|
Расширенный поиск
Указ Президента Российской Федерации от 05.05.2004 № 580прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов; 2.5.3.4. Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления; 2.5.3.5. Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления; 2.5.3.6. Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод- углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния) Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий ------------------------------------------------------------------- Процесс | Подложки | Получаемое нанесения | | покрытие покрытия (1)* | | ------------------------------------------------------------------- 1. Химическое суперсплавы алюминиды на осаждение из поверхности внутренних паровой фазы каналов (CVD) керамика (19) и стекла силициды, с малым коэффициентом карбиды, линейного расширения диэлектрические слои (14) (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) углерод-углерод, силициды, композиционные карбиды, материалы с тугоплавкие металлы, керамической или смеси перечисленных металлической матрицей выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора металлокерамический карбиды, карбид вольфрама (16), вольфрам, карбид кремния (18) смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) молибден и его сплавы диэлектрические слои (15) бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) 2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом 2.1. Физическое суперсплавы сплавы на основе осаждение из силицидов, паровой фазы, сплавы на основе полученной алюминидов (2), MCrAlX нагревом (5), модифицированный электронным диоксид циркония (12), пучком силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4) керамика (19) и стекла диэлектрические слои с малым коэффициентом (15) линейного расширения (14) коррозионно-стойкие MCrAlX (5), стали (7) модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) углерод-углерод, силициды, композиционные карбиды, материалы с тугоплавкие металлы, керамической или смеси перечисленных металлической матрицей выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора металлокерамический карбиды, карбид вольфрама (16), вольфрам, карбид кремния (18) смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) молибден и его сплавы диэлектрические слои (15) бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15), бориды, бериллий материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15) титановые сплавы (13) бориды, нитриды 2.2. Ионно- керамика (19) и стекла диэлектрические слои ассистирован- с малым коэффициентом (15), ное физическое линейного расширения алмазоподобный углерод осаждение из (14) паровой фазы, углерод-углерод, диэлектрические слои полученной композиционные (15) резистивным материалы с нагревом керамической или (ионное металлической матрицей осаждение) металлокерамический диэлектрические слои карбид вольфрама (16), (15) карбид кремния (18) молибден и его сплавы диэлектрические слои (15) бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15) материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмазоподобный углерод (17) 2.3. Физическое керамика (19) и стекла силициды, осаждение из с малым коэффициентом диэлектрические слои паровой фазы, линейного расширения (15), полученной (14) алмазоподобный углерод лазерным (17) нагревом углерод-углерод, диэлектрические слои композиционные (15) материалы с керамической или металлической матрицей металлокерамический диэлектрические слои карбид вольфрама (16), (15) карбид кремния (18) молибден и его сплавы диэлектрические слои (15) бериллий и его сплавы диэлектрические слои (15) материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмазоподобный углерод (17) 2.4. Физическое суперсплавы сплавы на основе осаждение из силицидов, паровой фазы, сплавы на основе полученной алюминидов (2), MCrAlX катодно- (5) дуговым разрядом полимеры (11) и бориды, композиционные карбиды, материалы с нитриды, органической матрицей алмазоподобный углерод (17) 3. Твердофазное углерод-углерод, силициды, диффузионное композиционные карбиды, насыщение (10) материалы с смеси перечисленных керамической или выше материалов (4) металлической матрицей титановые сплавы (13) силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2) тугоплавкие металлы и силициды, сплавы (8) оксиды 4. Плазменное суперсплавы MCrAlX (5), напыление модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель- графитовый материал, истираемый никель-хром- алюминиевый сплав, истираемый алюминиево- кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2) алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4) тугоплавкие металлы и алюминиды, сплавы (8) силициды, карбиды коррозионно-стойкие MCrAlX (5), стали (7) модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) титановые сплавы (13) карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель- графитовый материал, истираемый никель-хром- алюминиевый сплав, истираемый алюминиево- кремниевый сплав, содержащий полиэфир 5. Нанесение тугоплавкие металлы и оплавленные силициды, шликера сплавы (8) оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов) углерод-углерод, силициды, композиционные карбиды, материалы с смеси перечисленных керамической или выше материалов (4) металлической матрицей 6. Осаждение суперсплавы сплавы на основе распылением силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4) керамика (19) и стекла силициды, с малым коэффициентом платина, линейного расширения смеси перечисленных (14) выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) титановые сплавы (13) бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды углерод-углерод, силициды, композиционные карбиды, материалы с тугоплавкие металлы, керамической или смеси перечисленных металлической матрицей выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора металлокерамический карбиды, карбид вольфрама (16), вольфрам, карбид кремния (18) смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора молибден и его сплавы диэлектрические слои (15) бериллий и его сплавы бориды, диэлектрические слои (15), бериллий материалы окон диэлектрические слои датчиков (9) (15), алмазоподобный углерод (17) тугоплавкие металлы и алюминиды, сплавы (8) силициды, оксиды, карбиды 7. Ионная высокотемпературные присадки хрома, имплантация подшипниковые стали тантала или ниобия титановые сплавы (13) бориды, нитриды бериллий и его сплавы бориды