|
Расширенный поиск
Распоряжение Президента Российской Федерации от 11.02.1994 № 74-рпинтегральных схем II.17.1.1.1. Конструкция и технология производства микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: ________________ Примечания: 1. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства кремниевых микрокомпьютерных микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих длину операнда (данных) 8 бит и менее. 2. Экспортный контроль по пункту II.17.1.1.1. распространяется на конструкцию и технологию производства цифровых сигнальных процессоров, цифровых матричных процессоров и цифровых сопроцессоров II.17.1.1.1.1. разрядность внешней шины данных превышает 32 бита, либо разрядность доступа к арифметико-логическому устройству превышает 32 бита; II.17.1.1.1.2. тактовая частота превышает 40 МГц; II.17.1.1.1.3. внешняя шина данных имеет разрядность 32 бита и более, а производительность равна 12,5 млн. команд в секунду и более; II.17.1.1.1.4. процессор параллельного типа оснащен для внешнего подключения более чем одной шиной данных или команд, или последовательным портом связи с пропускной способностью свыше 2,4 Мбайт/с II.17.1.1.2. Конструкция и технология производства интегральных схем памяти II.17.1.1.2.1. Конструкция и технология производства электрически перепрограммируемых полупостоянных запоминающих устройств с емкостью памяти, превышающей 1 кбит на один корпус, или превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющие максимальное время доступа менее 80 нс II.17.1.1.2.2. Конструкция и технология производства статических запоминающих устройств с произвольной выборкой с емкостью памяти, превышающей 1 Мбит на один корпус, или превышающей 256 кбит на один корпус, и имеющих максимальное время доступа менее 25 нс II.17.1.1.2.3. Конструкция и технология производства интегральных схем памяти, изготовленных на основе сложного полупроводника II.17.1.1.3. Конструкция и технология производства электронно-оптических или оптических интегральных схем для обработки сигналов, имеющих: один внутренний лазерный диод или более; один внутренний светочувствительный элемент или более; оптические волноводы II.17.1.1.4. Конструкция и технология производства программируемых у пользователя базовых матричных кристаллов, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.1.1.4.1. эквивалентное количество вентилей свыше 30000 (в пересчете на двухвходовые); II.17.1.1.4.2. типовое время задержки распространения сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс II.17.1.1.5. Конструкция и технология производства программируемых у пользователя логических матриц, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.1.1.5.1. эквивалентное количество вентилей свыше 5000 (в пересчете на двухвходовые); II.17.1.1.5.2. частота переключения превышают 100 МГц II.17.1.1.6. Конструкция и технология производства интегральных схем для нейронных сетей II.17.1.1.7. Конструкция и технология производства заказных интегральных схем, имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.1.1.7.1. число выводов свыше 144; II.17.1.1.7.2. типовое время задержки распространения сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс; II.17.1.1.7.3. рабочая частота свыше 3 ГГц II.17.1.1.8. Конструкция и технология производства цифровых интегральных схем, отличающихся от описанных в пунктах I.16.1.1.1. - I.16.1.1.7., созданных на основе любого сложного полупроводника и имеющих хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.1.1.8.1. эквивалентное количество вентилей свыше 300 (в пересчете на двухвходовые); II.17.1.1.8.2. частота переключения свыше 1,2 ГГц II.17.1.2. Конструкция и технология производства приборов микроволнового или миллиметрового диапазона II.17.1.2.1. Конструкция и технология производства электронных вакуумных ламп и катодов _______________ Примечание Экспортный контроль по пунктам II.17.1.2.1. - II.17.1.2.1.3.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства ламп, предназначенных для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, с частотами, не превышающими 31 ГГц II.17.1.2.1.1. Конструкция и технология производства ламп бегущей волны импульсного или непрерывного действия: II.17.1.2.1.1.1. работающих на частотах свыше 31 ГГц; II.17.1.2.1.1.2. имеющих элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на номинальную радиочастотную мощность менее 3 с; II.17.1.2.1.1.3. с сопряженными резонаторами или их модификации; II.17.1.2.1.1.4. со спиралью или их модификаций, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина полосы частот составляет пол-октавы и более, и произведение номинальной средней выходной мощности (в кВт) на максимальную рабочую частоту (в ГГц) превышает 0,2; II.17.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина полосы частот составляет менее пол-октавы и произведение номинальной средней выходной мощности (в кВт) на максимальную рабочую частот (в ГГц) превышает 0,4; II.17.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны для космического применения II.17.1.2.1.2. Конструкция и технология производства СВЧ-приборов - усилителей магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ II.17.1.2.1.3. Конструкция и технология производства импрегнированных катодов для электронных ламп, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.2.1.3.1. время от включения до выхода на номинальную эмиссию менее 3 с; II.17.1.2.1.3.2. плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования свыше 5 А/кв. см II.17.1.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства электронных вакуумных ламп и катодов, указанных в пунктах I.16.1.2.1. - I.16.1.2.1.3.2. II.17.1.2.3. Конструкция и технология производства интегральных схем или модулей микроволнового диапазона, содержащих твердотельные интегральные схемы, работающие на частота: свыше 31 ГГц _________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства схем или модулей для оборудования, разработанного или пригодного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации с частотами, не превышающими 31 ГГц II.17.1.2.