства металл-органических соединений алюминия, галлия или индия, имеющих чистоту (металли- ческой основы) более 99,999 % II.7.8. Технология производства гидридов фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющих чистоту более 99,999 % даже после раз- бавления нейтральными газами Примечание Технология производства гидридов, содержащих 20 и более мольных процентов инертных газов или водорода, не подле- жит экспортному контролю согласно пункту II.7.8. II.7.9. Технология производства заготовок стекла или любых дру- гих материалов, оптимизированных для производства опти- ческих волокон, указанных в пункте I.12.5. II.7.10. Технология нанесения покрытий на оптические волокна, специально предназначенные для подводного применения Раздел II.8. Электротехника и энергетика II.8.1. Технология производства сверхпроводящих композитных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г: II.8.1.1. Технология производства многожильных сверхпроводящих композитных материалов, содержащих одну ниобиевую нить или более: II.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на основе медь- содержащего материала; II.8.1.1.2. с площадью поперечного сечения менее 0,28*10-4кв.мм (6 мкм в диаметре в случае нитей круглого сечения) II.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих композитных ма- териалов не из ниобий-титана, состоящих из одной или более сверхпроводящих нитей: с критической температурой при нулевой магнитной ин- о дукции, превышающей 9,85 К (-263,31 С), но не ниже о 24 К (-249,16 С); с площадью поперечного сечения менее 0,28*10-4 кв.мм; которые остаются в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 К о (-268,96 С), находясь в магнитном поле с магнитной индукцией 12 Т II.8.2. Информация о результатах исследований и разработок высо- котемпературных сверхпроводников с критическим магнитным полем, с магнитной индукцией более 150 Т и критическим током более 1000 МА/кв.м при температуре 77 К о (-196 С) для техники магнитного ускорения объектов II.8.3. Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе формирующих линий с мощностью, превышающей 100 ТВт при энергии, превышающей 5 МДж II.8.4. Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе униполярных генераторов, предназначенных для медленного отбора мощности (более 1 с) с запасом энергии более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее 1 мс) с запасом энергии 1 МДж II.8.5. Конструкция и технология производства батарей Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства батарей с объемом 26 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы), ука- занных в пунктах II.8.5.-II.8.5.3. II.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных элемен- тов и батарей с плотностью энергии выше 350 Вт*ч/кг, пригодных по техническим условиям для работы в диапазоне о температур от 243 К (-30 С) и ниже до 343 К о (70 С) и выше II.8.5.2. Конструкция и технология производства подзаряжаемых эле- ментов и батарей с плотностью энергии свыше 150 Вт*ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (здесь С - номинальная емкость в А*ч), и при рабо- о те в диапазоне температур от 253 К (-20 С) и ниже о до 333 К (60 С) и выше II.8.5.3. Конструкция и технология производства радиационно- стойких батарей на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей тем- о пературе 301 К (28 С) и вольфрамовом источнике, о нагретом до 2800 К (2527 С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м, пригодных по техническим условиям для космического применения II.8.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования батарей, указанных в пунктах I.7.2.- I.7.2.3. II.8.6. Конструкция и технология производства накопителей энер- гии II.8.6.1. Конструкция и технология производства накопителей энер- гии с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовых нако- пителей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не менее 25 кДж II.8.6.2. Конструкция и технология производства накопителей энер- гии с частотой повторения менее 10 Гц и больше (много- разовых накопителей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 50 Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж и количество циклов заряда-раз- ряда не менее 10000 II.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или систем для накопления электромагнитной энергии, содержащих ком- поненты из сверхпроводящих материалов, специально спро- ектированных для работы при температурах ниже критичес- кой температуры с хотя бы одной из сверхпроводящих со- ставляющих, имеющих рабочие резонансные частоты свыше 1 МГц, плотность запасаемой энергии не менее 1 МДж/куб.м и время разряда менее 1 мс II.8.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования накопителей энергии, указанных в пунктах I.7.3.-I.7.3.3. II.8.7. Конструкция и технология производства сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, специально спроектиро- ванных на полный заряд или разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную энергию в разряде, деленную на дли- тельность разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр токопроводящих обмоток свыше 250 мм и номинальную маг- нитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв.мм Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, специально спроектированных для медицин- ской аппаратуры магниторезонансной томографии II.8.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования сверхпроводящих электромагнитов или соле- ноидов, указанных в пункте I.7.4. II.8.8. Конструкция и технология производства рентгеновских систем с короткоимпульсным разрядом, имеющих пиковую мощность, превышающую 500 МВт, выходное напряжение, превышающее 500 кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс II.8.8.1. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования рентгеновских систем с короткоимпульсным разрядом, указанных в пункте I.7.5. II.8.9. Информация о конструкторских решениях, технологиях, ма- териалах, основных узлах и системах бортовых ядерных электроэнергоустановок, позволяющая осуществить непос- редственное воспроизведение или способствующая ускорению реализации подобных проектов II.8.10. Информация о конструкционных и технологических решениях, позволяющих создать короткоимпульсные электронные и протонные ускорители с энергией более 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали II.9.1. Конструкция и технология производства антифрикционных подшипников или систем подшипников и их компонентов Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства шарикоподшипников с допусками, устанавливаемыми производителями в соответствии со стан- дартом ИСО 3290 класс 5 или хуже II.9.1.1. Конструкция и технология производства шариковых или роликовых подшипников (кроме конических роликовых под- шипников), имеющих допуски, устанавливаемые производи- телем в соответствии со стандартом ИСО, имеющих любую из следующих характеристик: II.9.1.1.1. кольца, шарики или ролики из медно-никелевого сплава или бериллия; II.9.