|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 26.11.2007 № 809___________________ ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы ПЕРЕЧЕНЬ мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (В редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 19.08.2014 г. N 829) (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) ------------------------------------|-------------|----------------------------------------------------------------------------------------------|------------------------------------ | 2008-2015 | В том числе | Ожидаемые результаты | годы - |-----------|-----------|----------|--------|-----------|----------|-------------|-------------| | всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | | год | год | год | год | год | год | год | год | ------------------------------------|-------------|-----------|-----------|----------|--------|-----------|----------|-------------|-------------|------------------------------------ I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника 1. Разработка технологии 128,624 66 62,624 создание базовой технологии производства мощных _______ __ ______ производства мощных сверхвысокочастотных 84 44 40 сверхвысокочастотных транзисторов на основе транзисторов на основе гетероструктур материалов гетероструктур материалов группы группы А В А В для бортовой и наземной 3 5 3 5 аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 2. Разработка базовой технологии 202 30,5 39,5 53,25 31,8 46,95 создание базовой технологии производства монолитных ___ ____ ____ _____ ____ _____ производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем 134 20 26 35,5 21,2 31,3 сверхвысокочастотных микросхем и и объемных приемо-передающих объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей субмодулей X-диапазона X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В для бортовой и наземной 3 5 аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 3. Разработка базовой технологии 212,75 141,75 71 создание технологии производства производства мощных ______ ______ __ мощных транзисторов сверхвысокочастотных 134,75 87,75 47 сверхвысокочастотного диапазона полупроводниковых приборов на на основе нитридных основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации (2009 год) 4. Разработка базовой технологии 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии производства и библиотеки элементов для ___ __ ____ _____ ___ ___ на основе нитридных проектирования и производства 375 17 65 109 80 104 гетероэпитаксиальных структур монолитных интегральных схем мощных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотного монолитных интегральных схем диапазона на основе нитридных с рабочими частотами до 20 ГГц гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 5. Разработка базовой технологии 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии производства _______ ______ ____ производства компонентов для сверхвысокочастотных 101,7 59,7 42 сверхвысокочастотных интегральных компонентов и схем диапазона 2-12 ГГц с высокой сложнофункциональных блоков степенью интеграции для для сверхвысокочастотных аппаратуры радиолокации и связи интегральных схем высокой бортового и наземного применения, степени интеграции на основе а также бытовой и автомобильной гетероструктур "кремний - электроники (2009 год), германий" разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 6. Разработка базовой технологии 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии производства ______ ___ ____ ______ производства сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных 158,1 5 35 118,1 интегральных схем диапазона интегральных схем высокой 2-12 ГГц с высокой степенью степени интеграции на основе интеграции для аппаратуры гетероструктур "кремний - радиолокации и связи бортового и германий" наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 7. Разработка аттестованных 448,408 253 195,408 разработка аттестованных библиотек _______ ___ _______ библиотек сложнофункциональных сложнофункциональных блоков 308,75 169 139,75 блоков для проектирования для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных и сверхвысокочастотных интегральных радиочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами схем на основе гетероструктур до 150 ГГц, разработка комплектов "кремний - германий" документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 8. Разработка базовых технологий 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий проектирования ______ __ _____ _____ ____ ____ проектирования на основе кремний-германиевых 142 30 52 39,3 11,3 9,4 аттестованной библиотеки сверхвысокочастотных и сложнофункциональных блоков радиочастотных интегральных широкого спектра схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных интегральных библиотеки сложно- схем на SiGe с рабочими частотами функциональных блоков до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка базовых технологий 114,9 60 54,9 создание базовых технологий производства элементной базы _____ __ ____ производства элементной базы для для ряда силовых герметичных 74 40 34 высокоплотных источников модулей высокоплотных вторичного электропитания источников вторичного сверхвысокочастотных приборов и электропитания вакуумных и узлов аппаратуры (2009 год), твердотельных разработка комплектов сверхвысокочастотных приборов документации в стандартах единой и узлов аппаратуры системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 10. Разработка базовых технологий 126,913 79,513 47,4 создание базовых конструкций и производства ряда силовых _______ ______ ____ технологии производства герметичных