|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 22.04.2013 № 359изделий 53. Разработка методов и 38,915 38,915 создание методов и средств обеспечения ______ ______ средств контроля и создания и 22,8 22,8 измерения параметров и производства изделий характеристик изделий микросистемной техники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 54. Разработка 1130,25 345 315 256,5 213,75 создание базовых перспективных _______ ___ ___ _____ ______ технологий выпуска технологий и 753,5 230 210 171 142,5 трехмерных оптических и конструкций акустооптических микрооптоэлектро- функциональных механических систем элементов, для оптической микрооптоэлектро- аппаратуры, систем механических систем для отображения коммутации и модуляции изображений, научных оптического излучения исследований и (2012 год), специальной техники акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектро- механических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год) 55. Разработка и 925,5 150 262,5 142,5 213,75 156,75 создание методов и совершенствование _____ ___ _____ _____ ______ ______ средств контроля и методов и средств 617 100 175 95 142,5 104,5 измерения параметров и контроля, испытаний и характеристик изделий аттестации изделий микросистемотехники, микросистемотехники разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 56. Разработка 927 360 253,5 156,75 156,75 создание перспективных перспективных ___ ___ _____ ______ ______ технологий изготовления технологий и 618 240 169 104,5 104,5 элементов конструкций микроаналитических микроаналитических систем, чувствительных к систем для аппаратуры газовым, химическим и контроля и обнаружения биологическим токсичных, горючих, компонентам внешней взрывчатых и среды, предназначенных наркотических веществ для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год) Всего по направлению 3 5041,3 476,964 466,233 442,103 465 1050 986,75 627 527,25 _______ _______ _______ _______ ___ ____ ______ ___ ______ 3294,63 306,9 268,73 285 310 700 654,5 418 351,5 Направление 4. Микроэлектроника 57. Разработка технологии 308,667 219,3 89,367 разработка комплекта и развитие методологии _______ _____ ______ нормативно-технической проектирования изделий 178,4 129,5 48,9 документации по микроэлектроники: проектированию изделий разработка и освоение микроэлектроники, современной технологии создание отраслевой базы проектирования данных с каталогами универсальных библиотечных элементов и микропроцессоров, сложнофункциональных процессоров обработки блоков с сигналов, каталогизированными микроконтроллеров и результатами аттестации "системы на кристалле" на физическом уровне, на основе разработка комплекта каталогизированных нормативно-технической и сложнофункциональных технологической блоков и библиотечных документации по элементов, в том взаимодействию центров числе создание проектирования в сетевом отраслевой базы данных режиме и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 58. Разработка и освоение 34,569 22,7 11,869 разработка комплекта базовой технологии ______ ____ ______ технологической производства 22,7 14,7 8 документации и фотошаблонов организационно- с технологическим распорядительной уровнем до 0,13 мкм в документации по целях обеспечения взаимодействию центров информационной защиты проектирования и центра проектов изделий изготовления микроэлектроники при фотошаблонов использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 59. Разработка семейств и 852,723 350,836 501,887 разработка комплектов серий изделий _______ _______ _______ документации в микроэлектроники: 490,2 190,1 300,1 стандартах единой универсальных системы конструкторской, микропроцессоров для технологической и встроенных применений, производственной универсальных документации, микропроцессоров для изготовление опытных серверов и рабочих образцов изделий и станций, цифровых организация серийного процессоров обработки производства сигналов, сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода/вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит, схем приемопередатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания 60. Разработка базовых 2236,828 1129,878 971,95 135 разработка комплектов серийных технологий ________ ________ ______ ___ документации в изделий 1299 592,3 616,7 90 стандартах единой микроэлектроники: системы конструкторской, цифроаналоговых и технологической и аналого-цифровых производственной преобразователей документации, на частотах выше изготовление опытных 100 МГц с разрядностью образцов изделий и более 14-16 бит, организация серийного микроэлектронных производства устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнито- электрических и пьезоматериалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 61. Разработка технологии 545,397 304,9 240,497 разработка комплектов и освоение _______ _____ _______ документации в производства изделий 308,8 168,3 140,5 стандартах единой микроэлектроники с системы конструкторской, технологическим технологической уровнем 0,13 мкм документации и ввод в эксплуатацию производственной линии 62. Разработка базовой 939,45 196 360 154 229,45 разработка комплектов технологии ______ ___ ___ ___ ______ документации в формирования 587,3 102 240 99 146,3 стандартах единой многослойной разводки системы конструкторской, (7-8 уровней) технологической и сверхбольших производственной интегральных схем на документации, основе Al и Cu ввод в эксплуатацию производственной линии 63. Разработка технологии 519,525 235,513 168,512 115,5 разработка комплектов и организация _______ _______ _______ _____ документации в производства 288,9 101 110,9 77 стандартах единой многокристальных системы конструкторской, микроэлектронных технологической и модулей для мобильных производственной применений с документации, использованием ввод в эксплуатацию полимерных и производственной линии металлополимерных микроплат и носителей 64. Разработка новых 133,8 67 66,8 разработка методов _____ __ ____ технологической и технологических 133,8 67 66,8 производственной испытаний изделий документации, ввод микроэлектроники, в эксплуатацию гарантирующих их специализированных повышенную надежность участков в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 65. Разработка современных 243,77 131,9 111,87 разработка комплектов методов анализа ______ _____ ______ документации, включая отказов изделий 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые микроэлектроники с методики, ввод в применением эксплуатацию ультраразрешающих модернизированных методов участков и лабораторий (ультразвуковая анализа отказов гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие) 66. Разработка базовых 1170,325 310 354,45 285 220,875 создание технологии субмикронных ________ ___ ______ ___ _______ сверхбольших технологий уровней 773,55 200 236,3 190 147,25 интегральных схем, 0,065 - 0,045 мкм создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров 67. Исследование 1372,075 383 383,45 334,875 270,75 создание технологии технологических ________ ___ ______ _______ ______ сверхбольших процессов и структур 894,45 245 245,7 223,25 180,5 интегральных схем для субмикронных технологических уровней технологий уровней 65-45 нм, организация 0,032 мкм опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) 68. Разработка 1403,27 166,05 402,7 318 295,88 220,64 создание технологий и перспективных _______ ______ _____ ___ ______ ______ конструкций технологий и 928,84 110,7 261,8 212 197,25 147,09 перспективных изделий конструкций изделий интеллектуальной силовой интеллектуальной микроэлектроники для силовой электроники применения в аппаратуре для применения в промышленного и бытового аппаратуре бытового и назначения, промышленного создание встроенных назначения, на интегральных источников транспорте, в питания (2013-2015 годы) топливно- энергетическом комплексе и в специальных системах 69. Разработка 1649,14 300 356,4 205 413,25 374,49 разработка перспективной перспективных _______ ___ _____ ___ ______ ______ технологии технологий сборки 1072,36 200 224,2 123 275,5 249,66 многокристальных сверхбольших микроэлектронных модулей интегральных схем в для мобильных применений многовыводные корпуса, с использованием в том числе корпуса с полимерных и матричным металлополимерных расположением микроплат и носителей выводов и технологий (2015 год) многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе" Всего по направлению 4 11409,539 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1490,35 1329,005 1086,755 _________ ________ ________ _______ ______ ______ _______ ________ ________ 7222,07 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 963,3 886 724,5 Направление 5. Электронные материалы и структуры 70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых производства новых __ __ __ диэлектрических диэлектрических 49 32 17 материалов на основе материалов на основе ромбоэдрической ромбоэдрической модификации нитрида бора модификации нитрида и подложек из бора и подложек из поликристаллического поликристал- алмаза с повышенной лического алмаза теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 71. Разработка технологии 93,663 46,233 47,43 создание технологии производства ______ ______ _____ производства гетероэпитаксиальных 54,24 22,62 31,62 гетероэпитаксиальных структур и структур