|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 22.04.2013 № 359ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 22 апреля 2013 г. N 359 МОСКВА О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы Правительство Российской Федерации п о с т а н о в л я е т: Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130; 2011, N 38, ст. 5383). Председатель Правительства Российской Федерации Д.Медведев __________________________ УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359 ИЗМЕНЕНИЯ, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы 1. В паспорте Программы: а) в абзаце пятом позиции, касающейся важнейших целевых индикаторов и показателей, цифры "114" заменить цифрами "112"; б) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы: в абзаце первом цифры "179224,366" заменить цифрами "175613,905"; в абзаце втором цифры "106844,71" заменить цифрами "104663,296", цифры "63908,3" заменить цифрами "62686,506", цифры "42936,41" заменить цифрами "41976,79"; в абзаце третьем цифры "72379,656" заменить цифрами "70950,609"; в) в абзаце тринадцатом позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, цифры "203443,4" заменить цифрами "196247,7", цифры "131640" заменить цифрами "125754,3". 2. В абзаце четвертом подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II: а) в предложении третьем слова "в 41 организации" заменить словами "в 43 организациях"; б) предложение пятое изложить в следующей редакции: "Также к 2015 году в 19 организациях Министерства образования и науки Российской Федерации, Федерального космического агентства и Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, будут созданы центры проектирования, а в 15 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.". 3. В разделе IV: а) в абзаце первом цифры "179224,366" заменить цифрами "175613,905"; б) в абзаце втором цифры "106844,71" заменить цифрами "104663,296"; в) в абзаце третьем цифры "63908,3" заменить цифрами "62686,506"; г) в абзаце четвертом цифры "42936,41" заменить цифрами "41976,79"; д) в абзаце пятом цифры "72379,656" заменить цифрами "70950,609"; е) в абзаце седьмом цифры "32500" заменить цифрами "32215,149". 4. В разделе VI: а) в абзаце пятом цифры "203443,4" заменить цифрами "196247,7"; б) в абзаце шестом цифры "64554,9" заменить цифрами "66746,5"; в) в абзаце седьмом цифры "131640" заменить цифрами "125754,3"; г) в абзаце девятом цифры "1,54" заменить цифрами "1,57". 5. Приложения N 1-4 к указанной Программе изложить в следующей редакции: "ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359) ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы --------------------------------------|-------|-----|------|------|--------|--------|------|------|------|------- |Единица| 2007| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 |измере-| год | год | год | год | год | год | год | год | год | ния | | | | | | | | | --------------------------------------|-------|-----|------|------|--------|--------|------|------|------|------- Индикатор Достигаемый технологический уровень мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 электроники Показатели Увеличение объемов продаж изделий млрд. 19 58 70 95 130 170 210 250 300 электронной и радиоэлектронной рублей техники Количество разработанных базовых - 3-5 16-20 80-90 125-135 179-185 210 230 250 260-270 технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - 1 8 10 14 29 29 30 35 44 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - - - - 1 1 1 3 4 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Госкорпорации "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - - - - - 1 2 4 6 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - 1 1 2 2 3 5 7 9 технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - 1 5 8 18 22 34 37 96 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - - - - - 1 1 1 1 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - - - - - - 1 1 8 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Госкорпорации "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов реконструкции и - - - - - - - - - 7 технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество завершенных поисковых - 1 3 9 9-10 10-12 12-14 14-16 16-18 20-22 технологических научно- исследовательских работ (нарастающим итогом) Количество реализованных мероприятий - 4 11-12 16-20 22-25 36-40 41-45 45-50 50-55 55-60 по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) Количество создаваемых рабочих мест - 450 1020- 1800- 3000- 3800- 4100- 4400- 4700- 5000- (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000 ______________ ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 22 апреля 2013 г. N 359) ПЕРЕЧЕНЬ мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 года (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------|-----------|--------------------------------------------------------------------------------|------------------------ |2008-2015 | В том числе | Ожидаемые результаты | годы - | | | всего |---------|---------|----------|-------|----------|---------|----------|---------| | | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | | год | год | год | год | год | год | год | год | ------------------------------|-----------|---------|---------|----------|-------|----------|---------|----------|---------|------------------------ I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника 1. Разработка технологии 128,624 66 62,624 создание базовой производства мощных _______ __ ______ технологии производства сверхвысокочастотных 84 44 40 мощных транзисторов на основе сверхвысокочастотных гетероструктур транзисторов на основе материалов группы А В гетероструктур 3 5 материалов группы А В 3 5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 2. Разработка базовой 202 30,5 39,5 53,25 31,8 46,95 создание базовой технологии ___ ____ ____ _____ ____ _____ технологии производства производства 134 20 26 35,5 21,2 31,3 монолитных монолитных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных микросхем и объемных микросхем и объемных приемопередающих приемо- сверхвысокочастотных передающих субмодулей сверхвысокочастотных X-диапазона на основе субмодулей гетероструктур X-диапазона материалов группы А В 3 5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 3. Разработка базовой 212,75 141,75 71 создание технологии технологии ______ _____ __ производства мощных производства мощных 134,75 87,75 47 транзисторов сверхвысокочастотных сверхвысокочастотного полупроводниковых диапазона на основе приборов на основе нитридных нитридных гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур для техники структур связи, радиолокации (2009 год) 4. Разработка базовой 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии технологии и ___ __ ____ _____ ___ ___ производства на основе библиотеки элементов 375 17 65 109 80 104 нитридных для проектирования гетероэпитаксиальных и производства структур мощных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем монолитных интегральных сверхвысокочастотного схем с рабочими диапазона на основе частотами до 20 ГГц для нитридных техники связи, гетероэпитаксиальных радиолокации (2013 год), структур разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 5. Разработка базовой 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии _______ ______ ____ технологии производства производства 101,7 59,7 42 компонентов для сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных компонентов и интегральных схем сложно-функциональных диапазона блоков для 2-12 ГГц с высокой сверхвысокочастотных степенью интеграции для интегральных схем аппаратуры радиолокации высокой степени и связи интеграции на основе бортового и наземного гетероструктур применения, а также "кремний - германий" бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 6. Разработка базовой 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии ______ ___ ____ ______ технологии производства производства 158,1 5 35 118,1 сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных интегральных схем интегральных схем диапазона высокой степени 2-12 ГГц с высокой интеграции на основе степенью интеграции для гетероструктур аппаратуры радиолокации "кремний - германий" и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 7. Разработка 448,408 253 195,408 разработка аттестованных аттестованных _______ ___ _______ библиотек библиотек 308,75 169 139,75 сложнофункциональных сложнофункциональных блоков для блоков для проектирования широкого проектирования спектра сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на интегральных схем на SiGe с рабочими основе гетероструктур частотами до 150 ГГц, "кремний - германий" разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 8. Разработка базовых 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий ______ __ _____ _____ ____ ____ технологий проектирования 142 30 52 39,3 11,3 9,4 проектирования на основе кремний-германиевых библиотеки сверхвысокочастотных сложнофункциональных и радиочастотных блоков широкого спектра интегральных схем на сверхвысокочастотных основе аттестованной интегральных схем на библиотеки SiGe с рабочими сложнофункциональных частотами до 150 ГГц блоков (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка базовых 114,9 60 54,9 создание базовых технологий _____ __ ____ технологий производства производства 74 40 34 элементной базы для элементной базы для высокоплотных источников ряда силовых вторичного герметичных модулей электропитания высокоплотных сверхвысокочастотных источников вторичного приборов и узлов электропитания аппаратуры (2009 год), вакуумных и разработка комплектов твердотельных документации в сверхвысокочастотных стандартах единой приборов и узлов системы конструкторской, аппаратуры технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 10. Разработка базовых 126,913 79,513 47,4 создание базовых технологий _______ ______ ____ конструкций и технологии производства ряда 73,1 41,5 31,6 производства силовых герметичных высокоэффективных, модулей высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного вторичного электропитания электропитания вакуумных и сверхвысокочастотных твердотельных приборов и узлов сверхвысокочастотных аппаратуры на основе приборов и узлов гибридно-пленочной аппаратуры технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка базовых 226 151,2 74,8 создание технологии конструкций и ___ _____ ____ массового производства технологии 152 102 50 ряда корпусов мощных производства корпусов сверхвысокочастотных мощных приборов для сверхвысокочастотных "бессвинцовой" сборки транзисторов X-, C-, (2009 год), разработка S-, L- и P-диапазонов комплектов документации из малотоксичных в стандартах единой материалов с высокой системы конструкторской, теплопроводностью технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 12. Разработка базовых 83,5 13 40,5 30 создание базовых конструкций ____ __ ____ __ конструктивных рядов теплоотводящих 55 8 27 20 элементов систем элементов систем охлаждения аппаратуры охлаждения Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных наземных, корабельных приборов Х- и и воздушно-космических С-диапазонов на основе комплексов новых материалов 13. Разработка базовой 109 64 45 создание технологии технологии ___ __ __ массового производства производства 62 32 30 конструктивного ряда теплоотводящих элементов систем элементов систем охлаждения аппаратуры охлаждения Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных наземных, корабельных приборов Х- и и воздушно-космических С-диапазонов на основе комплексов (2011 год), новых материалов разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка базовых 13 13 создание технологии технологий __ __ массового производства производства 8 8 конструктивного ряда суперлинейных сверхвысокочастотных кремниевых транзисторов сверхвысокочастотных S- и L-диапазонов для транзисторов техники связи, локации и S- и L-диапазонов контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка 208,9 139,9 69 создание конструктивно- _____ _____ __ конструктивно- параметрического 115,9 69,9 46 параметрического ряда ряда сверхвысокочастотных суперлинейных транзисторов кремниевых S- и L- диапазонов для сверхвысокочастотных техники связи, локации и транзисторов контрольной аппаратуры, S- и L-диапазонов разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка технологии 32 18 14 разработка измерений и базовых __ __ __ метрологической конструкций установок 22 12 10 аппаратуры нового автоматизированного поколения для измерения параметров исследования и контроля нелинейных моделей параметров сверхвысокочастотных полупроводниковых полупроводниковых структур, активных структур, мощных элементов и транзисторов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных интегральных монолитных схем в производстве и интегральных схем X-, при их использовании C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства 17. Исследование и 149,416 84,916 64,5 создание технологии разработка базовых _______ ______ ____ унифицированных технологий для 102 59 43 сверхширокополосных создания нового приборов среднего и поколения мощных большого уровня мощности вакуумно-твердотельных сантиметрового диапазона сверхвысокочастотных длин волн и приборов и гибридных сверхвысокочастотных малогабаритных магнитоэлектрических сверхвысокочастотных приборов для модулей с улучшенными перспективных массогабаритными радиоэлектронных систем характеристиками, и аппаратуры связи магнитоэлектрических космического базирования приборов (2009 год), разработка сверхвысокочастотного комплектов документации диапазона, в том числе в стандартах единой циркуляторов и системы конструкторской, фазовращателей, технологической и вентилей, производственной высокодобротных документации, ввод резонаторов, в эксплуатацию перестраиваемых производственной линии фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 18. Разработка базовых 118,45 77,5 40,95 разработка конструкций и ______ ____ _____ конструктивных рядов и технологии 85,3 58 27,3 базовых технологий производства нового производства поколения мощных сверхширокополосных вакуумно-твердотельных приборов среднего и сверхвысокочастотных большого уровня мощности приборов и гибридных сантиметрового диапазона малогабаритных длин волн и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными магнитоэлектрических массогабаритными приборов для характеристиками, перспективных магнитоэлектрических радиоэлектронных приборов систем и аппаратуры сверхвысокочастотного связи космического диапазона, в том числе базирования (2011 год), циркуляторов и разработка комплектов фазовращателей, документации в вентилей, стандартах единой высокодобротных системы конструкторской, резонаторов, технологической и перестраиваемых производственной фильтров, документации, ввод микроволновых приборов в эксплуатацию со спиновым производственной линии управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 19. Исследование и 110,5 65,5 45 создание технологических разработка процессов и _____ ____ __ процессов производства базовых технологий 75,5 45,5 30 нанопленочных