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих температурах о выше 573 К (300 С) либо с применением специальных материалов или специальной тепловой обработки; II.9.1.1.3. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим этот элемент, который в соответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106 II.9.1.2. Конструкция и технология производства других шариковых или роликовых подшипников (кроме конических роликовых подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые произво- дителем в соответствии со стандартом ИСО класс 2 или лучше (или национальными эквивалентами) II.9.1.3. Конструкция и технология производства конических ролико- вых подшипников, имеющих любую из следующих характерис- тик: II.9.1.3.1. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим этот элемент, который в соответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106; II.9.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих температурах о о ниже 219 К (-54 С) или выше 423 К (150 С) II.9.1.4. Конструкция и технология производства тонкостенных под- шипников с газовой смазкой, изготовленных для применения о при рабочих температурах 561 К (288 С) или выше, и со способностью выдерживать единичную нагрузку, превышающую 1 МПа II.9.1.5. Конструкция и технология производства активных магнитных подшипниковых систем II.9.1.6. Конструкция и технология производства серийно изго- тавливаемых самоцентрирующихся или серийно изготав- ливаемых и устанавливаемых на шейку вала подшипников скольжения, изготовленных для использования при рабочих о температурах ниже 219 К (-54 С) или выше 423 К о (150 С) II.9.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства подшипников, указанных в пунктах I.8.1.-I.8.1.6. Раздел II.10. Обработка материалов II.10.1. Производственные процессы металлообработки II.10.1.1. Технологии проектирования станков (инструмента), пресс- форм или зажимных приспособлений, специально спроектиро- ванных для следующих процессов: II.10.1.1.1. сверхпластичного деформирования; II.10.1.1.2. термодиффузионного сращивания; II.10.1.1.3. гидравлического прессования прямого действия II.10.1.2. Технические данные, включающие параметры или методы реа- лизации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления: II.10.1.2.1. сверхпластичным деформированием алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов, включая: подготовку поверхности; степень деформации; температуру; давление; Примечание К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля, кобальта или железа, сохраняющие высокую прочность при о температурах свыше 922 К (649 С) в тяжелых условиях функционирования и окружающей среды II.10.1.2.2. термодиффузионным сращиванием суперсплавов или титановых сплавов, включая: подготовку поверхности; температуру; давление II.10.1.2.3. гидравлическим прессованием прямого действия алюминиевых или титановых сплавов, включая: давление; время цикла II.10.1.2.4. горячей изостатической деформацией титановых, алюминиевых сплавов и суперсплавов, включая: температуру; давление; время цикла II.10.2. Конструкция и технология производства гидравлических вы- тяжных формовочных машин и матриц для изготовления лег- ких корпусных конструкций II.10.3. Конструкция и технология производства универсальных станков (без программного управления) для получения оп- тически качественных поверхностей: II.10.3.1. токарных станков, использующих единственную точку фрезерования и обладающих всеми нижеследующими характеристиками: точность положения суппорта меньше (лучше) чем 0,0005 мм на 300 мм перемещения; повторяемость двунаправленного положения суппорта меньше (лучше) чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения; биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания; угловая девиация движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении; перпендикулярность суппорта меньше (лучше) чем 0,001 мм на 300 мм перемещения; II.10.3.2. станков с летучей фрезой, имеющих биение и эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания и угловую девиацию движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении II.10.4. Конструкция и технология производства станков с ЧПУ или станков с ручным управлением, включая специально спроек- тированные компоненты, элементы управления и приспособ- ления для них, специально спроектированных для фрезеро- вания, финишной обработки, полирования или хонингования закаленных (Рц= 40 или более) конических или цилиндрических шестерен в соответствии с пунктами 1.9.3.-I.9.3.2 II.10.5. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства и применения программно-управляемых станков, указанных в пунктах I.9.3.-I.9.3.2. II.10.6. Конструкция и технология производства оборудования, спе- циально спроектированного для реализации процесса и управления процессом нанесения неорганических покрытий, защитных слоев и поверхностного модифицирования, а также специально спроектированных средств автоматизированного регулирования, установок, манипуляторов и компонентов управления II.10.6.1. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для нанесения твердого покрытия из парообразных химических соединений, указанных в пункте I.9.4.1. II.10.6.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для нанесения покрытия из парообразных химических соединений, указан- ных в пункте I.9.4.1. II.10.6.3. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для ионной имплантации, указанных в пункте I.9.4.2. II.10.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для ионной имплан- тации, указанных в пункте I.9.4.2. II.10.6.5. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством электронно- лучевых установок для нанесения покрытий методом физи- ческого осаждения паров, указанных в пункте I.9.4.3. II.10.6.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения электронно-лучевых установок для нанесения покрытий методом физического осаждения паров, указанных в пункте I.9.4.3. II.10.6.7. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для плазменного напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.-I.9.4.4.2. II.10.6.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для плазменного напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.-I.9.4.4.2. II.10.6.9. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для металлизации напылением, способ- ных обеспечить плотность тока 0,1 мА/мм или более с производительностью напыления 15 мкм в час или более II.10.6.10. Программное обеспечение, специально созданное или моди- фицированное для разработки, производства или применения производственных установок металлизации напылением, ука- занных в пункте I.9.4.5. II.10.6.11. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для катодно-дугового напыления, вклю- чающих систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде II.10.6.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для катодно-ду- гового напыления, указанного в пункте I.9.4.6. II.10.6.13. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемым запоминающим устройством производ- ственных установок для ионной металлизации, указанных в пункте I.9.4.7. Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства стандартных производственных установок для покрытий, образуемых ионной металлизацией на режущем инструменте металлообрабатывающих станков II.10.6.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для ионной метал- лизации, указанных в пункте I.9.4.7. II.10.6.15. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемыми запоминающими устройствами производ- ственных установок для сухого травления анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8.-I.9.4.8.2. II.10.6.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для сухого травле- ния анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8.- I.9.4.8.2. II.10.6.17. Конструкция и технология производства снабженных прог- раммно-управляемыми запоминающими устройствами производ- ственных установок для химического парофазового осажде- ния покрытий плазменной стимуляцией, указанных в пунктах I.9.4.9.-I.9.4.9.2. II.10.6.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для химического парофазового осаждения покрытий, указанных в пунктах I.9.4.9.-I.9.4.9.2. II.10.7. Процессы нанесения покрытий и модификации поверхности II.10.7.1. Технологии нанесения (твердых) покрытий из парообразных химических соединений Примечания: 1. Нанесение (твердого) покрытия из парообразных хими- ческих соединений - это процесс нанесения чисто внеш- него покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композит, диэлект- рик или керамика наносится на нагретое изделие. Газо- образные продукты (пары, реактанты) разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или ком- паунды. Энергия для такого разложения или химичес- кой реакции может быть обеспечена нагревом изделия, свечением плазменного разряда или лучом лазера 2. Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения хими- ческих соединений из паровой фазы включает следующие процессы: беспорошковое нанесение покрытия прямым газовым пото- ком; пульсирующее химическое осаждение паров; управ- ляемое термическое нанесение покрытий с ядерным дроб- лением, а также с применением мощного потока плазмы или реализация химического осаждения паров с ее учас- тием 3. Порошковое нанесение означает погружение изделия в порошок из нескольких составляющих 4. Газообразные продукты (пары, реактанты), используемые в беспорошковом процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как порошко- вая цементация, кроме того случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью порошка II.10.7.1.1. Технология нанесения алюминидов на внутренние поверхнос- ти изделий из суперсплавов II.10.7.1.2. Технологии нанесения силицидов на: II.10.7.1.2.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.1.2.2. углерод-углеродные композиционные материалы Примечание Стекла с малым коэффициентом расширения, указанные в пунктах II.10.7.1.2.1., II.10.7.1.3., II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1., II.10.7.2.2.1.1., II.10.7.2.3.1.1. II.10.7.2.3.3., II.10.7.6.6.2., II.10.7.6.7.1., II.10.7.6.8.1., определяются как стекла, имеющие коэффи- циент температурного расширения в 1*10-7К-1или о менее, измеренный при 293 К (20 С) II.10.7.1.3. Технология нанесения карбидов на керамики и стекла с ма- лым коэффициентом расширения II.10.7.1.4. Технология нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.1.4.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.1.4.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.1.4.3. карбид, цементируемый вольфрамом; Примечание Карбид, цементируемый вольфрамом, указанный в пунктах II.10.7.1.4.3., II.10.7.1.5.2., II.10.7.1.7.1., II.10.7.2.1.7.3., II.10.7.2.1.9.1., II.10.7.2.1.10.4., II.10.7.2.2.1.4., II.10.7.2.3.1.4., II.10.7.6.8.4., II.10.7.6.16.1., II.10.7.6.17.1., II.10.7.7.3.2., II.10.7.7.4., не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт, никель), карбида титана/(кобальт, никель), хрома карбидоникель-хрома и хрома карбид/никеля II.10.7.1.4.4. молибден и его сплавы; II.10.7.1.4.5. бериллий и его сплавы; II.10.7.1.4.6. материалы окон датчиков Примечания: 1. Материалы окон датчиков, указанные в пунктах II.10.7.1.4.6., II.10.7.2.1.10.8., II.10.7.2.2.1.8., II.10.7.2.3.1.8., II.10.7.2.3.2., следующие: алюмин (окись алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, а также следующие галогениды металлов: иодистый калий, фтористый калий или материалы окон датчиков диаметром более 40 мм из бромистого таллия и хлоробромистого таллия. 2. Диэлектрические слоевые покрытия, упомянутые в пунк- тах II.10.7.1.4., II.10.7.2.1.10., II.10.7.2.2.1., II.10.7.2.3.1., II.10.7.6.8., определяются как много- слойные изолирующие материалы, в которых интерфе- ренционные свойства конструкции сочетаются с различ- ными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных диапазо- нов длин волн. Диэлектрические слои определяются по количеству более четырех или по качеству как компо- зит: диэлектрик/металл. II.10.7.1.5. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.1.5.1. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.1.5.2. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.1.5.3. карбиды кремния Примечание. Смеси, упомянутые в пунктах II.10.7.1.5., II.10.7.1.7., II.10.7.2.1.1.-II.10.7.2.1.9., II.10.7.3.1., II.10.7.3.2., II.10.7.4.1., II.10.7.4.2., II.10.7.4.7., II.10.7.5.3., II.10.7.5.4., II.10.7.6.1.- II.10.7.6.7., II.10.7.6.15.-II.10.7.6.17., включают инфильтрирующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и реализуются одним или несколькими процессами нанесения покрытий II.10.7.1.6. Технология нанесения тугоплавких металлов и их сплавов на керамики и металлические матричные композиты Примечание Тугоплавкие металлы, указанные в пунктах II.10.7.1.6., II.10.7.2.1.8., II.10.7.3.3.2., II.10.7.3.6., II.10.7.4.8.1., II.10.7.4.9.1., II.10.7.4.10.1., II.10.7.5.1., II.10.7.5.2., II.10.7.6.11.2., II.10.7.6.12.2., II.10.7.6.13.2., II.10.7.6.14.2., II.10.7.6.15., состоят из следующих металлов и их спла- вов: ниобия (колумбия - в США), молибдена, вольфрама и тантала II.10.7.1.7. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на: II.10.7.1.7.