металлокерамический карбиды, карбид вольфрама (16) нитриды _____________ *См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках. Примечания к таблице: 1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий 2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов 3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия 4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице 5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, Х - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01 % (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме: а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома, менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия; б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22-24 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,5-0,7 % (по весу) иттрия; в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21-23 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,9-1,1 % (по весу) иттрия 6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К о (20 С) 7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта 8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал 9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний 10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2 11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны 12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются 13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при о температуре 293 К (20 С) 14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К о -7 -1 (20 С) коэффициент линейного расширения 10 K или менее 15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл 16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель 17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любое из следующего: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и прессформы для штамповки, оргтехника, микрофоны и медицинские приборы 18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением 19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5 % (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами Технические примечания к таблице: Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом: 1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера Особые примечания: а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс; б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь; в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении 2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку. Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии. Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем: а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие; б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия; в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч; г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса 3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из: а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия. Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой о о от 1030 К (757 С) до 1375 К (1102 С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия 4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного; б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе о сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 С) и давлению 0,1 Мпа, превышает 750 м/с. 5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия 6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку Особые примечания: а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы; б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ) 7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением Некоторые пояснения к таблице. Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости: 1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне: 1.1.1. Состав раствора: 1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений; 1.1.1.2. Для приготовления новых подложек; 1.1.2. Время обработки; 1.1.3. Температура ванны; 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов; 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки; 1.3. Параметры цикла термообработки: 1.3.1. Атмосферные параметры: 1.3.1.1. Состав атмосферы; 1.3.1.2. Давление; 1.3.2. Температура термообработки; 1.3.3. Время термообработки; 1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки: 1.4.1. Параметры пескоструйной обработки: 1.4.1.1. Состав крошки, дроби; 1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби; 1.4.1.3. Скорость крошки; 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки; 1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности; 1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии; 1.5. Параметры маски: 1.5.1. Материал маски; 1.5.2. Расположение маски 2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице: 2.1. Параметры атмосферы: 2.1.1. Состав; 2.1.2. Давление; 2.2. Время; 2.3. Температура; 2.4. Толщина; 2.5. Коэффициент преломления; 2.6. Контроль состава покрытия 3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость дроби; 3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки; 3.3. Параметры цикла термообработки: 3.3.1. Параметры атмосферы: 3.3.1.1. Состав; 3.3.1.2. Давление; 3.3.2. Температура и время цикла; 3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки 4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице: 4.1. Критерии для статистической выборки; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Увеличения; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности; 4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны): 4.3.1. Коэффициент отражения; 4.3.2. Коэффициент пропускания; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние 5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице: 5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD): 5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия; 5.1.2. Состав газа-носителя; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температура - время - давление циклов; 5.1.5. Управление потоком газа и подложкой; 5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом: 5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав газа-реагента; 5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала; 5.2.5. Температура - время - давление циклов; 5.2.6. Управление пучком и подложкой; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения: 5.3.1. Состав засыпки и химическая формула; 5.3.2. Состав газа-носителя; 5.3.3. Температура - время - давление циклов; 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав); 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.4.