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства интегральных схем или модулей микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.1.2.2. II.17.1.2.5. Конструкция и технология производства микроволновых транзисторов, предназначенных для работы на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых транзисторов, предназначенных для работы на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.7. Конструкция и технология производства микроволновых твердотельных усилителей: II.17.1.2.7.1. работающих на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющих ширину рабочей полосы частот более чем пол-октавы; II.17.1.2.7.2. работающих на частотах свыше 31 ГГц __________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.2.7. не распространяется на конструкцию и технологию производства усилителей: специально спроектированных для медицинских целей; специально спроектированных для простых учебных приборов; имеющих выходную мощность не более 10 Вт и специально спроектированных для: промышленных или гражданских систем защиты периметра, обнаружения посторонних лиц или охранной сигнализации; автодорожных или промышленных систем управления движением и систем подсчета; систем обнаружения экологического загрязнения воздуха или воды II.17.1.2.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых твердотельных усилителей, указанных в пунктах I.16.1.2.4. - I.16.1.2.4.2. II.17.1.2.9. Конструкция и технология производства полосовых или заграждающих фильтров с электронной или магнитной настройкой, имеющих свыше 5 настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 менее чем за 10 мкс, причем полоса пропускания составляет более 0,5 % от резонансной частоты или полоса подавления составляет менее 0,5 % от резонансной частоты II.17.1.2.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства полосовых или заграждающих фильтров, указанных в пункте I.16.1.2.5. II.17.1.2.11. Конструкция и технология производства микроволновых сборок, способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства микроволновых сборок, способных работать на частотах, превышающих 31 ГГц II.17.1.2.13. Конструкция и технология производства гибких волноводов, спроектированных для использования на частотах свыше 40 ГГц II.17.1.2.14. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства гибких волноводов, спроектированных для использования на частотах свыше 40 ГГц II.17.1.3. Конструкция и технология производства приборов на акустических волнах и специально спроектированных для них компонентов II.17.1.3.1. Конструкция и технология производства приборов на поверхностных акустических волнах в тонкой подложке (т. е. приборов для обработки сигналов, использующих упругие волны в материале), имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.3.1.1. несущая частота превышает 1 ГГц; II.17.1.3.1.2. несущая частота 1 ГГц и менее, частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности превышает 55 дБ, произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) больше 100 или задержка распространения превышает 10 мкс _________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для бытовой электроники или развлечений II.17.1.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приборов на поверхностных акустических волнах в тонкой подложке, указанных в пунктах I.16.1.3.1. - I.16.1.3.1.2. II.17.1.3.3. Конструкция и технология производства приборов на объемных акустических волнах (т. е. приборов для обработки сигналов, использующих другие волны в материале), обеспечивающих непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц II.17.1.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приборов на объемных акустических волнах, указанных в пункте I.16.1.3.2. II.17.1.3.5. Конструкция и технология производства акустооптических приборов обработки сигналов, использующих взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что обеспечивает непосредственную обработку сигналов или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку ________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.1.3.5. не распространяется на конструкцию и технологию производства приборов, специально спроектированных для гражданского телевидения, видео- или амплитудно модулированной и частотно модулированной широковещательной аппаратуры II.17.1.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства акустооптических приборов обработки сигналов, указанных в пункте I.16.1.3.3. II.17.1.4. Конструкция и технология производства электронных приборов или схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированных для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.4.1. наличие электромагнитного усиления на частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ или на частотах свыше 31 ГГц; II.17.1.4.2. наличие токовых переключателей для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на -14 вентиль (в ваттах) ниже 10 Дж; II.17.1.4.3. обеспечение селекции частоты на всех диапазонах часто с использованием резонансных контуров с добротностью свыше 10000 II.17.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства электронных приборов или схем, содержащих элементы, изготовленные из сверхпроводящих материалов, указанных в пунктах I.16.1.4.- I.16.1.4.3. II.17.1.6. Конструкция и технология производства вращающихся преобразователей абсолютного углового положения вала в код, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.1.6.1. разрешение лучше чем 1/265000 от полного диапазона (18 бит); II.17.1.6.2. точность лучше чем +-2,5 угл. с II.17.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства вращающихся преобразователей абсолютного углового положения вала в код, указанных в пунктах I.16.1.5. - I.16.1.5.2. II.17.1.8. Конструкция и технология производства вакуумных микроэлектронных приборов II.17.1.9. Конструкция и технология производства полупроводниковых приборов с гетероструктурой, например транзисторов с высокой подвижностью электронов (ВПЭТ), биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), приборов на эффекте потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках II.17.1.10. Конструкция и технология производства электронных приборов со сверхпроводимостью II.17.2. Конструкция и технология производства электронной аппаратуры общего назначения II.17.2.1. Конструкция и технология производства записывающей аппаратуры II.17.2.1.1. Конструкция и технология производства накопителей на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая накопители с возможностью записи цифровых сигналов (т. е. использующей модуль цифровой записи высокой плотности), имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.1.1.1. полоса частот превышает 4 МГц на электронный канал или дорожку; II.17.2.1.1.2. полоса частот превышает 2 МГц на электронный канал или дорожку при числе дорожек более 42; II.17.2.1.1.3. ошибка рассогласования временной шкалы менее +0,1 мкс II.17.2.