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.1.7.2. карбиды кремния II.10.7.2. Технологии нанесения покрытий методами физического осаж- дения паров термовыпариванием Примечания: 1. Физическое осаждение паров испарением (термовыпарива- нием) - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением, меньшим 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или по- крытие осаждается на соответствующие части поверхно- сти изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модифи- каций процесса элементами сложного состава (компаун- дами) покрытия. Использование ионного или электронно- го излучения или плазмы для активизации или участия в нанесении покрытия также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров тер- термовыпариванием. Применение мониторов для обеспече- ния измерения в ходе процесса оптических характерис- тик или толщины покрытия может быть реализовано в бу- дущем для процессов этого типа. 2. Ионное плакирование - специальная модификация гене- рального процесса физического осаждения паров термо- выпариванием, в котором плазменный или ионный источ- ник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательный заряд изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечива- ющих измерения (в процессе нанесения покрытий) опти- ческих характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием. II.10.7.2.1. Технологии нанесения покрытий методом электронно-лучево- го физического осаждения паров Примечание Электронно-лучевое физическое осаждение использует электронный луч для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие II.10.7.2.1.1. Технологии нанесения сплавов силицидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.2.1.2. Технологии нанесения силицидов и их смеси на: II.10.7.2.1.2.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.2.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.2.3. углерод-углеродные композиционные материалы II.10.7.2.1.3. Технология нанесения сплавов алюминидов и их смесей на суперсплавы Примечание Термин "покрытие сплавами на основе алюминидов", упомя- нутый в пунктах II.10.7.2.1.3., II.10.7.2.4.2., II.10.7.4.6., включает единичное или многослойное нанесение покрытий, в котором на элемент или элементы осаждается покрытие прежде или в течение процесса алитирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия другим процессом. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса порош- кового алитирования для получения сплавов алюминидов II.10.7.2.1.4. Технологии нанесения МЦрАлЬ и их смесей на: II.10.7.2.1.4.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.4.2. коррозионно-стойкие стали Примечание МЦрАлЬ, указанный в пунктах II.10.7.2.1.4., II.10.7.2.4.3., II.10.7.4.1., II.10.7.6.4., соответ- ствует сложному составу покрытия, где М эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а Х - эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % по весу в различных пропорциях и комбина- циях, кроме: ЦоЦрАлЫ-покрытий, содержащих меньше 22 % по весу хрома, меньше 7 % по весу алюминия и меньше 2 % по весу иттрия; ЦоЦрАлЫ-покрытий, содержащих 22-24 % по весу хрома, 0,5-0,7 % по весу иттрия; НиЦрАлЫ-покрытий, содержащих 21-23 % по весу хрома, 10-12 % по весу алюминия и 0,9-1,1 % по весу иттрия II.10.7.2.1.5. Технологии нанесения модифицированного оксида циркония и смесей на его основе на: II.10.7.2.1.5.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.5.2. коррозионно-стойкие стали II.10.7.2.1.6. Технология нанесения алюминидов и их смесей на супер- сплавы II.10.7.2.1.7. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.2.1.7.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.1.7.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.7.3. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.7.4. карбид кремния II.10.7.2.1.8. Технологии нанесения тугоплавких металлов и их сплавов на: II.10.7.2.1.8.1. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы II.10.7.2.1.9. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на: II.10.7.2.1.9.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.9.2. карбид кремния II.10.7.2.1.10. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.1.10.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.1.10.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.1.10.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.10.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.10.5. карбид кремния; II.10.7.2.1.10.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.1.10.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.1.10.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.1.11. Технология нанесения боридов на титановые сплавы Примечание Титановые сплавы, указанные в пунктах II.10.7.2.1.11., II.10.7.2.1.12., II.10.7.3.3.1., II.10.7.3.4., II.10.7.3.5., II.10.7.4.3.2., II.10.7.4.4.2., II.10.7.4.5.2., II.10.7.4.6.2., II.10.7.4.8.2., II.10.7.4.9.2., II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1., II.10.7.7.3.1., определяются как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв в 900 МПа или о более, измеренным при 293 К (20 С) II.10.7.2.1.12. Технология нанесения нитридов на титановые сплавы II.10.7.2.2. Нанесение покрытий методом физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (ионное по- крытие) Примечание Физическое осаждение с терморезистором использует электрическое сопротивление в качестве источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный (од- нородный) поток паров материала покрытия II.10.7.2.2.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.2.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.2.1.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.2.1.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.2.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.2.1.5. карбиды кремния; II.10.7.2.2.1.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.2.1.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.2.1.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.3. Нанесение покрытий методом физического осаждения паров с применением лазерного испарения Примечание Лазерное испарение использует импульсный или непрерывный лазерный луч для нагрева материала, который формирует покрытие II.10.7.2.3.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.3.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.3.1.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.3.1.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.3.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.3.1.5. карбиды кремния; II.10.7.2.3.1.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.3.1.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.3.1.