нанопленочных малогабаритных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно- емкостных матриц емкостных матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного назначения для монтажа (2008 год), печатного монтажа и создание базовой сверхбыстродействующих технологии получения (до 150 ГГц) сверхбыстродействующих приборов на (до 150 ГГц) приборов на наногетеро- наногетероструктурах с структурах квантовыми эффектами с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 20. Разработка базовых 84,5 50 34,5 создание конструктивных конструкций и ____ __ ____ рядов и базовых технологий 53 30 23 технологий производства производства нанопленочных нанопленочных малогабаритных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно- емкостных матриц емкостных матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного назначения для монтажа (2011 год), печатного монтажа разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка базовой 133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии _______ ______ ______ технологии производства сверхвысокочастотных 88 42 46 элементов и специальных p-i-n диодов, матриц, элементов и блоков узлов управления и портативной аппаратуры портативных миллиметрового диапазона фазированных блоков длин волн для нового аппаратуры поколения миллиметрового средств связи, диапазона длин волн на радиолокационных основе станций, радионавигации, магнитоэлектронных измерительной техники, твердотельных и автомобильных радаров, высокоскоростных охранных и сигнальных цифровых приборов и устройств (2009 год), устройств с функциями разработка комплектов адаптации и цифрового документации в диаграммообразования стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 22. Разработка базовых 2323,262 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 210,129 224,55 создание конструктивных технологий создания ________ ___ ______ _______ ______ ___ _____ _______ ______ рядов и базовых мощных вакуумных 1528,566 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 140,086 149,7 технологий сверхвысокочастотных проектирования и устройств производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) 23. Разработка базовых 1658,481 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 122,05 109,875 138,374 создание базовых технологий создания ________ _______ _______ _______ ______ ______ ______ _______ _______ конструкций и технологий мощных твердотельных 1094,1 103 166,5 192,4 195,7 189,9 81,1 73,25 92,25 изготовления сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных устройств на базе мощных приборов на нитрида галлия структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3-4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) 24. Исследование 1046,46 160,2 99,5 274,5 298,88 213,38 исследование перспективных типов _______ _____ _____ _____ ______ ______ технологических сверхвысокочастотных 698,32 106,8 67,02 183 199,25 142,25 принципов формирования приборов и структур, перспективных разработка сверхвысокочастотных технологических приборов и структур, принципов их включая создание изготовления наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц 25. Разработка 1021,25 49,2 331,7 221,4 242,25 176,7 создание полного состава перспективных методов _______ ____ _____ _____ ______ _____ прикладных программ проектирования и 684,4 32,8 224,7 147,6 161,5 117,8 проектирования и моделирования оптимизации сложнофункциональной сверхвысокочастотной сверхвысокочастотной электронной компонентной электронной базы, включая компонентной базы проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе Всего по направлению 1 9697,875 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1021,1 861,134 753,005 ________ _______ ________ ________ ______ _______ ______ _______ _______ 6409,486 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 681,2 574,086 502 Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база 26. Разработка базовой 106,65 60 46,65 создание технологии технологии радиационно ______ __ _____ изготовления микросхем стойких сверхбольших 79,65 38 41,65 на структурах "кремний интегральных схем на сапфире" диаметром уровня 0,5 мкм на 150 мм (2009 год), структурах "кремний на разработка правил сапфире" диаметром проектирования базовых 150 мм библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 27. Разработка базовой 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии технологии радиационно ______ ____ ______ ____ ____ изготовления микросхем с стойких сверхбольших 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 размерами элементов 0,35 интегральных схем мкм на структурах уровня 0,35 мкм на "кремний на сапфире" структурах "кремний на диаметром 150 мм сапфире" диаметром (2013 год), разработка 150 мм правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы 28. Разработка технологии 245,904 130 115,904 создание проектирования и _______ ___ _______ технологического базиса конструктивно- 164 87 77 (технология технологических проектирования, решений библиотеки базовые технологии), логических