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства накопителей на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, указанных в пунктах I.16.2.1.1.-I.16.2.1.1.3. II.17.2.1.3. Конструкция и технология производства цифровых видеомагнитофонов, имеющих максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с, кроме специально спроектированных для телевизионной записи по стандартам или рекомендациям для гражданского телевидения II.17.2.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства цифровых видеомагнитофонов, указанных в пункте I.16.2.1.2. II.17.2.1.5. Конструкция и технология производства накопителей на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.1.5.1. максимальная пропускная способность цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с и использование методов спирального сканирования; II.17.2.1.5.2. максимальная пропускная способность цифрового интерфейса свыше 120 Мбит/с и использование фиксированных магнитных головок; II.17.2.1.5.3. по техническим условиям пригодны для космического применения __________________ Примечание Экспортный контроль по пункту II.17.2.5.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аналоговых накопителей на магнитной ленте, оснащенных электроникой для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенных для записи только цифровых данных II.17.2.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства накопителей на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, указанных в пунктах I.16.2.1.3.-I.16.2.1.3.3. II.17.2.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированной для переделки цифровых видеомагнитофонов в устройство записи данных цифровой аппаратуры II.17.2.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, указанной в пункте I.16.2.1.4. II.17.2.2. Конструкция и технология производства сборок синтезаторов частоты, имеющих время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс II.17.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства сборок синтезаторов частоты, указанных в пункте I.16.2.2. II.17.2.4. Конструкция и технология производства анализаторов сигналов: II.17.2.4.1. способных анализировать частоты, превышающие 31 ГГц: II.17.2.4.2. динамических анализаторов сигналов с полосой пропускания в реальном масштабе времени, превышающей 25,6 кГ - кроме тех, которые используют фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известные также как октавные или дробно-октавные фильтры) II.17.2.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства анализаторов сигналов, указанных в пунктах 1.16.2.3. - 1.16.2.3.2. II.17.2.6. Конструкция и технология производства генераторов сигналов синтезированных частот, формирующих выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильностью на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.2.6.1. максимальная синтезируемая частота, превышающая 31 ГГЦ II.17.2.6.2. время переключения частоты с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; II.17.2.6.3. фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) лучше чем - (126 + 20Ig(F) - 20Ig(f)) в единицах дБ/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц ___________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.17.2.6. - II.17.2.6.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, в которой выходная частота либо создается путем сложения или вычитания частот с двух и более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты II.17.2.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства генераторов сигналов синтезированных частот, указанных в пунктах I.16.2.4. - I.16.2.4.3. II.17.2.8. Конструкция и технология производства сетевых анализаторов с максимальной рабочей частотой, превышающей 31 ГГц _____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.2.8. не распространяется на конструкцию и технологию производства сетевых анализаторов с качающейся частотой, рабочая частота которых не превосходит 40 ГГц, и которые не имеют шины данных для интерфейса дистанционного управления II.17.2.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства сетевых анализаторов, указанных в пункте I.16.2.5. II.17.2.10. Конструкция и технология производства приемников-тестеров микроволнового диапазона, имеющих максимальную рабочую частоту более 31 ГГц и способных одновременно измерять амплитуду и фазу II.17.2.11. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства приемников-тестеров микроволнового диапазона, указанных в пункте I.16.2.6. II.17.2.12. Конструкция и технология производства атомных эталонов частоты, имеющих хотя бы один из следующих признаков II.17.2.12.1. долговременная стабильность (старение) менее -11 (лучше) 10 /мес; II.1.2.12.2. по техническим условиям пригодны для космического применения ______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.12.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства рубидиевых эталонов, не предназначенных для космического применения II.17.2.13. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства атомных эталонов частоты, указанных в пунктах II.16.2.7. - II.16.2.7.2. II.17.2.14. Конструкция и технология производства эмуляторов микросхем, указанных в пунктах I.16.1.1.1. или I.16.1.6. ______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.2.14. не распространяется на конструкцию и технологию производства эмуляторов, спроектированных под семейство, содержащее хотя бы один прибор, на который не распространяется экспортный контроль по пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6. II.17.2.15. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства эмуляторов микросхем, указанных в пункте I.16.2.8. II.17.3. Конструкция и технология производства оборудования для производства и испытания полупроводниковых приборов II.17.3.1. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством установок для эпитаксиального выращивания II.17.3.1.1. Конструкция и технология производства установок для эпитаксиального выращивания, способных выдерживать толщину эпитаксиального слоя с отклонением не более +-2,5 % на протяжении не менее 75 мм вдоль пластины II.17.3.1.2. Конструкция и технология производства установок химического осаждения металлорганических паров, специально предназначенных для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций материалов, указанных в пунктах I.6.11.