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.3.2. Технология нанесения алмазоподобного углерода на мате- риалы окон датчиков II.10.7.2.3.3. Технология нанесения силицидов на керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.2.4. Технологии нанесения покрытий методом физического осаж- дения паров с применением катодно-дугового разряда Примечание Процесс покрытия с применением катодной дуги использует расходуемый катод как материал, который формирует покры- тие, и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пуско- вым устройством (триггером). Контролируемая дуговая эро- зия поверхности катода приводит к образованию высокоио- низированной плазмы. Анод может быть или коническим и расположенным по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного уп- равления нанесением изоляции используются изделия с ре- гулированием их положения. Это определение не включает нанесение покрытий беспоря- дочной (произвольной) катодной дугой с фиксированным по- ложением изделия II.10.7.2.4.1. Технология нанесения сплавов силицидов на супер- сплавы II.10.7.2.4.2. Технология нанесения сплавов алюминидов на супер- сплавы II.10.7.2.4.3. Технология нанесения МЦрАлЬ на суперсплавы II.10.7.2.4.4. Технологии нанесения боридов на: II.10.7.2.4.4.1. полимеры; Примечание Упомянутые в пунктах II.10.7.2.4.4.1., II.10.7.2.4.5.1., II.10.7.2.4.6.1. полимеры влючают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны II.10.7.2.4.4.2. органические матричные композиты II.10.7.2.4.5. Технологии нанесения карбидов на: II.10.7.2.4.5.1. полимеры; II.10.7.2.4.5.2. органические матричные композиты II.10.7.2.4.6. Технологии нанесения нитридов на: II.10.7.2.4.6.1. полимеры; II.10.7.2.4.6.2. органические матричные композиты II.10.7.3. Технологии нанесения покрытий методом цементации Примечания: 1. Технология для одношаговой порошковой цементации твердых профилей крыльев экспортному контролю не под- лежит. 2. Порошковая цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая сос- тоит из: металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); активатора (в большинстве случаев галогенидная соль); инертной пудры, наиболее часто оксида алюминия. Изделие и порошок содержатся внутри реторты (камеры), о которая нагревается от 1030 К (757 С) до 1375 К о (1102 С) на время, достаточное для нанесения покрытия II.10.7.3.1. Технологии нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.3.1.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.3.1.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.3.2. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.3.2.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.3.2.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.3.3. Технологии нанесения силицидов на: II.10.7.3.3.1. титановые сплавы; II.10.7.3.3.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.3.4. Технология нанесения алюминидов на титановые сплавы II.10.7.3.5. Технология нанесения сплавов алюминидов на титановые сплавы II.10.7.3.6. Технология нанесения оксидов на тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.4. Технологии нанесения покрытий методом плазменного напы- ления Примечания: 1. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внеш- него покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плаз- ма, принимая пудру и пруток (проволоку) из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазмен- ное напыление может быть построено на напылении плаз- мой низкого давления или высокоскоростной плазмой, реализуемой под водой 2. Низкое давление означает давление ниже атмосферного 3. Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей о 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 К (20 С) и давлении 0,1 МПа II.10.7.4.1. Технология нанесения МГрАлЬ и их смесей на: II.10.7.4.1.1. суперсплавы; II.10.7.4.1.2. алюминиевые сплавы; Примечание Термин "алюминиевые сплавы", упомянутый в пунктах II.10.7.4.1.2., II.10.7.4.2.2., II.10.7.4.7., соответст- вует сплавам с предельным значением прочности на разрыв в 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 К о (20 С) II.10.7.4.1.3. коррозионностойкие стали II.10.7.4.2. Технология нанесения модифицированного оксида циркония и его смесей на: II.10.7.4.2.1. суперсплавы; II.10.7.4.2.2. алюминиевые сплавы; II.10.7.4.2.3. коррозионностойкие стали Примечание Указанный в пунктах II.10.7.4.2., II.10.7.6.5. модифи- цированный оксид циркония соответствует добавкам оксидов других металлов (таких как кальций, магний, иттрий, гаф- ний, редкоземельных оксидов и т.д.) в оксид циркония в соответствии с условиями стабильности определенных крис- таллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие по- крытия из оксида циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, экспорт- ному контролю не подвергаются II.10.7.4.3. Технология нанесения эрозионностойкого никель-графита на: II.10.7.4.3.1. суперсплавы; II.10.7.4.3.2. титановые сплавы II.10.7.4.4. Технология нанесения эрозионностойкого никель-хром-алю- миний-бетонита на: II.10.7.4.4.1. суперсплавы; II.10.7.4.4.2. титановые сплавы II.10.7.4.5. Технология нанесения эрозионностойкого алюминий-кремний- полиэфира на: II.10.7.4.5.1. суперсплавы; II.10.7.4.5.2. титановые сплавы II.10.7.4.6. Технология нанесения сплавов алюминидов на: II.10.7.4.6.1. суперсплавы; II.10.7.4.6.2. титановые сплавы II.10.7.4.7. Технологии нанесения силицидов и их смесей на алюминие- вые сплавы II.10.7.4.8. Технология нанесения алюминидов на: II.10.7.4.8.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.8.2. титановые сплавы II.10.7.4.9. Технология нанесения силицидов на: II.10.7.4.9.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.9.2. титановые сплавы II.10.7.4.10. Технология нанесения карбидов на: II.10.7.4.10.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.10.2. титановые сплавы II.10.7.5. Технологии нанесения покрытий методом осаждения суспен- зии Примечание Осаждение суспензии - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированными в жидкости, связываются с изделием напылением, погружением или ок- раской, с последующим воздушным или печным осушением, и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия II.10.7.5.1. Технология нанесения легкоплавких силицидов на тугоплав- кие металлы и их сплавы II.10.7.5.2. Технология нанесения легкоплавких алюминидов (кроме ма- териалов для теплостойких элементов) на тугоплавкие ме- таллы и их сплавы II.10.7.5.3. Технология нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.5.3.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.5.3.2. керамические и металлические матричные композиты II.10.7.5.4. Технология нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.5.4.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.5.4.2. керамические и металлические матричные композиты II.10.7.6. Технология нанесения покрытий методом металлизации рас- пылением Примечания: 1. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов достаточна для образования на поверхности мишени атомов материала покрытия с подхо- дящим размещением их на изделии 2. Учитываются только триодная, магнетронная или реакти- вная металлизация распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также радиочастотное усиление напы- ления, используемое при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий 3. Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 кэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процес- са нанесения покрытия II.10.7.6.1. Технология нанесения сплавов силицидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.6.2. Технология нанесения сплавов алюминидов и их смесей на: II.10.7.6.2.1. суперсплавы; II.10.7.6.2.2. титановые сплавы II.10.7.6.3. Технология нанесения покрытий на основе алюминидов, модифицированных благородными металлами, на суперсплавы Примечание Термин "покрытие на основе алюминидов с модификацией благородным металлом" включает многошаговое нанесение покрытий, при котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида II.10.7.6.4. Технология нанесения МЦрАлЬ и их смесей на суперсплавы II.10.7.6.5. Технология нанесения модифицированного оксида циркония и его смеси на суперсплавы II.10.7.6.6. Технология нанесения платины и ее смеси на: II.10.7.6.6.1. суперсплавы; II.10.7.6.6.2. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.6.7. Технология нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.6.7.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.6.7.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.7.3. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.6.8. Технология нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.6.8.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.6.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.8.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.6.8.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.8.5. карбид кремния; II.10.7.6.8.6. молибден и его сплавы; II.10.7.6.8.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.6.8.8. материалы окон датчиков II.10.7.6.9. Технология нанесения боридов на титановые сплавы II.10.7.6.10. Технология нанесения нитридов на титановые сплавы II.10.7.6.11. Технология нанесения оксидов на: II.10.7.6.11.1. титановые сплавы; II.10.7.6.11.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.12. Технология нанесения силицидов на: II.10.7.6.12.1. титановые сплавы; II.10.7.6.12.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.13. Технология нанесения алюминидов на: II.10.7.6.13.1. титановые сплавы; II.10.7.6.13.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.14. Технология нанесения карбидов на: II.10.7.6.14.1. титановые сплавы; II.10.7.6.14.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.15. Технология нанесения тугоплавких металлов и их смесей на: II.10.7.6.15.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.15.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.6.16. Технология нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.6.16.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.16.2. карбид кремния II.10.7.6.17. Технология нанесения вольфрама и его смесей на: II.10.7.6.17.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.17.2. карбид кремния II.10.7.7. Технологии нанесения покрытий методом ионной имплантации Примечание Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, в котором материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и насыщается (имплантируется) на участок поверхности изделия. К этим процессам с ионным насыщением относятся и процес- сы, в которых ионное насыщение самопроизвольно выпол- няется с выпариванием электронным лучом или метал- лизацией распылением II.10.7.7.1. Технологии нанесения добавок хрома, тантала или ниобия (колумбия) на жаропрочные стали II.10.7.7.2. Технология нанесения боридов на: II.10.7.7.2.1. титановые сплавы; II.10.7.7.2.2. бериллий и его сплавы II.10.7.7.3. Технология нанесения нитридов на: II.10.7.7.3.1. титановые сплавы; II.10.7.7.3.2. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.7.4. Технология нанесения карбидов на карбиды, цементируемые вольфрамом II.10.8. Конструкция и технология производства специально разра- ботанного оборудования, инструментов или приспособлений для производства или измерения параметров лопаток га- зовых турбин, литых лопастей или краев кожухов II.10.8.1. Конструкция и технология производства автоматического измерительного оборудования, использующего немеханичес- кие методы измерения толщины стенок несущих профилей лопаток II.10.8.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения автомати- ческого измерительного оборудования, указанного в пункте I.9.5.1. II.10.8.3. Конструкция и технология производства инструментов, фиксационного и измерительного оборудования для лазерно- го, водоструйного или электроэрозионного электротехни- ческого сверления отверстий (полостей), указанных в пунктах I.9.5.2.-I.9.5.2.2. II.10.8.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения инструмен- тов, фиксационного и измерительного оборудования для лазерного, водоструйного или электроэрозионного электро- технического сверления отверстий (полостей), указанных в пунктах I.9.5.2.-I.9.5.2.2. II.10.8.5. Конструкция и технология производства керамических стержней (ядер, сердечников) или патронов (вкладышей) II.10.8.6. Конструкция и технология производства керамических стержней (ядер, сердечников) производственного оборудо- вания или инструментов II.10.8.7. Конструкция и технология производства керамических сердечников для выщелачивающего оборудования II.10.8.8. Конструкция и технология производства керамических патронов (оболочек) оборудования для изготовления вос- ковых моделей II.10.8.9. Конструкция и технология производства керамических патронов (вкладышей, оболочек) оборудования для обжи- гания или выжигания (вжигания) II.10.9. Конструкция и технология производства систем для конт- роля в реальном масштабе времени, приборов (включая датчики) или оборудования с ЧПУ, специально разработан- ных для производства газотурбинных двигателей, техноло- гически объединенных агрегатов или компонентов, указанных в пунктах I.11.8.1.-I.11.8.13. II.10.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения систем для контроля приборов или оборудования с ЧПУ, указанных в пункте I.9.6. II.10.11. Конструкция и технология производства оборудования, специально разработанного для производства и испытания (проверки) креплений лопаток газовых турбин, разработан- ных для функционирования при скоростях на концах лопа- ток, превышающих 335 м/с и специально разработанные приспособления или детали для них II.10.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения оборудования для производства и испытаний креплений лопаток газовых турбин, указанных в пункте I.9.7. II.10.13. Конструкция и технология производства инструментов, штампов и зажимных приспособлений для соединения в твер- дом состоянии (термодиффузионным сращиванием) элементов газотурбинных двигателей из суперсплавов и титана II.10.14. Программное обеспечение для проектирования и производ- ства инструментов, штампов и зажимных приспособлений, указанных в пункте I.9.8. II.10.15. Конструкция и технология производства инструментов (ос- настки) для производства методом порошковой металлургии и гранульной технологии элементов роторов турбин двига- телей, способных функционировать при напряжении на уров- не 60 % или более предельной прочности на растяжение и о температуре металла 873 К (600 С) или более II.10.16. Программное обеспечение для проектирования, производства или применения инструментов (оснастки), указанных в пункте I.9.9. II.10.17. Конструкция и технология производства оборудования для разработки и производства накопителей на магнитных и оптических дисках II.10.17.1. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для нанесения магнитного покрытия на жесткие (не гибкие) магнитные или магнито- оптические носители, указанные в пункте I.16.9.5.1. Примечание Пункт II.10.17.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства оборудования общего назначения для напыления II.10.17.2. Конструкция и технология производства оборудования, снабженного программно-управляемым запоминающим уст- ройством и специально спроектированного для обеспечения качества, сортировки по качеству, прогонов или тести- рования жестких магнитных носителей, указанного в пункте II.16.9.5.2. II.10.17.3. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для производства или юсти- ровки головок или головок в сборке с диском, примени- тельно к подлежащим экспортному контролю жестким магнит- ным и магнитооптическим накопителям, а также их электро- механических или оптических узлов, указанных в пунктах I.16.9.5.-I.16.9.5.2. II.10.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования оборудования для разработки и производства накопителей на магнитных и оптических дисках, указанных в пунктах I.9.10.-I.9.10.3. Раздел II.11. Датчики, измерительная аппаратура и приборы II.11.1. Конструкция и технология производства оборудования для неразрушающего контроля, способного обнаруживать дефекты в трех измерениях, используя методы ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально созданного для композитных материалов II.11.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения в оборудовании для неразрушающего контроля, указанного в пункте I.10.1. II.11.3. Конструкция и технология производства магнитометров, магнитных градиометров, эталонных магнитных градиометров и компенсационных систем и специально разработанных ком- понентов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.11.3.-II.11.3.12. не распространяется на конструкцию и технологию производ- ства специальных инструментов для биомагнитных измерений медицинской диагностики, если они не содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.-I.10.2.8.4. II.11.3.1. Конструкция и технология производства магнитометров, использующих технологии сверхпроводимости с оптической накачкой или ядерной прецессией (протонной/Оверхаузе- ра) и имеющих среднеквадратическое значение уровня шумов (чувствительность) менее (лучше) 0,05 нТ,деленные на ко- рень квадратный из частоты в Гц II.11.3.2. Конструкция и технология производства магнитометров с катушкой индуктивности, имеющих среднеквадратическое значение уровня шумов меньше (лучше): II.11.3.2.1. 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частоте менее 1 Гц; II.11.3.2.2. 1*10-3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц-на частоте 1 Гц или более, но не более 10 Гц; II.11.3.2.3. 1*10-4 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц-на частоте более 10 Гц; II.11.3.3. Конструкция и технология производства волоконноопти- ческих магнитометров со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) менее (лучше) чем 1 нТ, деленная на корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.4. Конструкция и технология производства магнитных градио- метров, использующих наборы магнитометров, указанных в пунктах I.10.2.1., I.10.2.2. или I.10.2.3. II.11.3.5. Конструкция и технология производства волоконноопти- ческих эталонных магнитных градиометров со среднеквад- ратическим значением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ, де- ленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.6. Конструкция и технология производства эталонных магнит- ных градиометров с использованием технологии, отличной от оптоволоконной, со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.7. Конструкция и технология производства магнитокомпенса- ционных систем для магнитных датчиков, предназначенных для работы на подвижных платформах II.11.3.8. Конструкция и технология производства электромагнитных датчиков для измерения электромагнитного поля на частотах 1 кГц и менее, содержащих компоненты, хотя бы один из которых является сверхпроводником (включая устройства на эффекте Джозефсона или сверхпроводящие устройства квантовой интерференции (СКВИД), разрабо- танных для функционирования при температурах ниже крити- ческой, и имеющих одну из следующих характеристик: II.11.3.8.1. включающие тонкопленочные СКВИД с минимальным характерным размером менее 2 мкм и соответствующими схемами соединения входа и выхода; II.11.3.8.2. разработанные для функционирования при максимальной скорости нарастания магнитного поля более 10 квантов магнитного потока в секунду; II.11.3.8.3. разработанные для функционирования без магнитного экрана в окружающем земном магнитном поле; II.11.3.8.4. имеющие температурный коэффициент менее 0,1 кванта магнитного потока на кельвин II.11.3.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства и использования магнитомет- ров, градиометров, компенсационных систем и специально разработанных компонентов, указанных в пунктах I.10.2.- I.10.2.8.4. II.11.3.10. Специализированное программное обеспечение для магни- токомпенсационных систем для магнитных датчиков подвиж- ных платформ (транспортных средств) II.11.3.11. Специализированное программное обеспечение для обна- ружения магнитных аномалий на подвижных платформах (транспортных средствах) II.11.3.12. Технология производства феррозондовых магнитометров или систем феррозондовых магнитометров с уровнем шумов менее чем 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частотах менее 1 Гц (среднеквадратическое значе- ние) или 1*10-3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частотах 1 Гц или более (среднеквадратическое значение) II.11.4. Конструкция и технология производства гравитометров II.11.4.1. Конструкция и технология производства гравитометров для наземного использования со статистической точностью менее (лучше) 1 * 10-7 м/с2 (10 мкГал) Примечание Экспортный контроль по пункту II.11.4.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства назем- ных гравитометров типа кварцевых элементов Уордена II.11.4.2. Конструкция и технология производства аппаратуры для настройки и калибровки наземных гравитометров со статис- тической погрешностью не хуже чем 7 * 10-6 м/с2 (0,7 мГал) II.11.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства и использования наземных гравитометров и аппаратуры для их настройки и калиб- ровки, указанных в пунктах I.10.3.