структур и структур гетеробиполярных гетеробиполярных транзисторов на основе транзисторов на основе нитридных соединений нитридных соединений А В для мощных А В для обеспечения 3 5 3 5 полупроводниковых разработок и приборов и изготовления сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных монолитных интегральных интегральных схем схем и мощных транзисторов (2011 год) 72. Разработка базовой 78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии ______ ______ ____ технологии производства производства 49,8 32 17,8 гетероструктур и метаморфных структур псевдоморфных структур на основе GaAs и на подложках InP для псевдоморфных структур перспективных на подложках InP для полупроводниковых приборов приборов и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных электроники диапазона монолитных интегральных 60-90 ГГц схем диапазона 60-90 ГГц (2009 год) 73. Разработка технологии 132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных производства _______ ______ __ __ магнитных материалов и спинэлектронных 82 16 30 36 микроволновых структур магнитных материалов, со спиновым управлением радиопоглощающих и для создания мелкодисперсных перспективных ферритовых материалов микроволновых для сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных приборов повышенного приборов быстродействия и низкого энергопотребления 74. Разработка технологии 76,4 50,1 26,3 создание технологии производства ____ ____ ____ массового производства высокочистых 47,3 31 16,3 высокочистых химических химических материалов материалов (аммиака, (аммиака, арсина, арсина, фосфина, фосфина, тетрахлорида тетрахлорида кремния) кремния) для для выпуска обеспечения полупроводниковых производства подложек нитрида галлия, полупроводниковых арсенида галлия, фосфида подложек нитрида индия, кремния галлия, арсенида и гетероэпитаксиальных галлия, фосфида индия, структур на их основе кремния и (2009 год) гетероэпитаксиальных структур на их основе 75. Разработка технологии 62,07 12 35,07 15 создание технологии производства _____ __ _____ __ производства поликристаллических 45,38 12 23,38 10 поликристаллических алмазов и их пленок алмазов и его пленок для для теплопроводных мощных конструкций мощных сверхвысокочастотных выходных транзисторов приборов (2012 год) и сверхвысокочастотных приборов 76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии разработка технологии __ __ __ изготовления новых изготовления новых 38 24 14 микроволокон на основе микроволокон на основе двухмерных двухмерных диэлектрических и диэлектрических и металлодиэлектрических металлодиэлектрических микро- и наноструктур микро- и для новых классов наноструктур, а микроструктурных также приборов, полупроводниковых магниторезисторов, нитей с наноразмерами осцилляторов, устройств при вытяжке оптоэлектроники стеклянного капилляра, (2009 год) заполненного жидкой фазой полупроводника 77. Разработка технологии 64,048 4,5 32,548 27 создание базовой выращивания слоев ______ ___ ______ __ пленочной технологии пьезокерамики на 39 3 18 18 пьезокерамических кремниевых подложках элементов, совместимой с для формирования комплементарной комплексированных металлооксидной устройств полупроводниковой микросистемной техники технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год) 78. Разработка методологии 63,657 42,657 21 создание технологии и базовых технологий ______ ______ __ травления и изготовления создания многослойных 38 24 14 кремниевых трехмерных кремниевых структур с базовых элементов использованием микроэлектромеханических "жертвенных" и систем с "стопорных" использованием диффузионных и "жертвенных" и диэлектрических слоев "стопорных" слоев для для производства серийного производства силовых приборов и элементов элементов микроэлектромеханических микроэлектро- систем (2009 год) механических кремниевых структур с систем использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния 79. Разработка базовых 45,85 29,35 16,5 создание технологии технологий получения _____ _____ ____ получения алмазных алмазных 22 11 11 полупроводниковых полупроводниковых наноструктур и наноструктур наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий покрытий, алмазных с широким диапазоном полупроводящих пленок функциональных свойств для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год) 80. Исследование и 136,716 57,132 79,584 создание технологии разработка технологии _______ ______ ______ изготовления роста эпитаксиальных 88,55 38 50,55 гетероструктур и слоев карбида кремния, эпитаксиальных структур структур на основе на основе нитридов для нитридов, а также создания радиационно формирования стойких изолирующих и сверхвысокочастотных