-I.6.11.4. или I.6.12. II.17.3.1.3. Конструкция и технология установок молекулярно-лучевой эпитаксии, использующих газовые источники II.17.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения установок для эпитаксиального выращивания, указанных в пунктах I.16.3.1.- I.16.3.1.3. II.17.3.3. Конструкция и технология производства многофункциональных фокусируемых ионно-лучевых систем, снабженных программно-управляемым запоминающим устройством, специально спроектированных для производства, ремонта, анализа физической топологии и тестирования масок или полупроводниковых приборов, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.3.1. точность управления положением пучка на мишени 0,25 мкм или лучше; II.17.3.3.2. разрешающая способность цифро-аналогового преобразования свыше 12 бит II.17.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения многофункциональных фокусируемых ионно-лучевых систем, указанных в пунктах I.16.3.2. - I.16.3.2.2. II.17.3.5. Конструкция и технология производства многокамерного центра обработки полупроводниковых пластин с автоматической загрузкой и программно-управляющим запоминающим устройством, имеющего устройства для загрузки и выгрузки пластин, к которому должны быть присоединены более двух установок технологической обработки полупроводников, образуя комплексную вакуумированную систему для последовательной многопозиционной обработки пластин _______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.5. не распространяется на конструкцию и технологию производства автоматических робототехнических систем обработки пластин, не предназначенных для работы в вакууме II.17.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения многокамерного центра обработки полупроводниковых пластин, указанного в пункте I.16.3.3. II.17.3.7. Конструкция и технология производства установок литографии, снабженных программно-управляющим запоминающим устройством II.17.3.7.1. Конструкция и технология производства установок многократного совмещения и экспонирования для обработки пластин методами фотооптической или рентгеновской литографии, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.7.1.1. наличие источника освещения с длиной волны короче 400 нм; II.17.3.7.1.2. цифровая апертура свыше 0,40; II.17.3.7.1.3. точность совмещения +-0,20 мкм (3 сигма) или лучше ________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.7.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства установок многократного совмещения и экспонирования, имеющих длину волны источника освещения 436 нм или больше, цифровую апертуру 0,38 или меньше, диаметр изображения 22 мм и меньше II.17.3.7.2. Конструкция и технология производства установок, специально спроектированных для производства масок или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного пучка, ионного пучка или лазерного пучка, имеющих хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.7.2.1. размер пятна меньше чем 0,2 мкм; II.17.3.7.2.2. способность производить структуру с минимальными размерами менее 1 мкм; II.17.3.7.2.3. точность совмещения лучше +-0,20 мкм (3 сигма) II.17.3.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения установок литографии, указанных в пунктах I.16.3.4. - I.16.3.4.2.3. II.17.3.9. Технология производства масок или фотошаблонов II.17.3.9.1. Технология производства масок или фотошаблонов для интегральных схем, указанных в пунктах I.16.1. - I.16.1.1.8.2. II.17.3.9.2. Технология производства многослойных масок, оснащенных фазосдвигающим слоем II.17.3.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения масок или фотошаблонов, указанных в пунктах I.16.3.5. - I.16.3.5.2. II.17.3.11. Информация по способам оптимизации процессов совмещения скрытых локальных слоев и топологии интегральных схем с высокой точностью (лучше +-0,20 мкм) II.17.3.12. Конструкция и технология производства испытательной аппаратуры, снабженной программно-управляющим запоминающим устройством, специально спроектированной для испытания полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов: II.17.3.12.1. аппаратуры для замера параметров матрицы рассеяния на частотах свыше 31 ГГц; II.17.3.12.2. аппаратуры для испытания интегральных схем и их сборок, способной выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк свыше 40 МГц ______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытанной: сборок или класса сборок для бытовой электроники или развлечений; электронных компонентов, сборок или интегральных схем, не подлежащих экспортному контролю II.17.3.12.3. аппаратуры для испытания микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 31 ГГц; ______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально спроектированной для испытаний микроволновых интегральных схем, для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц II.17.3.12.4. электронно-лучевых систем, спроектированных для работ ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых систем для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющих одновременно стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием и электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В ________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.3.12.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства сканирующих электронных микроскопов, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов II.17.3.13. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры испытаний полупроводниковых приборов и бескорпусных кристаллов, указанных в пунктах I.16.3.6 - I.16.3.6.4. II.17.3.14. Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР) полупроводниковых приборов или интегральных схем, имеющее хотя бы один из следующих признаков: II.17.3.14.1. имеются правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; II.17.3.14.2. обеспечивается моделирование схем по их физической топологии; II.17.3.14.3. имеются имитаторы литографических процессов для проектирования ______________ Примечания: 1. Имитатор литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения с целью воплощения структур на фотошаблонах в конкретные топологические структуры проводников, диэлектриков или полупроводников 2. Экспортный контроль по пунктам 11.17.3.14. - 11.17.3.14.3. не распространяется на программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, раскладки и маршрутизации, создания магнитных лент для верификации топологии или формирования рисунка. Библиотеки, проектные атрибуты и сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология II.17.4. Конструкция и технология производства радиолокационных станций (РЛС), аппаратуры, узлов и специально разработанных компонентов ______________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.17.4.