модулей 73,1 41,5 31,6 высокоэффективных, высокоплотных высокоплотных источников источников вторичного вторичного электропитания электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и сверхвысокочастотных приборов узлов аппаратуры на основе и узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка базовых конструкций 226 151,2 74,8 создание технологии массового и технологии производства ___ _____ ____ производства ряда корпусов мощных корпусов мощных 152 102 50 сверхвысокочастотных приборов для сверхвысокочастотных "бессвинцовой" сборки (2009 год), транзисторов X-, C-, S-, L- и разработка комплектов P-диапазонов из малотоксичных документации в стандартах единой материалов с высокой системы конструкторской, теплопроводностью технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 12. Разработка базовых конструкций 83,5 13 40,5 30 создание базовых конструктивных теплоотводящих элементов ____ __ ____ __ рядов элементов систем охлаждения систем охлаждения 55 8 27 20 аппаратуры Х- и С-диапазонов сверхвысокочастотных приборов наземных, корабельных Х- и С-диапазонов и воздушно-космических комплексов на основе новых материалов 13. Разработка базовой технологии 109 64 45 создание технологии массового производства теплоотводящих ___ __ __ производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения 62 32 30 элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов аппаратуры Х- и С-диапазонов Х- и С-диапазонов на основе наземных, корабельных и новых материалов воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка базовых технологий 13 13 создание технологии массового производства суперлинейных __ __ производства конструктивного ряда кремниевых 8 8 сверхвысокочастотных транзисторов сверхвысокочастотных S- и L-диапазонов для техники транзисторов связи, локации и контрольной S- и L-диапазонов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка 208,9 139,9 69 создание конструктивно-параметрического _____ _____ __ конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых 115,9 69,9 46 ряда сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных транзисторов S- и транзисторов S- и L-диапазонов для техники L-диапазонов связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка технологии 32 18 14 разработка метрологической измерений и базовых __ __ __ аппаратуры нового поколения для конструкций установок 22 12 10 исследования и контроля автоматизированного измерения параметров полупроводниковых параметров нелинейных моделей структур, активных элементов и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных полупроводниковых структур, интегральных схем в производстве мощных транзисторов и и при их использовании сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства 17. Исследование и разработка 149,416 84,916 64,5 создание технологии базовых технологий для _______ ______ ____ унифицированных создания нового поколения 102 59 43 сверхширокополосных приборов мощных вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового диапазона и гибридных малогабаритных длин волн и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с магнитоэлектрических приборов для улучшенными массогабаритными перспективных радиоэлектронных характеристиками, систем и аппаратуры связи магнитоэлектрических приборов космического базирования сверхвысокочастотного (2009 год), разработка комплектов диапазона, в том числе документации в стандартах единой циркуляторов и фазовращателей, системы конструкторской, вентилей, высокодобротных технологической и резонаторов, перестраиваемых производственной документации, фильтров, микроволновых ввод в эксплуатацию приборов со спиновым производственной линии управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 18. Разработка базовых конструкций 118,45 77,5 40,95 разработка конструктивных рядов и и технологии производства ______ ____ _____ базовых технологий производства нового поколения мощных 85,3 58 27,3 сверхширокополосных приборов вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового диапазона и гибридных малогабаритных длин волн и сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных модулей с магнитоэлектрических приборов для улучшенными массогабаритными перспективных радиоэлектронных характеристиками, систем и аппаратуры связи магнитоэлектрических приборов космического базирования сверхвысокочастотного (2011 год), разработка комплектов диапазона, в том числе документации в стандартах единой циркуляторов и фазовращателей, системы конструкторской, вентилей, высокодобротных технологической и резонаторов, перестраиваемых производственной документации, фильтров, микроволновых ввод в эксплуатацию приборов со спиновым производственной линии управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 19. Исследование и разработка 110,5 65,5 45 создание технологических процессов и базовых технологий _____ ____ __ процессов производства нанопленочных малогабаритных 75,5 45,5 30 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно-емкостных емкостных матриц матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного монтажа назначения для печатного (2008 год), создание базовой монтажа и технологии получения сверхбыстродействующих сверхбыстродействующих (до (до 150 ГГц) приборов на 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с наногетероструктурах с квантовыми квантовыми дефектами эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 20. Разработка базовых конструкций 84,5 50 34,5 создание конструктивных рядов и и технологии производства ____ __ ____ базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных 53 30 23 нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно- резисторно-индуктивно-емкостных емкостных матриц матриц многофункционального многофункционального назначения для печатного монтажа назначения для печатного (2011 год), разработка комплектов монтажа документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка базовой технологии 133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии сверхвысокочастотных _______ ______ ______ производства элементов и p-i-n диодов, матриц, узлов 88 42 46 специальных элементов и блоков управления и портативных портативной аппаратуры фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств волн на основе связи, радиолокационных станций, магнитоэлектронных радионавигации, измерительной твердотельных и техники, автомобильных радаров, высокоскоростных цифровых охранных и сигнальных устройств приборов и устройств с (2009 год), разработка комплектов функциями адаптации и документации в стандартах единой цифрового диаграммообразования системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 22. Разработка базовых технологий 2323,262 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 210,129 224,55 создание конструктивных рядов и создания мощных вакуумных ________ ___ ______ _______ ______ ___ _____ _______ ______ базовых технологий проектирования сверхвысокочастотных устройств 1528,566 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 140,086 149,7 и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) 23. Разработка базовых технологий 1658,481 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 122,05 109,875 138,374 создание базовых конструкций и создания мощных твердотельных ________ _______ _______ _______ ______ ______ ______ _______ _______ технологий изготовления сверхвысокочастотных устройств 1094,1 103 166,5 192,4 195,7 189,9 81,1 73,25 92,25 сверхвысокочастотных мощных на базе нитрида галлия приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3-4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) 24. Исследование перспективных 1046,46 160,2 99,5 274,5 298,88 213,38 исследование технологических типов сверхвысокочастотных _______ _____ _____ _____ ______ ______ принципов формирования приборов и структур, 698,32 106,8 67,02 183 199,25 142,25 перспективных разработка технологических сверхвысокочастотных приборов и принципов их изготовления структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц 25. Разработка перспективных 1017,375 49,2 331,7 221,4 238,375 176,7 создание полного состава методов проектирования и ________ ____ _____ _____ _______ _____ прикладных программ моделирования 680,525 32,8 224,7 147,6 157,625 117,8 проектирования и оптимизации сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной сверхвысокочастотной компонентной базы, включая электронной компонентной базы проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе Всего по направлению 1 9694 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1021,1 857,259 753,004 ________ _______ ________ ________ ______ _______ ______ _______ _______ 6405,611 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 681,2 570,211 502 Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база 26. Разработка базовой технологии 106,65 60 46,65 создание технологии изготовления радиационно стойких ______ __ _____ микросхем на структурах "кремний сверхбольших интегральных схем 79,65 38 41,65 на сапфире" диаметром 150 мм уровня 0,5 мкм на структурах (2009 год), разработка правил "кремний на сапфире" диаметром проектирования базовых библиотек 150 мм элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 27. Разработка базовой технологии 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии изготовления радиационно стойких ______ ____ ______ ____ ____ микросхем с размерами элементов сверхбольших интегральных схем 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 0,35 мкм на структурах "кремний уровня 0,35 мкм на структурах на сапфире" диаметром 150 мм "кремний на сапфире" диаметром (2013 год), разработка правил 150 мм проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы 28. Разработка технологии 245,904 130 115,904 создание технологического базиса проектирования и _______ ___ _______ (технология проектирования, конструктивно-технологических 164 87 77 базовые технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих на структурах "кремний на устройств, постоянных изоляторе" с проектной нормой до запоминающих устройств, 0,25 мкм (2009 год) сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 29. Разработка технологии 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание технологического базиса проектирования и ______ _____ ______ ____ ____ (технология проектирования, конструктивно-технологических 235 54,3 110,7 52,6 17,4 базовые технологии), позволяющего решений библиотеки логических разрабатывать радиационно стойкие и аналоговых элементов, сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих на структурах "кремний на устройств, постоянных изоляторе" с проектной нормой до запоминающих устройств, 0,18 мкм сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 30. Разработка базовых 141,75 92 49,75 создание технологического технологических процессов ______ __ _____ процесса изготовления изготовления радиационно 97,65 63 34,65 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и базовой пьезоэлектрической и технологии создания, изготовления магниторезистивной памяти с и аттестации радиационно стойкой проектными нормами 0,35 мкм пассивной электронной и пассивной радиационно компонентной базы (2009 год) стойкой элементной базы 31. Разработка базовых 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологического технологических процессов ______ ____ ______ ____ ____ процесса изготовления изготовления радиационно 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных схем стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) пьезоэлектрической и и создания, изготовления и магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной пассивной радиационно стойкой компонентной базы (2013 год) элементной базы 32. Разработка технологии "кремний 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного ряда на сапфире" изготовления ряда _______ ______ ______ цифровых процессоров, лицензионно-независимых 73 38 35 микроконтроллеров, оперативных радиационно стойких запоминающих программируемых и комплементарных полевых перепрограммируемых устройств, полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых преобразователей интегральных схем цифровых в радиационно стойком исполнении процессоров обработки для создания специальной сигналов, микроконтроллеров и аппаратуры нового поколения схем интерфейса 33. Разработка технологии структур 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии с ультратонким слоем кремния _______ ______ ______ ____ ____ проектирования и изготовления на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год) 34. Разработка базовой технологии 92,669 51 41,669 разработка конструкции и модели и приборно-технологического ______ __ ______ интегральных элементов и базиса производства 73,15 40 33,15 технологического маршрута радиационно стойких изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", типа "система на кристалле" с радиационно стойкой силовой расширенным температурным электроники для аппаратуры диапазоном, силовых транзисторов питания и управления и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год) 35. Разработка элементной базы 74,471 36,2 38,271 создание ряда микронанотриодов радиационно стойких ______ ____ ______ и микронанодиодов с наивысшей интегральных схем на основе 50,6 26,1 24,5 радиационной стойкостью для полевых эмиссионных долговечной аппаратуры микронанотриодов космического базирования 36. Создание информационной базы 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса моделей радиационно стойкой _____ ____ ____ ____ _____ расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы, 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 электронной компонентной базы для содержащей модели интегральных определения технически компонентов, функционирующих в обоснованных норм испытаний условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 37. Разработка библиотек 847,488 105 184,5 251,2 195,038 111,75 создание технологии стандартных элементов и _______ ___ _____ _____ _______ ______ проектирования и изготовления сложнофункциональных блоков 565,025 70 123 167,5 130,025 74,5 микросхем и сложнофункциональных для создания радиационно блоков на основе ультратонких стойких сверхбольших слоев на структуре "кремний на интегральных схем сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) 38. Разработка расширенного ряда 921,488 187,5 185 141,25 216,75 190,988 разработка расширенного ряда радиационно стойких _______ _____ ___ ______ ______ _______ цифровых процессоров, сверхбольших интегральных схем 613,825 125 123 94 144,5 127,325 микроконтроллеров, оперативных для специальной аппаратуры запоминающих программируемых связи, обработки и передачи и перепрограммируемых устройств, информации, систем управления аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования 39. Разработка и совершенствование 834,4801 75 275 210,75 128,1551 145,575 разработка комплекса моделей методов моделирования и ________ __ ___ ______ ________ _______ расчета радиационной стойкости проектирования радиационно 555,9867 50 183 140,5 85,4367 97,05 электронной компонентной базы для стойкой элементной базы определения технически обоснованных норм испытаний 40. Разработка и совершенствование 916,75 180 191 177,5 189,75 178,5 создание технологического базиса базовых технологий и ______ ___ ___ _____ ______ _____ (технология проектирования, конструкций радиационно 602 120 123 113,5 126,5 119 базовые технологии), позволяющего стойких сверхбольших разрабатывать радиационно стойкие интегральных схем на сверхбольшие интегральные схемы структурах "кремний на на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на сапфире" с проектной нормой не изоляторе" с топологическими менее 0,18 мкм (2014 год), нормами не менее 0,18 мкм создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) Всего по направлению 2 5829,2381 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 980,6 729,6931 626,813 _________ _______ _______ _______ ______ ______ _____ ________ _______ 3856,1867 292,1 245,95 161,7 819,6 780 652,5 486,4617 417,875 Направление 3. Микросистемная техника 41. Разработка базовых технологий 184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий микроэлектромеханических _______ _______ ______ (2009 год) и комплектов систем 117,9 105,9 12 технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по 2 и 3 осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 42. Разработка базовых конструкций 423,712 87,239 73,473 108 82,5 72,5 разработка базовых конструкций и микроэлектромеханических _______ ______ ______ ___ ____ ____ комплектов необходимой систем 263,8 42,1 49,7 72 55 45 конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 43. Разработка базовых технологий 202,784 122,356 44,428 36 создание базовых технологий микроакусто- _______ _______ ______ __ (2009 год) и комплектов электромеханических систем 132,15 78,55 29,6 24 необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 