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой; 5.5. Для осаждения распылением: 5.5.1. Состав мишени и ее изготовление; 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени; 5.5.3. Состав газа-реагента; 5.5.4. Напряжение смещения; 5.5.5. Температура - время - давление циклов; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Управление деталью (подложкой); 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Управление пучком и подложкой; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температура - время - давление циклов; 5.7. Для ионного осаждения: 5.7.1. Управление пучком и подложкой; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температура - время - давление циклов; 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения ------------------------------------------------------------------- N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД ------------------------------------------------------------------- КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА 3.1. Системы, оборудование и компоненты Примечания: 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 3.1.1. Электронные компоненты: 3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: 3.1.1.1.1. Интегральные схемы, 8542 спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 3 а) суммарную дозу 5 х 10 Гр (Si) 5 [5 х 10 рад] или выше; б) мощность дозы 6 8 5 х 10 Гр (Si)/с [5 х 10 рад/с] или выше; или в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий 13 энергии в 1 МэВ) 5 х 10 н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов Примечание. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре); 3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542 микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: а) работоспособные при температуре окружающей среды выше о 398 К (+125 С); б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже о 218 К (-55 С); или в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей о среды от 218 К (-55 С) до 398 К о (+125 С) Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; 3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: 3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых 8542 21 45; соединениях и работающие на 8542 21 500 0; тактовой частоте, превышающей 8542 21 83; 40 МГц; или 8542 21 850 0; 8542 60 000 3.1.1.1.3.2. Более одной шины данных или 8542 21 45; команд либо последовательный порт 8542 21 500 0; связи, что обеспечивает прямое 8542 21 83; внешнее соединение между 8542 21 850 0; параллельными микросхемами 8542 60 000 микропроцессоров со скоростью передачи, превышающей 150 Мбайт/с Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры; 3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 21 45; изготовленные на 8542 21 500 0; полупроводниковых соединениях; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для 8542 29 600 0; аналого-цифровых и 8542 29 900 9; цифроаналоговых преобразователей: 8542 60 000 9 а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 12 бит с общим временем преобразования менее 5 нс; разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования менее 20 нс; разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит с общим временем преобразования менее 200 нс; или разрешающую способность более 14 бит с общим временем преобразования менее 1 мкс; б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс Технические примечания: 1. Разрешающая способность n n битов соответствует 2 уровням квантования 2. Общее время преобразования является величиной, обратной частоте выборки; 3.1.1.1.6. Электронно-оптические и 8542 оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: а) один внутренний лазерный диод или более; б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и в) световоды; 3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542 21 690 0; логические устройства, имеющие 8542 21 990 0 любую из следующих характеристик: а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами); б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или в) частоту переключения выше 133 МГц Примечание. Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС) Особое примечание. Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы; 3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных 8542 сетей; 3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, 8542 21 690 0; функции которых неизвестны или 8542 21 990 0; изготовителю не известно, 8542 29; распространяется ли статус 8542 60 000 контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: а) более 1000 выводов; б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; 3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, 8542 иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; 3.1.1.1.11. Процессоры быстрого 8542 21 45; преобразования Фурье, имеющие 8542 21 500 0; расчетное время выполнения 8542 21 83; комплексного N-точечного сложного 8542 21 850 0; быстрого преобразования Фурье 8542 60 000 менее (N log N)/20 480 мс, где 2 N - количество точек Техническое примечание. В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс Примечания: 1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы; 3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: 3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: 3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного 8540 79 000 0 или непрерывного действия: а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7 % или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе; 3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного 8540 71 000 0 типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, 8540 99 000 0 разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) частота не превышает 31 ГГц; и б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения 2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам: а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; 3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы 8542 29; или модули, которые: 8542 60 000; а) содержат монолитные 8542 70 000 0 интегральные схемы, имеющие один или более активных элементов; и б) работают на частотах выше 3 ГГц Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули для оборудования, разработанного или предназначенного для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) не превышает 31 ГГц; б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения 2. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц; 3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 8541 21 000 0; предназначенные для работы на 8541 29 000 0 частотах, превышающих 31 ГГц; 3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные 8543 89 950 0 усилители, имеющие любую из следующих характеристик: а) работающие на частотах, превышающих 10,5 ГГц, и имеющие мгновенную ширину полосы частот более половины октавы; или б) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; 3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные 8543 89 950 0 фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (f / f ) менее чем max min за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу пропускания частоты более 0,5 % от резонансной частоты; или б) полосу подавления частоты менее 0,5 % от резонансной частоты; 3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные 8529 10 700 9; работать на частотах, превышающих 8542 70 000 0 31 ГГц; 3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 8543 89 950 0 разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; 3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности 8543 89 950 0 СВЧ-диапазона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: а) рабочие частоты выше 3 ГГц; б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и в) объем менее 400 куб. см Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; 3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты: 3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных 8541 60 000 0 акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц; 3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0 волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 1 ГГц; 3.1.1.3.3. Акустооптические приборы 8541 60 000 0 обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; 3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540; содержащие компоненты, 8541; изготовленные из сверхпроводящих 8542; материалов, специально 8543 спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее -14 10 Дж; или б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000; 3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства: 3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических элементов: 3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с 8506; плотностью энергии, превышающей 8507; 480 Вт х ч/кг, и пригодные для 8541 40 900 0 работы в диапазоне температур от о ниже 243 К (-30 С) до выше 343 К о (70 С); 3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи 8506; с плотностью энергии более 8507; 150 Вт х ч/кг после 75 циклов 8541 40 900 0 заряд-разряда при токе разряда, равном С/5 (С - номинальная емкость в ампер-часах, 5 - время разряда в часах), при работе в диапазоне температур от ниже о 253 К (-20 С) о до выше 333 К (60 С) Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75 % от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в килограммах; 3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения 8506; в космосе, и радиационно стойкие 8507; сборки фотоэлектрических 8541 40 900 0 элементов с удельной мощностью более 160 Вт/кв. м при рабочей о температуре 301 К (28 С) и облучении от вольфрамового источника, нагретого до о температуры 2800 К (2527 С) с плотностью мощности излучения 1 кВт/кв. м Примечание. По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи объемом 27 куб. см или менее (например, стандартные элементы с угольными стержнями или батареи типа R14); 3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы: 3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения 8506; ниже 10 Гц (одноразрядные 8507; конденсаторы), имеющие все 8532 следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и в) полную энергию 25 кДж или более; 3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506; 10 Гц и выше (многоразрядные 8507; конденсаторы), имеющие все 8532 следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; в) полную энергию 100 Дж или более; и г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более; 3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты 8504 50; и соленоиды, специально 8505 90 100 0 разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии; 3.1.1.6. Цифровые преобразователи 9031 80 320 0; абсолютного углового положения 9031 80 340 0 вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или б) точность лучше +-2,5 угл. с 3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: 3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее: 3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной 8520 32 500 0; ленте показаний аналоговой 8520 32 990 0; аппаратуры, включая аппаратуру с 8520 39 900 0; возможностью записи цифровых 8520 90 900 0; сигналов (например, использующие 8521 10 300 0; модуль цифровой записи высокой 8521 10 800 0 плотности), имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (ЕIA), менее +-0,1 мкс Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту; 3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на 8521 10; магнитной ленте, имеющие 8521 90 000 0 максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; 3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной 8471 70 600 0; ленте показаний цифровой 8521 10 аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; 3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной 8521 90 000 0 пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 3.1.2.1.5. Приборы для преобразования 8471 90 000 0; сигналов в цифровую форму и записи 8543 89 950 0 переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования; 3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой 8471 50; аппаратуры, использующие способ 8471 60 100 0; хранения на магнитном диске, 8471 60 900 0; имеющие все следующие 8471 70 100 0; характеристики: 8471 70 510 0; а) скорость преобразования в 8471 70 530 0; цифровую форму 100 млн. проб в 8520 90 100 0; секунду и разрешение 8 бит или 8520 90 900 0; более; и 8521 90 000 0; б) непрерывную пропускную 8522 90 590 0; способность не менее 1 Гбит/с 8522 90 930 0; или более; 8522 90 980 0 3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов 8543 20 000 0 частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; 3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот: 