-II.17.4.20.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства: РЛС с активным ответом; автомобильных РЛС для предотвращения столкновений; дисплеев и мониторов, используемых для контроля воздушного движения, имеющих разрешение не более 12 элементов на мм II.17.4.1. Конструкция и технология производства РЛС, работающих на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеющих среднюю выходную мощность более 100 мВт II.17.4.2. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих перестраиваемую частоту в пределах более чем +-6,25 % от центральной рабочей частоты II.17.4.3. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих возможность работать на двух или более несущих частотах II.17.4.4. Конструкция и технология производства РЛС воздушного базирования, имеющих возможность функционирования в режимах синтезированной апертуры, обратной синтезированной апертуры или бокового обзора II.17.4.5. Конструкция и технология производства РЛС, включающих фазированные антенные решетки для электронного управления лучом II.17.4.6. Конструкция и технология производства РЛС, обладающих способностью нахождения высотных одиночных целей _______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.6. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры РЛС точной посадки, удовлетворяющей стандартам ИКАО, и метеорологических (погодных) РЛС II.17.4.7. Конструкция и технология производства РЛС, предназначенных специально для воздушного базирования и имеющих доплеровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей II.17.4.8. Конструкция и технология производства РЛС, использующих обработку сигнала методами расширения спектра или перестройки частоты II.17.4.9. Конструкция и технология производства РЛС, обеспечивающих наземное функционирование с максимальной инструментальной дальностью свыше 185 км _________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.9. не распространяется на конструкцию и технологию производства наземных РЛС наблюдения рыбных косяков II.17.4.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения РЛС, указанных в пунктах I.16.4.1. - I.16.4.9. II.17.4.11. Конструкция и технология производства лазерных локационных станций или лазерных дальномеров (ЛИДАРов); II.17.4.11.1. имеющих космическое применение; II.17.4.11.2. использующих методы когерентного гетеродинного или гомодинного детектирования и имеющих угловое разрешение менее (лучше) 20 мкрад _______________ Примечание: Экспортный контроль по пунктам II.17.4.11. - II.17.4.11.2 не распространяется на конструкцию и технологию производства ЛИДАРов, специально спроектированных для метеорологических наблюдений II.17.4.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения лазерных локационных станций или лазерных дальномеров, указанных в пунктах I.16.4.10. - I.16.4.10.2. II.17.4.13. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих подсистемы обработки сигнала в виде сжатия импульса с коэффициентом сжатия свыше 150 или шириной импульса менее 200 нс II.17.4.14. Конструкция и технология производства РЛС, имеющих подсистемы обработки данных: II.17.4.14.1. с автоматическим сопровождением целей, обеспечивающим при любом вращении антенны предполагаемое положение цели далее, чем до следующего прохождения луча антенны; _______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства средств выдачи сигнала для предупреждения столкновений системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС II.17.4.14.2. с вычислением скорости цели относительно РЛС, имеющей непериодическое сканирование; II.17.4.14.3. для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (сигналов или образов) для идентификации или классификации целей; II.17.4.14.4. с наложением, корреляцией или слиянием данных цели от двух или более пространственно распределенных на местности и взаимосвязанных датчиков РЛС для улучшения различения целей _______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.4.14.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства систем, оборудования и узлов для контроля морского движения II.17.4.15. Конструкция и технология производства импульсных РЛС измерения площади поперечного сечения с длительностью импульса 100 нс или менее и специальными компонентами II.17.4.16. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения РЛС, указанных в пунктах I.16.4.11. - I.16.4.13. II.17.4.17. Программное обеспечение для управления воздушным движением на компьютерах общего назначения, находящихся в центрах управления воздушным движением и обладающих следующими возможностями; II.17.4.17.1. обработка и отображение более чем 150 одновременных траекторий; II.17.4.17.2. прием РЛС информации о целях от более чем четырех первичных РЛС; II.17.4.17.3. автоматическая обработка с передачей данных о целях о первичных РЛС (в случае отсутствия корреляции с информацией наблюдения РЛС с активным ответом) с одного центра управления воздушным движением на другой центр управления II.17.4.18. Конструкция и технология производства антенных фазированных решеток, функционирующих на частотах выше 10,5 ГГц, содержащих активные элементы и распределенные компоненты, позволяющие осуществлять электронное управление формой и направлением луча, за исключением систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам ИКАО (система посадки СВЧ-диапазона) II.17.4.19. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения антенных фазированных решеток, указанных в пункте I.16.4.14. II.17.4.20. Программное обеспечение для разработки или производства обтекателей, которые: II.17.4.20.1. специально разработаны для защиты фазированных решеток с электронной перестройкой луча, указанных в пункте I.16.4.14. II.17.4.20.2. ограничивают увеличение среднего уровня боковых лепестков менее чем на 13 дБ для частот равных или выше 2 ГГц II.17.5. Конструкция и технология производства телекоммуникационной аппаратуры, узлов и компонентов II.17.5.1. Конструкция и технология производства телекоммуникационного оборудования любого типа, имеющего хотя бы одну перечисленных характеристик, свойств или качеств: II.17.5.1.1. специально разработанное для защиты от транзисторного эффекта или электромагнитного импульса, возникающих при ядерном взрыве; II.17.5.1.2. специально разработанное с повышенной стойкостью к гамма, нейтронному или ионному излучению; II.17.5.1.3. специально разработанное для функционирования за пределами интервала температур от 219 К о о (-54 С) до 397 К (124 С) _______________ Примечания: 1. Пункт II.17.5.1.3. применяется только в отношении конструкции и технологии производства электронной аппаратуры 2. Пункты II.17.5.1.2. и II.17.5.1.3. не применяются в отношении конструкции и технологии производства бортовой аппаратуры спутников II.17.5.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения телекоммуникационного оборудования, указанного в пунктах I.16.5.1. - I.16.5.1.3. II.17.6. Конструкция и технология производства телекоммуникационной аппаратуры передачи или специально разработанных компонентов и вспомогательного оборудования, содержащих: II.17.6.1. аппаратуру, использующую цифровые методы, включая цифровую обработку аналоговых сигналов, разработанную для функционирования при скорости цифровой передачи на верхнем пределе уплотнения свыше 45 Мбит/с или общей скорости цифровой передачи свыше 90 Мбит/с; ________________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.6.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально разработанной для включения и функционирования в любой спутниковой системе гражданского назначения II.17.6.2. аппаратуру цифровой коммутации со встроенным программным управлением и скоростью цифровой передачи свыше 8,5 Мбит/с на порт; II.17.6.3. аппаратуру, включающую: II.17.6.3.1. модемы, использующие полосу одного телефонного канала, со скоростью цифровой передачи свыше 9600 бит/с; II.17.6.3.2. контроллеры канала связи с цифровым выходом, имеющие скорость передачи свыше 64000 бит/с на канал; II.17.6.3.3. контроллеры доступа в сеть и связанную с ними общую среду со скоростью передачи свыше 33 Мбит/с; II.17.6.4. аппаратуру, использующую лазер и имеющую хотя бы одну из следующих характеристик: II.17.6.4.1. длина волны излучения лазера свыше 1000 нм; II.17.6.4.2. использование аналоговых методов и полосы частот более 45 МГц; II.17.6.4.3. когерентная оптическая передача или когерентные методы оптического детектирования (также называемые оптическими гетеродинными или гомодинными методами); II.17.6.4.4. использование методов уплотнения с разделением по длине волны; II.17.6.4.5. осуществление оптического усиления; II.17.6.5. радиоаппаратуру, функционирующую на частотах входного или выходного сигнала свыше: II.17.6.5.1. 31 ГГц для применения на наземных станциях систем спутниковой связи; II.17.6.5.2. 26,5 ГГц для других применений; _____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.6.5.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства радиоаппаратуры, рассчитанной на гражданское применение, функционирующей в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в соответствии с рекомендациями Международного союза электросвязи II.17.6.6. радиоаппаратуру, использующую квадратурную амплитудную модуляцию выше уровня 4 или другие цифровые методы модуляции и имеющую спектральную эффективность свыше 3 бит/(с*Гц); _____________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.6.6. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры, специально разработанной для включения и работы в любой спутниковой системе гражданского назначения II.17.6.7. радиоаппаратуру, функционирующую в диапазоне 1,5-87,5 МГц и имеющую какую-либо из указанных ниже характеристик: II.17.6.7.1. автоматические прогнозирование и выбор значений частот и общей скорости цифровой передачи для ее оптимизации; II.17.6.7.2. наличие линейного усилителя мощности, способного одновременно поддерживать множественные сигналы с выходной мощностью 1 кВт или более в частотном диапазоне 1,5-30 МГц, или 250 Вт или более в частотной диапазоне 30-87,5 МГц, свыше пределов мгновенной полосы одной октавы или более, с содержанием гармоник и искажений на выходе лучше 80 дБ; II.17.6.7.3. включающая адаптивные методы, обеспечивающие более чем 15 дБ подавления помехового сигнала; II.17.6.8. радиоаппаратуру, использующую расширение спектра или методы перестройки частоты, имеющую коды расширения, программируемые пользователем, или общую ширину полосы частот передачи в 100 или более раз превышающую полосу частот одного информационного канала и составляющую более чем 50 кГц; II.17.6.9. радиоприемники с цифровым управлением и более чем 1000 каналами, которые ищут или сканируют в части электромагнитного спектра, идентифицируют принятый сигнал или тип передатчика и имеют время переключения частоты менее 1 мс; II.17.6.10. аппаратуру, обеспечивающую функцию цифровой обработки сигналов в виде: II.17.6.10.1. кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с; II.17.6.10.2. использования схем, обеспечивающих программируемость пользователем схем цифровой обработки сигналов, превышающих пределы, указанные в пункте I.16.9.7.; II.17.6.11. системы подводной связи, имеющие любую из следующих характеристик: II.17.6.11.1. использование акустической несущей частоты за пределами интервала от 20 до 60 кГц; II.17.6.11.2. использование электромагнитной несущей частоты ниже 30 кГЦ; II.17.6.11.3. использование методов электронного сканирования луча II.17.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения телекоммуникационной передающей аппаратуры, указанной в пунктах I.16.5.2. - I.16.5.2.11.3. II.17.8. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации с встроенным программным управлением и связанными системами сигналообразования, имеющей любую из приведенных ниже характеристик, функций или качеств, и специально разработанные компоненты и вспомогательное оборудование II.17.8.1. Конструкция и технология производства систем сигналообразования общего канала, указанных в пункте I.16.5.3.1. II.17.8.2. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, выполняющей функции цифровых сетей интегрального обслуживания (ЦСИО), указанного в пунктах I.16.5.3.2. - I.16.5.3.2.2. II.17.8.3. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, имеющей многоуровневый приоритет и иерархию цепей коммутации, указанной в пункте I.16.5.3.3. II.17.8.4. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, имеющей адаптивную динамическую маршрутизацию, указанной в пункте I.16.5.3.4 II.17.8.5. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, имеющей маршрутизацию или коммутацию дейтограммных пакетов, указанной в пункте I.16.5.3.5. II.17.8.6. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, имеющей маршрутизацию или коммутацию пакетов быстрого выбора, указанной в пункте I.16.5.3.6. II.17.8.7. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, разработанной для автоматического вызова сотового радио к другим сотовым коммутаторам или для автоматического соединения абонентов с централизованной базой данных, являющейся общей более чем для одного коммутатора, указанной в пункте I.16.5.3.7. II.17.8.8. Конструкция и технология производства коммутаторов пакетов, каналов и маршрутизаторов, указанных в пунктах I.16.5.3.8.-I.16.5.3.8.2. II.17.8.9. Конструкция и технология производства аппаратуры оптической коммутации, указанной в пункте I.16.5.3.9. II.17.8.10. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, использующей методы асинхронного режима передачи, указанной в пункте I.16.5.3.10. II.17.8.11. Конструкция и технология производства аппаратуры коммутации, содержащей оборудование цифровой кросс-коммутации со встроенным программным управлением со скоростью передачи более 8,5 Мбит/с на порт, указанной в пункте I.16.5.3.11. II.17.9. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или применения аппаратуры коммутации, указанной в пунктах I.16.5.3. - I.16.5.3.11. II.17.10. Конструкция и технология производства комплекса аппаратуры централизованного управления сети, указанной в пункте I.16.5.4. II.17.11. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения комплекса аппаратуры централизованного управления сети, указанного в пункте I.16.5.4. 11.17.12. Технология для разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников II.17.13. Конструкция и технология производства комплектов аппаратуры лазерной связи со способностью автоматического захвата, слежения сигнала и поддержания связи через атмосферу или подповерхностную среду (воду) II.17.14. Технология для производства аппаратуры, использующей методы синхронной цифровой иерархии или синхронной оптической сети II.17.15. Технология производства коммутационных центров со скоростью свыше 64 кбит/с на информационный канал, отличных от цифровых кросс-соединителей, встроенных в переключатель (коммутатор) II.17.16. Технология для централизованного управления сетью II.17.17. Технология производства цифровых сотовых радиосистем II.17.18. Технология для производства цифровых сетей интегрального обслуживания (ЦСИО) II.17.19. Общее программное обеспечение в отличной от машинно-исполняемой форме, специально разработанное или модифицированное для использования систем или оборудования цифровой коммутации с встроенным программным управлением II.17.20. Программное обеспечение в отличной от машинно-исполняемой форме, специально разработанное или модифицированное для использования оборудования или систем цифрового сотового радио II.17.21. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, указанных в пунктах I.16.5.- I.16.5.4. II.17.22. Программное обеспечение, обеспечивающее способность восстановления программного кода телекоммуникационного программного обеспечения, указанного в пунктах II.17.7. - II.17.21. II.17.23. Конструкция и технология производства систем аппаратуры, специальных узлов, модулей или интегральных схем для защиты информации и других специально разработанных компонентов II.17.23.1. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением цифровых методов обеспечения защиты информации II.17.23.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных для использования в криптографии, на которые распространяется экспортный контроль по пункту I.16.6.1. II.17.23.3. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для выполнения криптоаналитических функций II.17.23.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для выполнения криптоаналитических функций II.17.23.5. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением аналоговых методов для обеспечения защиты информации, указанных в пункте I.16.6.3. II.17.23.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для использования в криптографии с применением аналоговых методов для обеспечения защиты информации, указанных в пункте I.16.6.3. II.17.23.7. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для подавления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию ______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.23.7. не распространяется на конструкцию и технологию производства аппаратуры специального подавления утечки излучений, вредных для здоровья или безопасности окружающих II.17.23.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для подавления нежелательной утечки сигнала, содержащего информацию, указанных в пункте I.16.6.4. II.17.23.9. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для применения криптографических методов генерации кода расширения спектра или перестройки частоты II.17.23.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для применения криптографических методов генерации кода расширения спектра или перестройки частоты II.17.23.11. Конструкция и технология производства аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для обеспечения сертифицированной или подлежащей сертификации многоуровневой защиты или изоляции пользователя на уровне, превышающем класс В2 критерия оценки надежных компьютерных систем или эквивалентном ему уровне II.17.23.12. Программное обеспечение, специально разработанное модифицированное для проектирования, производства или применения аппаратуры, узлов и компонентов, разработанных или модифицированных для обеспечения сертифицированной или подлежащей сертификации многоуровневой защиты или изоляции пользователя, на которые распространяется экспортный контроль по пункту I.16.6.6. II.17.23.13. Конструкция и технология производства кабельных систем связи, разработанных или модифицированных с использованием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа II.17.23.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения кабельных систем связи, указанные в пункте I.16.6.7. II.17.24. Программное обеспечение с характеристиками или выполняющее функции аппаратуры, указанной в пунктах I.16.6.1.