-I.10.3.2. II.11.6. Специально разработанное программное обеспечение для коррекции влияния движения гравитометров или гравита- ционных градиометров II.11.7. Конструкция и технология производства бортовых альти- метров, действующих на частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц включительно, имеющих одну из следующих характерис- тик: II.11.7.1. управление мощностью; II.11.7.2. использующих амплитудную модуляцию с переменной фазой II.11.8. Программное обеспечение для проектирования или произ- водства бортовых альтиметров, указанных в пунктах I.10.4.-I.10.4.2. II.11.9. Конструкция и технология производства гироскопов, имею- щих характеристики, указанные в пункте I.10.5. II.11.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или производства гироскопов, имеющих характеристики, указанные в пункте I.10.5. II.11.11. Конструкция и технология производства инерциальных на- вигационных систем (платформенных и бесплатформенных) и инерциального оборудования, указанного в пунктах I.10.6. -I.10.6.2. II.11.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или производства инерциальных навигационных систем и инерциального оборудования, указанного в пунктах I.10.6.-I.10.6.2. II.11.13. Конструкция и технология производства приемной аппа- ратуры и специально разработанных компонентов глобаль- ной спутниковой навигационной системы, указанных в пунктах I.10.7.-I.10.7.2. II.11.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства при- емной аппаратуры и специально разработанных компонентов глобальной спутниковой системы, указанных в пунктах I.10.7.-I.10.7.2. II.11.15. Программное обеспечение для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании и в системе определения курсового направления самолета в воздухе (кроме платформенной системы определения положения самолета в воздухе) Примечание Система определения положения курсового направ- ления самолета в воздухе обычно отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что система определения углового (курсового) положения самолета в воздухе обеспечивает информацией о направлении и не обеспечивает информацией об ускорении, скорости и положении (координате), снимаемой с ИНС II.11.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения действующих характеристик или уменьшения навигационной ошибки инерциальных навига- ционных систем (платформенных и бесплатформенных) и инерциального оборудования для определения местоположе- ния, наведения и управления до уровней, указанных в пункте I.10.6.1. II.11.17. Исходная программа для гибридных комплексных систем, которая улучшает действующие характеристики или уменьшает навигационную ошибку систем до 0,8 морской мили в час и менее, при комбинировании (сочетании) инерциальных данных с любыми из следующих навигационных данных: II.11.17.1. доплеровским определителем (радара) скорости; II.11.17.2. глобальной спутниковой навигационной системой определения местоположения; II.11.17.3. базой данных о местности II.11.18. Конструкция и технология производства систем подводного наблюдения II.11.18.1. Конструкция и технология производства телевизионных систем (включая камеру, осветительные приборы, оборудо- вание мониторинга и передачи сигнала), имеющих предель- ное разрешение, ограниченное более чем 500 линиями при измерении его в воздушной среде, а также телесистем, специально спроектированных или модифицированных для дистанционного управления подводным судном II.11.18.2. Конструкция и технология производства подводных телека- мер, имеющих предельное разрешение более чем 700 линий при измерении разрешения в воздушной среде II.11.18.3. Конструкция и технология производства систем, специально спроектированных или модифицированных для дистанционного управления подводным судном, использующих способы мини- мизации эффектов обратного рассеяния, включая РЛС облу- чения в узком диапазоне или лазерные системы II.11.18.4. Конструкция и технология производства телевизионных ка- мер, предназначенных для съемки объектов с низким уров- нем освещенности, специально спроектированных или моди- фицированных для использования под водой и содержащих трубки с микроканальным усилителем изображения, указан- ные в пункте I.12.2.1.2.1., и имеющих более чем 150000 активных каналов на площади твердотельного приемника II.11.18.5. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем подводного наблюдения, указанных в пунктах I.10.9.-I.10.9.4. II.11.18.6. Конструкция и технология производства фотодиапозитивных камер, специально спроектированных или модифицированных для подводного применения, указанных в пункте I.10.9.5. II.11.18.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения фотодиапозитивных камер, указанных в пункте I.10.9.5. II.11.18.8. Конструкция и технология производства электронных систем наблюдения, специально спроектированных или моди- фицированных для подводного использования, способных хранить в цифровой форме более чем 50 экспонированных кадров II.11.18.9. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения электронных систем наблюдения, указанных в пункте I.10.9.6. II.11.19. Конструкция и технология производства систем подсветки, специально спроектированных или модифицированных для применения под водой: II.11.19.1. стробоскопических световых систем с энергией выхода более чем 300 Дж в одной вспышке; II.11.19.2. аргонодуговых световых систем, специально спроектиро- ванных для использования под водой на глубинах ниже 1000 м; II.11.19.3. программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем подсветки, указанных в пунктах I.10.10.-I.10.10.2. II.11.20. Конструкция и технология производства акустической аппаратуры, оборудования и систем II.11.20.1. Конструкция и технология производства морских акус- тических систем, аппаратуры или специально разработанных компонентов II.11.20.1.1. Конструкция и технология производства активных (пере- дающих или приемопередающих) акустических систем обору- дования или специально разработанных компонентов Примечание Экспортный контроль по пункту II.11.20.1.1. не распрост- раняется на конструкцию и технологию производства звуко- вых измерителей глубины вертикального действия без сканирования луча в пределах свыше +10о, имеющих ограниченное применение для измерения глубины или расстояния до погруженного или заглубленного объекта, а также косяков рыбы II.11.20.1.1.1. Конструкция и технология производства широкообзорных акустических систем морского картографирования, разра- ботанных: II.11.20.1.1.1.1. для измерения при углах отклонения от вертикали более 10о и измерения глубин более 600 м от поверхности воды; II.11.20.1.1.1.2. для использования набора лучей, каждый из которых не шире 2о, или для обеспечения точности измерений Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Ноябрь
|