44. Разработка базовых конструкций 411,574 52 103,825 88,5 167,249 разработка базовых конструкций и микроакустоэлектромеханических _______ __ _______ ____ _______ комплектов необходимой систем 258,8 28 60,3 59 111,5 конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов 45. Разработка базовых технологий 37 37 создание базовых технологий микроаналитических систем __ __ изготовления элементов 25 25 микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно- коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 46. Разработка базовых конструкций 134 47 60 27 создание базовых конструкций микроаналитических систем ___ __ __ __ микроаналитических систем, 78 20 40 18 предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 47. Разработка базовых технологий 42,444 15,358 27,086 создание базовых технологий микрооптоэлектромеханических ______ ______ ______ выпуска трехмерных оптических и систем 27 10,2 16,8 акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектро- механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год) 48. Разработка базовых конструкций 109,278 33,95 48,328 27 разработка базовых конструкций и микрооптоэлектромеханических _______ _____ ______ __ комплектов конструкторской систем 70 21 31 18 документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения 49. Разработка базовых технологий 55,008 55,008 создание базовых технологий микросистем анализа магнитных ______ ______ изготовления микросистем анализа полей 36 36 магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) 50. Разработка базовых конструкций 153,518 39,518 93 21 разработка базовых конструкций и микросистем анализа магнитных _______ ______ __ __ комплектов конструкторской полей 98,018 22,018 62 14 документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях 51. Разработка базовых технологий 123,525 43,274 80,251 разработка и освоение в радиочастотных _______ ______ ______ производстве базовых технологий микроэлектромеханических 80,662 28,45 52,212 изготовления радиочастотных систем микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) 52. Разработка базовых конструкций 142,577 35,6 63,477 43,5 разработка базовых конструкций и радиочастотных _______ ____ ______ ____ комплектов конструкторской микроэлектромеханических 96 25 42 29 документации на изготовление систем радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий 53. Разработка методов и средств 38,915 38,915 создание методов и средств обеспечения создания и ______ ______ контроля и измерения параметров и производства изделий 22,8 22,8 характеристик изделий микросистемной техники микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии 54. Разработка перспективных 1077 345 315 256,5 160,5 создание базовых технологий технологий и конструкций ____ ___ ___ _____ _____ выпуска трехмерных оптических и микрооптоэлектромеханических 718 230 210 171 107 акустооптических функциональных систем для оптической элементов, аппаратуры, систем отображения микрооптоэлектромеханических изображений, научных систем для коммутации и модуляции исследований и специальной оптического излучения (2012 год), техники акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации оптического излучения (2015 год) 55. Разработка и совершенствование 791,25 150 262,5 142,5 112,5 123,75 создание методов и средств методов и средств контроля, ______ ___ _____ _____ _____ ______ контроля и измерения параметров и испытаний и аттестации изделий 527,5 100 175 95 75 82,5 характеристик изделий микросистемотехники микросистемотехники 56. Разработка перспективных 868,5 360 253,5 156,75 98,25 создание перспективных технологий технологий и конструкций _____ ___ _____ ______ _____ изготовления элементов микроаналитических систем для 579 240 169 104,5 65,5 микроаналитических систем, аппаратуры контроля и чувствительных к газовым, обнаружения токсичных, химическим и биологическим горючих, взрывчатых и компонентам внешней среды, наркотических веществ предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год) Всего по направлению 3 4795,3 476,964 466,233 442,103 465 1050 986,75 525,75 382,5 _______ _______ _______ _______ ___ ____ ______ ______ _____ 3130,63 306,9 268,73 285 310 700 654,5 350,5 255 Направление 4. Микроэлектроника 57. Разработка технологии и 308,667 219,3 89,367 разработка комплекта развитие методологии _______ _____ ______ нормативно-технической проектирования изделий 178,4 129,5 48,9 документации по проектированию микроэлектроники: изделий микроэлектроники, разработка и освоение создание отраслевой базы данных с современной технологии каталогами библиотечных элементов проектирования универсальных и сложнофункциональных блоков с микропроцессоров, процессоров каталогизированными результатами обработки сигналов, аттестации на физическом уровне, микроконтроллеров и "системы разработка комплекта на кристалле" на основе нормативно-технической и каталогизированных технологической документации по сложнофункциональных блоков и взаимодействию центров библиотечных элементов, в том проектирования в сетевом режиме числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 58. Разработка и освоение базовой 34,569 22,7 11,869 разработка комплекта технологии производства ______ ____ ______ технологической документации и фотошаблонов с технологическим 22,7 14,7 8 организационно-распорядительной уровнем до 0,13 мкм в целях документации по взаимодействию обеспечения информационной центров проектирования и центра защиты проектов изделий изготовления фотошаблонов микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 59. Разработка семейств и серий 852,723 350,836 501,887 разработка комплектов