и коммутирующих слоев в силовых приборов нового приборах экстремальной поколения (2009 год) электроники 81. Разработка технологии 159,831 52 107,831 создание технологии производства _______ __ _______ производства структур радиационно стойких 90 35 55 "кремний на сапфире" сверхбольших диаметром до 150 мм с интегральных схем на толщиной ультратонких приборного слоя до 0,1 гетероэпитаксиальных мкм и топологическими структурах кремния на нормами до 0,18 мкм для сапфировой подложке производства электронной для производства компонентной базы электронной специального и двойного компонентной базы назначения (2009 год) специального и двойного назначения 82. Разработка технологии 138,549 54 84,549 создание технологии производства _______ __ ______ производства радиационно высокоомного 89,7 36 53,7 облученного кремния и радиационно пластин кремния до 150 облученного кремния, мм для выпуска мощных слитков и пластин транзисторов и кремния диаметром сильноточных тиристоров до 150 мм для нового поколения производства силовых (2009 год) полупроводниковых приборов 83. Разработка технологии 90,4 38,5 51,9 разработка и производства ____ ____ ____ промышленное освоение кремниевых подложек и 58,9 24 34,9 получения структур для силовых высококачественных полупроводниковых подложек и структур для приборов с глубокими использования в высоколегированными производстве силовых слоями полупроводниковых р- и n-типов приборов с глубокими проводимости высоколегированными и скрытыми слоями слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной носителей с повышенной рекомбинацией рекомбинацией (2009 год) 84. Разработка технологии 220,764 73,964 146,8 создание технологии производства _______ ______ _____ производства пластин электронного кремния, 162 48 114 кремния диаметром до кремниевых пластин 200 мм и эпитаксиальных диаметром структур уровня до 200 мм и кремниевых 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 85. Разработка 266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии методологии, ______ _____ _____ __ __ корпусирования конструктивно- 161 38 83 20 20 интегральных схем и технических полупроводниковых решений и приборов на основе перспективной базовой использования технологии многослойных кремниевых корпусирования структур со сквозными интегральных схем и токопроводящими полупроводниковых каналами, обеспечивающей приборов на основе сокращение состава использования сборочных операций и многослойных формирование трехмерных кремниевых структур со структур (2013 год) сквозными токопроводящими каналами 86. Разработка технологии 230,141 35,141 135 30 30 создание базовой производства _______ ______ ___ __ __ технологии производства гетероструктур SiGe 143 13 90 20 20 гетероструктур SiGe для для разработки выпуска сверхбольших быстродействующих интегральных схем с сверхбольших топологическими интегральных схем нормами с топологическими 0,25 - 0,18 мкм нормами 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год) 87. Разработка технологии 46,745 28,745 18 создание технологии выращивания и ______ ______ __ выращивания и обработки обработки, в том числе 34 22 12 пьезоэлектрических плазмохимической, материалов новых акустоэлектроники и пьезоэлектрических акустооптики для материалов для обеспечения производства акустоэлектроники и широкой номенклатуры акустооптики акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год) 88. Разработка технологий 93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии производства ______ ______ __ __ ____ массового производства соединений А В 58 12 22 15 9 исходных материалов и 3 5 структур для и тройных структур перспективных приборов для: лазерной и производства оптоэлектронной техники, сверхмощных лазерных в том числе: диодов; производства сверхмощных высокоэффективных лазерных диодов светодиодов белого, (2010 год); зеленого, синего и высокоэффективных ультрафиолетового светодиодов белого, диапазонов; зеленого, синего и фотоприемников ультрафиолетового среднего инфракрасного диапазонов (2011 год); диапазона фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год) 89. Исследование и 45,21 30,31 14,9 создание технологии разработка технологии _____ _____ ____ производства получения 30 22 8 принципиально новых гетероструктур с материалов вертикальными полупроводниковой оптическими электроники на основе резонаторами на основе сложных композиций для квантовых ям и перспективных приборов квантовых точек для лазерной и производства оптоэлектронной техники вертикально излучающих (2009 год) лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 90. Разработка технологии 32,305 24,805 7,5 создание технологии производства ______ ______ ___ производства компонентов современных 17 12 5 для специализированных компонентов для электронно-лучевых специализированных (2010 год), фотоэлектронных электронно-оптических и приборов, в том числе: отклоняющих систем катодов и (2010 год), газо- стеклооболочек и деталей поглотителей; из электровакуумного электронно- стекла различных марок оптических (2011 год) и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 91. Разработка технологии 39,505 27,505 12 создание технологии производства особо ______ ______ __ производства особо тонких гетерированных 32 20 12 тонких гетерированных нанопримесями нанопримесями полупроводниковых полупроводниковых структур для структур для высокоэффективных изготовления фотокатодов, высокоэффективных электронно-оптических фотокатодов преобразователей и электронно-оптических фотоэлектронных преобразователей и умножителей, фотоэлектронных приемников умножителей, приемников инфракрасного инфракрасного диапазона, диапазона и солнечных солнечных элементов и элементов с высокими других приложений значениями (2009 год) коэффициента полезного действия 92. Разработка базовой 42,013 24,013 18 создание технологии технологии ______ ______ __ монокристаллов AlN для производства 24 12 12 изготовления изолирующих монокристаллов AlN для и проводящих подложек изготовления для создания изолирующих и полупроводниковых проводящих подложек высокотемпературных и для гетероструктур мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год) 93. Разработка базовой 44,599 29,694 14,905 создание базовой технологии ______ ______ ______ технологии вакуумно- производства 29,2 19,85 9,35 плотной наноструктурированных спецстойкой керамики из оксидов металлов нанокристаллических (корунда и т. п.) для порошков и нитридов производства металлов для вакуумно-плотной промышленного освоения нанокерамики, в том спецстойких приборов числе с заданными нового поколения оптическими свойствами (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники 94. Разработка базовой 25,006 22,006 3 создание технологии технологии ______ ______ _ производства полимерных производства 13 11 2 и композиционных полимерных и гибридных материалов с органо- использованием неорганических поверхностной и объемной наноструктурированных модификации полимеров защитных наноструктурированными материалов для наполнителями для электронных создания изделий с компонентов нового высокой механической, поколения прецизионных термической и и сверхвысоко- радиационной стойкостью частотных при работе в условиях резисторов, длительной эксплуатации терминаторов, и воздействии комплекса аттенюаторов и специальных внешних резисторно- факторов (2011 год) индукционноемкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов 95. Исследование и 1365,875 225 269 309 306,375 256,5 создание базовой разработка ________ ___ ___ ___ _______ _____ технологии производства перспективных 910,25 150 179 206 204,25 171 гетероструктур, структур гетероструктурных и и псевдоморфных структур наноструктурированных на подложках InP для материалов с перспективных экстремальными полупроводниковых характеристиками для приборов и перспективных сверхвысокочастотных электронных монолитных интегральных приборов и схем диапазона 60-90 ГГц радиоэлектронной (2012 год), создание аппаратуры технологии получения специального алмазных назначения полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) 96. Исследование и 1283,625 435 300 263,625 285 создание нового класса разработка ________ ___ ___ _______ ___ конструкционных и экологически 855,75 290 200 175,75 190 технологических чистых материалов и материалов для уровней методов их технологии 0,065 - 0,032 использования в мкм и обеспечения производстве высокого процента электронной выхода годных изделий, компонентной базы и экологических требований радиоаппаратуры, по международным включая бессвинцовые стандартам (2012 год, композиции для сборки 2015 год) 97. Разработка 1333,625 404 352,5 292,125 285 создание перспективных перспективных ________ ___ _____ _______ ___ технологий производства технологий получения 889,75 270 235 194,75 190 компонентов для ленточных материалов специализированных (полимерные, электронно-лучевых, металлические, электронно-оптических и плакированные отклоняющих систем, и другие) для стеклооболочек и деталей радиоэлектронной из электровакуумного аппаратуры и сборочных стекла различных марок операций электронной (2013 год), создание компонентной базы технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год) Всего по направлению 5 6345,799 621,754 658,169 365,251 717 1260 1035 862,125 826,5 ________ _______ _______ _______ ___ ____ ____ _______ _____ 4150,82 407,85 431,6 177,62 478 840 690 574,75 551 Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы 98. Разработка технологии 30,928 18 12,928 разработка расширенного выпуска прецизионных ______ __ ______ ряда резонаторов с температуростабильных 20 12 8 повышенной высокочастотных кратковременной и до 1,5 - 2 ГГц долговременной резонаторов на стабильностью для поверхностно создания контрольной акустических волнах до аппаратуры и техники 1,5 ГГц с полосой связи двойного до 70 процентов назначения и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 99. Разработка в 78,5 32 33 13,5 создание технологии и лицензируемых и ____ __ __ ____ конструкции нелицензируемых 45 14 22 9 акустоэлектронных международных пассивных и активных частотных диапазонах меток-транспондеров для 860 МГц и 2,45 ГГц применения в ряда радиочастотных логистических пассивных и активных приложениях на акустоэлектронных транспорте, в торговле и меток-транспондеров, промышленности в том числе работающих (2010 год, 2011 год) в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 100. Разработка базовой 30,5 17 13,5 создание технологии конструкции и ____ __ ____ проектирования и базовых промышленной 19,5 11 8,5 конструкций технологии пьезоэлектрических производства фильтров в пьезокерамических малогабаритных корпусах фильтров в корпусах для поверхностного для поверхностного монтажа при изготовлении монтажа техники связи массового применения (2009 год) 101. Разработка технологии 37,73 37,73 создание базовой проектирования, _____ _____ технологии базовой технологии 23 23 акустоэлектронных производства и приборов для конструирования перспективных систем акустоэлектронных связи, измерительной и устройств нового навигационной аппаратуры поколения и фильтров нового поколения - промежуточной частоты подвижных, спутниковых, с высокими тропосферных и характеристиками для радиорелейных линий современных систем связи, цифрового связи, включая интерактивного высокоизбирательные телевидения, высокочастотные радиоизмерительной устройства частотной аппаратуры, селекции на радиолокационных поверхностных и станций, спутниковых приповерхностных навигационных систем волнах и волнах (2008 год) Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 102. Разработка технологии 97,416 35,001 62,415 создание технологии проектирования и ______ ______ ______ производства базовой технологии 60,9 22 38,9 высокоинтегрированной производства электронной компонентной функциональных базы типа "система в законченных устройств корпусе" для вновь стабилизации, селекции разрабатываемых и частоты и обработки модернизируемых сложных сигналов типа "система радиоэлектронных систем в корпусе" и комплексов (2010 год) 103. Разработка базовой 63 21 21 21 создание базовой конструкции и __ __ __ __ технологии (2013 год) и технологии 42 14 14 14 базовой конструкции изготовления микроминиатюрных высокочастотных высокодобротных фильтров резонаторов и фильтров для малогабаритной и на объемных носимой аппаратуры акустических волнах навигации и связи для телекоммуникационных и навигационных систем 104. Разработка технологии 35 35 создание нового и базовой конструкции __ __ поколения фоточувствительных 23 23 оптоэлектронных приборов приборов с матричными для обеспечения задач приемниками высокого предотвращения аварий и разрешения для контроля видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 105. Разработка базовой 35,309 16,009 19,3 создание базовой технологии ______ ______ ____ технологии нового унифицированных 21,9 10 11,9 поколения приборов электронно- контроля тепловых полей оптических для задач преобразователей, теплоэнергетики, микроканальных медицины, поисковой и пластин, контрольной аппаратуры пироэлектрических на транспорте, матриц и камер на их продуктопроводах основе с и в охранных системах чувствительностью до (2009 год) 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона 106. Разработка базовой 82 45 37 создание базовой технологии создания __ __ __ технологии (2008 год) и интегрированных 53 30 23 конструкции новых типов гибридных приборов, сочетающих фотоэлектронных фотоэлектронные и высокочувствительных твердотельные и высокоразрешающих технологии, с целью приборов и усилителей получения экстремально для задач космического достижимых характеристик мониторинга и для задач контроля и специальных систем наблюдения в системах наблюдения, двойного назначения научной и метрологической аппаратуры 107. Разработка базовых 96,537 48,136 48,401 создание базовой технологий мощных ______ ______ ______ технологии (2008 год) и полупроводниковых 64 30 34 конструкций лазерных диодов принципиально новых (непрерывного и