и позволяющего аналоговых элементов, разрабатывать оперативных радиационно стойкие запоминающих сверхбольшие устройств, постоянных интегральные схемы на запоминающих структурах "кремний на устройств, изоляторе" с проектной сложнофункциональных нормой до 0,25 мкм радиационно стойких (2009 год) блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 29. Разработка технологии 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание проектирования и ______ _____ ______ ____ ____ технологического базиса конструктивно- 235 54,3 110,7 52,6 17,4 (технология технологических проектирования, базовые решений библиотеки технологии), логических и позволяющего аналоговых элементов, разрабатывать оперативных радиационно стойкие запоминающих сверхбольшие устройств, постоянных интегральные схемы на запоминающих структурах "кремний на устройств, изоляторе" с проектной сложнофункциональных нормой до 0,18 мкм радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 30. Разработка базовых 141,75 92 49,75 создание технологических ______ __ _____ технологического процессов изготовления 97,65 63 34,65 процесса изготовления радиационно стойкой сверхбольших элементной базы для интегральных схем сверхбольших энергонезависимой, интегральных схем радиационно стойкой энергозависимой сегнетоэлектрической пьезоэлектрической и памяти уровня 0,35 мкм и магниторезистивной базовой технологии памяти с проектными создания, нормами 0,35 мкм изготовления и и пассивной аттестации радиационно радиационно стойкой стойкой пассивной элементной базы электронной компонентной базы (2009 год) 31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологических ______ ____ ______ ____ ____ технологического процессов изготовления 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 процесса изготовления радиационно стойкой сверхбольших элементной базы для интегральных схем сверхбольших энергонезависимой интегральных схем радиационно стойкой энергозависимой сегнетоэлектрической пьезоэлектрической и памяти уровня 0,18 мкм магниторезистивной (2010 год) и создания, памяти с проектными изготовления и нормами 0,18 мкм и аттестации радиационно пассивной радиационно стойкой пассивной стойкой элементной электронной компонентной базы базы (2013 год) 32. Разработка технологии 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного "кремний на сапфире" _______ ______ ______ ряда цифровых изготовления ряда 73 38 35 процессоров, лицензионно- микроконтроллеров, независимых оперативных запоминающих радиационно стойких программируемых и комплементарных перепрограммируемых полевых устройств, полупроводниковых аналого-цифровых сверхбольших преобразователей в интегральных схем радиационно стойком цифровых процессоров исполнении для создания обработки сигналов, специальной аппаратуры микроконтроллеров и нового поколения схем интерфейса 33. Разработка технологии 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии структур с _______ ______ ______ ____ ____ проектирования и ультратонким слоем 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и кремния на сапфире сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год) 34. Разработка базовой 92,669 51 41,669 разработка конструкции и технологии и ______ __ ______ модели интегральных приборно- 73,15 40 33,15 элементов и технологического технологического базиса маршрута изготовления производства радиационно стойких радиационно стойких сверхбольших сверхбольших интегральных схем типа интегральных схем "система на кристалле" с "система на расширенным кристалле", температурным радиационно стойкой диапазоном, силовых силовой электроники транзисторов и модулей для аппаратуры питания для бортовых и и управления промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год) 35. Разработка элементной 74,471 36,2 38,271 создание ряда базы радиационно ______ ____ ______ микронанотриодов стойких интегральных 50,6 26,1 24,5 и микронанодиодов схем на основе полевых с наивысшей радиационной эмиссионных стойкостью для микронанотриодов долговечной аппаратуры и микронанодиодов космического базирования 36. Создание 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса информационной базы _____ ____ ____ ____ _____ моделей расчета радиационно стойкой 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 радиационной стойкости электронной электронной компонентной компонентной базы, базы для определения содержащей модели технически обоснованных интегральных норм испытаний компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 37. Разработка библиотек 866,247 105 184,5 251,2 200,297 125,25 создание технологии стандартных элементов _______ ___ _____ _____ _______ ______ проектирования и и сложнофункциональных 577,531 70 123 167,5 133,531 83,5 изготовления микросхем и блоков для создания сложнофункциональных радиационно стойких блоков на основе сверхбольших ультратонких слоев на интегральных схем структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) 38. Разработка 939,488 187,5 185 141,25 230,25 195,488 разработка расширенного расширенного ряда _______ _____ ___ ______ ______ _______ ряда цифровых радиационно 625,825 125 123 94 153,5 130,325 процессоров, стойких сверхбольших микроконтроллеров, интегральных схем для оперативных запоминающих специальной аппаратуры программируемых связи, обработки и и перепрограммируемых передачи информации, устройств, систем управления аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования 39. Разработка и 938 75 275 210,75 186,75 190,5 разработка комплекса совершенствование ___ __ ___ ______ ______ _____ моделей расчета методов моделирования 625 50 183 140,5 124,5 127 радиационной стойкости и проектирования электронной компонентной радиационно стойкой базы для определения элементной базы технически обоснованных норм испытаний 40. Разработка и 964,05 180 191 177,5 209,55 206 создание совершенствование ______ ___ ___ _____ ______ _____ технологического базиса базовых технологий и 629,7 120 123 113,5 139,7 133,5 (технология конструкций проектирования, базовые радиационно стойких технологии), сверхбольших позволяющего интегральных схем на разрабатывать структурах "кремний на радиационно стойкие сапфире" и "кремний на сверхбольшие изоляторе" с интегральные схемы на топологическими структурах "кремний на нормами не менее сапфире" с 0,18 мкм проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) Всего по направлению 2 6016,817 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 980,6 826,847 717,238 ________ _______ _______ _______ ______ ______ _____ _______ _______ 3977,406 292,1 245,95 161,7 819,6 780 652,5 551,231 474,325 Направление 3. Микросистемная техника 41. Разработка базовых 184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий _______ _______ ______ технологий (2009 год) и микро- 117,9 105,9 12 комплектов электромеханических технологической систем документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 42. Разработка базовых 423,712 87,239 73,473 108 82,5 72,5 разработка базовых конструкций _______ ______ ______ ___ ____ ____ конструкций и комплектов микро- 263,8 42,1 49,7 72 55 45 необходимой электромеханических конструкторской систем документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселеро- метров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 43. Разработка базовых 202,784 122,356 44,428 36 создание базовых технологий _______ _______ ______ __ технологий (2009 год) и микроакусто- 132,15 78,55 29,6 24 комплектов необходимой электромехани- технологической ческих систем документации на изготовление микроакустоэлектро- механических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемноакустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 44. Разработка базовых 411,574 52 103,825 88,5 167,249 разработка базовых конструкций _______ __ _______ ____ _______ конструкций и комплектов микро- 258,8 28 60,3 59 111,5 необходимой акустоэлектро- конструкторской механических документации на систем изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов 45. Разработка базовых 37 37 создание базовых технологий __ __ технологий изготовления микроаналитических 25 25 элементов систем микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 46. Разработка базовых 134 47 60 27 создание базовых конструкций ___ __ __ __ конструкций микроаналитических 78 20 40 18 микроаналитических систем систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 47. Разработка базовых 42,444 15,358 27,086 создание базовых технологий ______ ______ ______ технологий выпуска микрооптоэлектромеха- 27 10,2 16,8 трехмерных оптических и нических систем акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектро- механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год) 48. Разработка базовых 109,278 33,95 48,328 27 разработка базовых конструкций _______ _____ ______ __ конструкций и комплектов микрооптоэлектромеха- 70 21 31 18 конструкторской нических систем документации на изготовление микрооптоэлектро- механических систем коммутации и модуляции оптического излучения 49. Разработка базовых 55,008 55,008 создание базовых технологий микросистем ______ ______ технологий изготовления анализа магнитных 36 36 микросистем анализа полей магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) 50. Разработка базовых 153,518 39,518 93 21 разработка базовых конструкций _______ ______ __ __ конструкций и комплектов микросистем анализа 98,018 22,018 62 14 конструкторской магнитных полей документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях 51. Разработка базовых 123,525 43,274 80,251 разработка и освоение в технологий _______ ______ ______ производстве базовых радиочастотных 80,662 28,45 52,212 технологий изготовления микроэлектро- радиочастотных механических микроэлектромеханических систем систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) 52. Разработка базовых 142,577 35,6 63,477 43,5 разработка базовых конструкций _______ ____ ______ ____ конструкций и комплектов радиочастотных 96 25 42 29 конструкторской микроэлектро- документации на механических изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