изделий микроэлектроники: _______ _______ _______ документации в стандартах единой универсальных микропроцессоров 490,2 190,1 300,1 системы конструкторской, для встроенных применений, технологической и универсальных микропроцессоров производственной документации, для серверов и рабочих изготовление опытных образцов станций, цифровых процессоров изделий и организация серийного обработки сигналов, производства сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода - вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит, схем приемопередатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания 60. Разработка базовых серийных 2236,828 1129,878 971,95 135 разработка комплектов технологий изделий ________ ________ ______ ___ документации в стандартах единой микроэлектроники: 1299 592,3 616,7 90 системы конструкторской, цифроаналоговых и технологической и аналого-цифровых производственной документации, преобразователей на частотах изготовление опытных образцов выше 100 МГц с разрядностью изделий и организация серийного более 14-16 бит, производства микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 61. Разработка технологии и 545,397 304,9 240,497 разработка комплектов освоение производства изделий _______ _____ _______ документации в стандартах единой микроэлектроники с 308,8 168,3 140,5 системы конструкторской, технологическим уровнем технологической документации и 0,13 мкм ввод в эксплуатацию производственной линии 62. Разработка базовой технологии 939,45 196 360 154 229,45 разработка комплектов формирования многослойной ______ ___ ___ ___ ______ документации в стандартах единой разводки (7-8 уровней) 587,3 102 240 99 146,3 системы конструкторской, сверхбольших интегральных технологической и схем на основе Al и Cu производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 63. Разработка технологии и 519,525 235,513 168,512 115,5 разработка комплектов организация производства _______ _______ _______ _____ документации в стандартах единой многокристальных 288,9 101 110,9 77 системы конструкторской, микроэлектронных модулей для технологической и мобильных применений с производственной документации, использованием полимерных и ввод в эксплуатацию металлополимерных микроплат производственной линии и носителей 64. Разработка новых методов 133,8 67 66,8 разработка технологической и технологических испытаний _____ __ ____ производственной документации, изделий микроэлектроники, 133,8 67 66,8 ввод в эксплуатацию гарантирующих их повышенную специализированных участков надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 65. Разработка современных методов 243,77 131,9 111,87 разработка комплектов анализа отказов изделий ______ _____ ______ документации, включая микроэлектроники с применением 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые методики, ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию (ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.) 66. Разработка базовых 1170,325 310 354,45 285 220,875 создание технологии сверхбольших субмикронных технологий ________ ___ ______ ___ _______ интегральных схем, уровней 0,065 - 0,045 мкм 773,55 200 236,3 190 147,25 создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров 67. Исследование технологических 1372,075 383 383,45 334,875 270,75 создание технологии сверхбольших процессов и структур для ________ ___ ______ _______ ______ интегральных схем технологических субмикронных технологий 894,45 245 245,7 223,25 180,5 уровней 65-45 нм, организация уровней 0,032 мкм опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) 68. Разработка перспективных 1372,376 166,05 402,7 318 288,38 197,246 создание технологий и конструкций технологий и конструкций ________ ______ _____ ___ ______ _______ перспективных изделий изделий интеллектуальной 902,946 110,7 261,8 212 192,25 126,196 интеллектуальной силовой силовой электроники для микроэлектроники для применения в применения в аппаратуре аппаратуре промышленного и бытового и промышленного бытового назначения, применения, на транспорте, в создание встроенных интегральных топливно-энергетическом источников питания комплексе и в специальных (2013-2015 годы) системах 69. Разработка перспективных 1649,14 300 356,4 205 413,25 374,49 разработка перспективной технологий сборки сверхбольших _______ ___ _____ ___ ______ ______ технологии многокристальных интегральных схем в 1072,36 200 224,2 123 275,5 249,66 микроэлектронных модулей для многовыводные корпуса, в том мобильных применений с числе корпуса с матричным использованием полимерных и расположением выводов, и металлополимерных микроплат и технологий многокристальной носителей (2015 год) сборки, включая создание "систем в корпусе" Всего по направлению 4 11378,645 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1490,35 1321,505 1063,361 _________ ________ ________ _______ ______ ______ _______ ________ ________ 7196,176 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 963,3 881 703,606 Направление 5. Электронные материалы и структуры 70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических производства новых __ __ __ материалов на основе диэлектрических материалов на 49 32 17 ромбоэдрической модификации основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с подложек из повышенной теплопроводностью поликристаллического алмаза и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 71. Разработка технологии 93,663 46,233 47,43 создание технологии производства производства ______ ______ _____ гетероэпитаксиальных структур гетероэпитаксиальных структур 54,24 22,62 31,62 и структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