мощных диодных лазеров, импульсного предназначенных для излучения), широкого применения в специализированных изделиях двойного лазерных назначения, медицины, полупроводниковых полиграфического диодов, фотодиодов и оборудования и системах лазерных открытой оптической волоконно- связи оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения 108. Разработка и освоение 56,5 16 30 10,5 разработка базового базовых технологий для ____ __ __ ____ комплекта основных лазерных 37 10 20 7 оптоэлектронных навигационных компонентов для приборов, включая лазерных гироскопов интегральный широкого применения оптический модуль (2010 год), создание лазерного гироскопа на комплекса технологий базе обработки и формирования сверхмалогабаритных структурных и приборных кольцевых элементов, оборудования полупроводниковых контроля и аттестации, лазеров инфракрасного обеспечивающих новый диапазона, уровень оптоэлектронные технико-экономических компоненты для показателей производства широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта 109. Разработка базовых 22 22 создание базовой конструкций и __ __ технологии твердотельных технологий создания 15 15 чип-лазеров для лазерных квантово- дальномеров, электронных твердотельных лазеров с приемо- пикосекундными передающих длительностями импульсов модулей для для установок по малогабаритных прецизионной обработке лазерных дальномеров композитных материалов, нового поколения на для создания элементов и основе твердотельных изделий чип-лазеров с микромашиностроения и в полупроводниковой производстве электронной накачкой, компонентной базы нового технологических поколения, мощных лазерных установок лазеров для применения в широкого спектрального машиностроении, диапазона авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год) 110. Разработка базовых 66,305 56,27 10,035 создание технологии технологий ______ _____ ______ получения формирования 43 37 6 широкоапертурных конструктивных узлов и элементов на основе блоков для лазеров алюмоиттриевой нового поколения и легированной керамики технологии создания композитных составов для полного комплекта лазеров с диодной электронной накачкой (2008 год), компонентной базы для высокоэффективных производства лазерного преобразователей частоты устройства определения лазерного излучения, наличия опасных, организация взрывчатых, промышленного выпуска отравляющих и оптических изделий и наркотических веществ лазерных элементов в контролируемом широкой номенклатуры пространстве 111. Разработка базовых 35 17 18 разработка расширенной технологий, базовой __ __ __ серии низковольтных конструкции и 35 17 18 катодолюминесцентных и организация других дисплеев с производства широким диапазоном интегрированных эргономических катодолюминесцентных характеристик и свойств и других дисплеев по условиям применения двойного назначения со для информационных и встроенным контрольных систем микроэлектронным управлением 112. Разработка технологии 38,354 23,73 14,624 создание ряда и базовых конструкций ______ _____ ______ принципиально новых высокояркостных 29 16 13 светоизлучающих приборов светодиодов и с минимальными индикаторов основных геометрическими цветов свечения для размерами, высокой систем подсветки в надежностью и приборах нового устойчивостью к поколения механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения 113. Разработка базовой 100,604 21,554 61,05 18 создание базовой технологии и _______ ______ _____ __ технологии производства конструкции 59 10 37 12 нового поколения оптоэлектронных оптоэлектронной приборов (оптроны, высокоэффективной оптореле, светодиоды) и надежной электронной в миниатюрных корпусах компонентной базы для для поверхностного промышленного монтажа оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год) 114. Разработка 51,527 24 27,527 создание технологии схемотехнических ______ __ ______ новых классов носимой и решений и 33,5 16 17,5 стационарной аппаратуры, унифицированных экранов отображения базовых конструкций и информации коллективного технологий пользования повышенных формирования емкости и формата твердотельных (2009 год) видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой 115. Разработка базовой 57,304 31,723 25,581 создание технологии технологии ______ ______ ______ массового производства изготовления 37 20 17 солнечных элементов для высокоэффективных индивидуального и солнечных элементов на коллективного базе использования использования в кремния, полученного труднодоступных районах, по "бесхлоридной" развития солнечной технологии и энергетики в технологии "литого" жилищно-коммунальном кремния прямоугольного хозяйстве для сечения обеспечения задач