-I.16.6.7. II.17.25. Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, указанного в пункте II.17.24. II.17.26. Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для защиты против нанесения преднамеренного ущерба, например, вирусов II.17.27. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, специально разработанных или приспособленных для решения задач криптографии и оснащенных оборудованием и программными средствами для защиты информации II.17.28. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства использования цифровых ЭВМ, указанных в пункте I.16.7 II.17.29. Конструкция и технология производства гибридных ЭВМ, а также сборок и специально созданной для них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.-I.16.8.2. II.17.30. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гибридных ЭВМ, а также сборок и специально созданной для них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.-I.16.8.2. II.17.31. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, их сборок и сопутствующего оборудования, а также специально созданной для них элементной базы: II.17.31.1. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, а также сборок, спроектированных для комбинированного распознавания, понимания и интерпретации изображений или непрерывной (связной) речи II.17.31.2. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, а также сборок, указанных в пункте I.16.9.2. спроектированных или модифицированных для обеспечения отказоустойчивости II.17.31.3. Конструкция и технология производства цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП) свыше 12,5 миллиона теоретических операций в секунду (мегатопсов) II.17.31.4. Конструкция и технология производства сборок цифровых ЭВМ, специально спроектированных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов, указанных в пунктах I.16.9.4. - I.16.9.4.2. II.17.31.5. Конструкция и технология производства накопителей на дисках и твердотельных приборов памяти II.17.31.5.1. Конструкция и технология производства накопителей на магнитных, перезаписываемых оптических или магнитооптических дисках с максимальной скоростью передачи информации, превышающей 25 Мбит/с II.17.31.5.2. Конструкция и технология производства твердотельных приборов памяти, не относящихся к оперативной памяти (известных также под названием твердотельных (жестких) дисков или дисков с произвольным доступом), с максимальной скоростью передачи информации, превышающей 36 Мбит/с II.17.31.6. Конструкция и технология производства устройств управления вводом-выводом, спроектированных для применения с оборудованием, указанным в пунктах I.16.9.5.1.-I.16.9.5.2. II.17.31.7. Конструкция и технология производства аппаратуры для обработки сигналов или улучшения качества изображения, имеющей совокупную теоретическую производительность свыше 8,5 миллионов теоретических операций в секунду (мегатопсов) II.17.31.8. Конструкция и технология производства графических акселераторов или графических сопроцессоров, превышающих скорость исчисления трехмерных векторов, равную 400000, а если аппаратно поддерживаются только двумерные вектора, то превышающих скорость исчисления двумерных векторов, равную 600000 _______________ Примечание: Пункт II.29.31.8. не распространяется на конструкцию на технологию производства рабочих станций, созданных и ограниченных графическим искусством (например, полиграфией, книгопечатанием) или отображением двумерных векторов II.17.31.9. Конструкция и технология производства цветных дисплеев или мониторов, имеющих более 12 разрешающих элементов на миллиметр в направлении максимальной плотности пикселей ______________ Примечание: Экспортный контроль по пункту II.17.31.9. не распространяется на конструкцию на технологию производства дисплеев или мониторов, не спроектированных специально для ЭВМ II.17.31.10. Конструкция и технология производства аппаратуры, содержащей в своем составе терминальный интерфейс, превосходящий пределы, установленные пунктом I.16.5.2.3., и на которую распространяется зкспортный контроль по пункту I.16.9.10. II.17.32. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения цифровых ЗВМ, сборок и сопутствующего оборудования, указанных в пунктах I.16.9. - I.16.9.10. II.17.33. Конструкция и технология производства вычислительных машин и специально спроектированного сопутствующего оборудования, их сборок и элементной базы II.17.33.1. Конструкция и технология производства систолических матричных вычислительных машин II.17.33.2. Конструкция и технология производства нейронных вычислительных машин II.17.33.3. Конструкция и технология производства оптических вычислительных машин II.17.34. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования вычислительных машин и специально спроектированного сопутствующего оборудования, указанных в пунктах I.16.10. - I.16.10.3. II.17.35. Технология производства оборудования, спроектированного для многопоточной обработки данных II.17.36. Технология производства накопителей на жестких магнитных дисках с максимальной скоростью передачи информации свыше 11 Мбит/с II.17.37. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, на которую распространяется экспортный контроль по пунктам II.17.35. и II.17.36. II.17.38. Специальное программное обеспечение: II.17.38.1. Программное обеспечение для доказательства корректности программы и испытания качества с применением математических и аналитических методов, разработанное или модифицированное под программы, имеющие свыше 500000 команд в исходных кодах II.17.38.2. Программное обеспечение, позволяющее автоматически генерировать исходные коды по данным, поступающим в режиме "он-лайн" с внешних датчиков, описанных в позициях данного перечня II.17.38.3. Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально спроектированные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах II.17.38.4. Экспертные системы или программное обеспечение для механизмов логического вывода экспертных систем, обладающие обоими признаками одновременно: правилами, зависящими от времени; примитивами для работы с временными характеристиками правил и факторов II.17.38.5. Операционные системы, специально спроектированные для оборудования обработки информации в реальном масштабе времени, гарантирующие полное время обработки прерывания меньше чем за 30 мкс ________________ Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Ноябрь
|