энергосбережения (2009 год) 116. Разработка базовой 32 18 14 создание технологии технологии и освоение __ __ __ массового производства производства 19 12 7 нового класса оптоэлектронных оптоэлектронных реле с повышенными приборов для широкого техническими применения в характеристиками для радиоэлектронной поверхностного монтажа аппаратуре (2009 год) 117. Комплексное 136,7 50 63 23,7 создание базовой исследование _____ __ __ ____ технологии массового и разработка 71,8 22 34 15,8 производства экранов с технологий получения предельно низкой новых классов удельной стоимостью для органических информационных и (полимерных) обучающих систем люминофоров, пленочных (2010 год, 2011 год) транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" 118. Разработка базовых 145,651 45 13,526 87,125 создание технологии и конструкций и _______ __ ______ ______ конструкции активно- технологии активных 100,5 30 8,5 62 матричных матриц и драйверов органических плоских экранов на электролюминесцентных, основе аморфных, жидкокристаллических и поликристаллических и катодолюминесцентных кристаллических дисплеев, стойких к кремниевых внешним специальным и интегральных структур климатическим на различных подложках воздействиям (2010 год) и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюми- несцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения 119. Разработка базовой 85,004 41,004 20 24 создание технологии и конструкции и ______ ______ __ __ базовых конструкций технологии 46 10 20 16 полноцветных крупноформатных газоразрядных полноцветных видеомодулей газоразрядных специального и двойного видеомодулей назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год) 120. Разработка технологии 63,249 24,013 18,027 21,209 разработка расширенного сверхпрецизионных ______ ______ ______ ______ ряда сверхпрецизионных резисторов и гибридных 42 16 12 14 резисторов, гибридных интегральных схем интегральных схем цифроаналоговых и цифроаналоговых и аналого-цифровых аналого-цифровых преобразователей на их преобразователей с основе в параметрами, металлокерамических превышающими уровень корпусах для существующих аппаратуры двойного отечественных и назначения зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год) 121. Разработка базовой 72 30 30 12 разработка расширенного технологии особо __ __ __ __ ряда сверхпрецизионных стабильных и особо 48 20 20 8 резисторов с повышенной точных резисторов удельной мощностью широкого диапазона рассеяния, номиналов, высоковольтных, прецизионных датчиков высокоомных резисторов тока для измерительной для измерительной и контрольной техники, приборов аппаратуры и освоение ночного видения и их производства аппаратуры контроля (2013 год) 122. Разработка технологии 149,019 10,5 18,519 24,75 45 50,25 создание базовой и базовых конструкций _______ ____ ______ _____ __ _____ технологии и конструкции резисторов и 100 7 13 16,5 30 33,5 резисторов с повышенными резистивных структур значениями стабильности, нового поколения для удельной мощности поверхностного в чип-исполнении на монтажа, в том числе основе многослойных резисторов с монолитных структур повышенными (2010 год, 2013 год) характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции 123. Разработка технологий 46,93 36,001 10,929 создание базовой формирования _____ ______ ______ технологии производства интегрированных 30,95 24 6,95 датчиков на резистивных структур с резистивной основе с повышенными высокими техническими технико- характеристиками и эксплуатационными надежностью (2009 год) характеристиками на основе микро- структурированных материалов и методов групповой сборки 124. Создание групповой 59,011 30,006 29,005 создание технологии технологии ______ ______ ______ автоматизированного автоматизированного 39 20 19 производства чип- и производства микрочип-резисторов (в толстопленочных чип- и габаритах 0402, 0201 и микрочип-резисторов менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год) 125. Разработка новых 126 24 27 75 создание базовой базовых технологий и ___ __ __ __ технологии производства конструктивных решений 83 16 17 50 конденсаторов с изготовления качественно улучшенными танталовых характеристиками с оксидно- электродами из полупроводниковых неблагородных и оксидно- металлов при сохранении электролитических высокого уровня конденсаторов и надежности (2010 год) чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками 126. Разработка комплексной 29,801 22,277 7,524 создание базовых базовой технологии и ______ ______ _____ технологий конденсаторов организация 18 13 5 и ионисторов на основе производства полимерных материалов с Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