3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, 9030 83 900 0; анализирующие любые сигналы с 9030 89 920 0 частотой выше 31,8 ГГц, но ниже 37,5 ГГц, или превышающие 43,5 ГГц; 3.1.2.3.2. Динамические анализаторы сигналов 9030 83 900 0; с полосой частот в реальном 9030 89 920 0 масштабе времени, превышающей 500 кГц Примечание. По пункту 3.1.2.3.2 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры); 3.1.2.4. Генераторы сигналов 8543 20 000 0 синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную синтезируемую частоту, превышающую 31,8 ГГц; б) время переключения с одной выбранной частоты на другую менее 1 мс; или в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты; 3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные 9030 40 900 0 измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; 3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, 8527 90 980 0 имеющие все следующие характеристики: а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; 3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие 8543 20 000 0 любую из следующих характеристик: а) долговременную стабильность -11 (старение) меньше (лучше) х 110 в месяц; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе Особое примечание. В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2 3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование 3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: 3.2.1.1. Управляемое встроенной программой оборудование для эпитаксиального выращивания: 3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8479 89 650 0 толщину выращиваемого слоя с отклонением менее +-2,5 % на расстояниях 75 мм или более; 3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для 8419 89 200 0 химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных Особое примечание. В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2; 3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно- 8479 89 700 0; эпитаксиального выращивания с 8543 89 650 0 использованием газообразных или твердых источников; 3.2.1.2. Управляемое встроенной программой 8543 11 000 0 оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ; б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или г) имеет возможность высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; 3.2.1.3. Управляемое встроенной программой оборудование для сухого анизотропного плазменного травления: 3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок 8456 91 000 0; из кассеты в кассету и шлюзовой 8456 99 800 0 загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; 3.2.1.3.2. Оборудование, специально 8456 91 000 0; спроектированное для систем, 8456 99 800 0 контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; 3.2.1.4. Управляемое встроенной программой 8419 89 200 0; оборудование химического осаждения 8419 89 300 0 из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: 3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; 3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; 3.2.1.5. Управляемые встроенной 8456 10; программой автоматически 8456 91 000 0; загружаемые многокамерные 8456 99 800 0; системы с центральной загрузкой 8456 99 300 0; полупроводниковых пластин 8479 50 000 0 (подложек), имеющие все следующие характеристики: а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме; 3.2.1.6. Управляемое встроенной программой оборудование для литографии: 3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин 9009 22 000 0 с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: а) источник света с длиной волны короче 350 нм; или б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 0,35 мкм и менее Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в микрометрах) х (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,7; 3.2.1.6.2. Оборудование, специально 8456 10; разработанное для изготовления 8456 99 шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого сфокусированного электронного, ионного или лазерного пучка, имеющее любую из следующих характеристик: а) размер пятна менее 0,2 мкм; б) возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или в) точность совмещения слоев лучше +-0,20 мкм (3 сигма); 3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 9010 90 разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; 3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 9010 90 фазосдвигающим слоем 3.2.2. Управляемое встроенной программой оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления: 3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 390 0 транзисторных приборов на частотах выше 31 ГГц; 3.2.2.2. Для испытания интегральных схем, 9030; способное выполнять функциональное 9031 20 000 0; тестирование (по таблицам 9031 80 390 0 истинности) с частотой тестирования строк выше 333 МГц Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется оборудование, специально разработанное для испытания: а) электронных сборок или любого класса электронных сборок бытового или развлекательного назначения; б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем; в) запоминающих устройств Техническое примечание. Для целей этого пункта частота тестирования определяется как максимальная частота цифрового режима работы испытательного устройства. Поэтому она является эквивалентом скорости тестирования, которую может обеспечить указанное устройство во внемультиплексном режиме. Она может также считаться скоростью испытания, относиться к максимальной цифровой частоте или к максимальной цифровой скорости; 3.2.2.3. Для испытания микроволновых 9030; интегральных схем, контролируемых 9031 20 000 0; по пункту 3.1.1.2.2 9031 80 390 0 3.3. Материалы 3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: 3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0; 3818 00 900 0 3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0 3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0 3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия 3818 00 900 0 или индия Техническое примечание. Соединения III/V - это либо поликристаллические, либо бинарные или многокомпонентные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA (по отечественной классификации это группы А3 и В5) периодической системы Менделеева (например, арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и тому подобное) 3.3.2. Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами: 3.3.2.1. Позитивные резисты, 3824 90 990 0 предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 350 нм; 3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0 использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; 3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 990 0 использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; 3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 990 0 технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты Техническое примечание. Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления 3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения: 3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 00 950 0 алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999 %; 3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 00 950 0 сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой неорганического элемента более 99,999 % Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы 3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000 0; сурьмы, имеющие чистоту 2850 00 200 0 более 99,999 %, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20 % и более молей инертных газов или водорода 3.4. Программное обеспечение 3.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения в оборудовании, управляемом встроенной программой и контролируемом по пункту 3.2 3.4.3. Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР), имеющее все следующие составляющие: а) предназначено для разработки полупроводниковых приборов или интегральных схем; и б) предназначено для выполнения или использования любого из следующего: реализации правил проектирования или правил проверки схем; моделирования физической топологии схем; или проектного моделирования литографических процессов Техническое примечание. Проектное моделирование литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках Примечания: 1. По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное для ввода описания схемы, моделирования логической схемы, раскладки и трассировки (проведения соединений между точками схемы), проверки топологии или ленты-носителя формирования рисунка 2. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология 3.5. Технология 3.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3 3.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства микросхем микропроцессоров, микросхем микрокомпьютеров и микросхем микроконтроллеров, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП) 530 Мтопс (миллионов теоретических операций в секунду) или более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более Примечание. По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства: а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака: 1) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и 2) не содержащие многослойных структур Техническое примечание. Термин "многослойные структуры", приведенный в подпункте 2 пункта "б" примечания, не включает приборы, содержащие максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния 3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства: а) вакуумных микроэлектронных приборов; б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; в) сверхпроводящих электронных приборов; г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов; д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния; е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов; ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31 ГГц или выше КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА Примечания: 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) 2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) Особое примечание. Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1 3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации) 4.1. Системы, оборудование и компоненты 4.1.1. ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты: 4.1.1.1. Специально разработанные для 8471 достижения любой из следующих характеристик: а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже о 228 К (-45 С) или выше 358 К о (85 С) Примечание. По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов; б) радиационно стойкие при превышении любого из следующих требований: 3 общая доза 5 х 10 Гр (Si) 5 [5 х 10 рад]; 6 мощность дозы 5 х 10 Гр (Si)/с 8 [5 х 10 рад/с]; или сбой от однократного события -7 10 ошибок/бит/день Особое примечание. В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2; 4.1.1.2. Имеющие характеристики или функции 8471 производительности, превосходящие пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) Примечание. По пункту 4.1.1.2 не контролируются ЭВМ и относящееся к ним оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего индивидуального использования 4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные сборки 8471 10 и специально разработанные для них компоненты, имеющие в своем составе: а) цифровые ЭВМ, которые контролируются по пункту 4.1.3; б) аналого-цифровые преобразователи, обладающие всеми следующими характеристиками: 32 каналами или более; и разрешающей способностью 14 бит (плюс знаковый разряд) или более со скоростью 200 000 преобразований/с или более 4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, а также специально разработанные для них компоненты: 4.1.3.1. Спроектированные или 8471 модифицированные для обеспечения (кроме отказоустойчивости 8471 10) Примечание. Применительно к пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего: а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти; б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы; в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором; 4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471 теоретическую производительность (кроме (СТП), превышающую 190 000 Мтопс; 8471 10) 4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471 разработанные или модифицированные (кроме для повышения производительности 8471 10) путем объединения вычислительных элементов таким образом, чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок превышала пределы, указанные в пункте 4.1.3.2 Примечания: 1. Пункт 4.1.3.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.3.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пункту 4.1.3.4 2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются электронные сборки, специально разработанные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.3.2; 4.1.3.4. Оборудование, выполняющее аналого- 8543 90 200 0; цифровые преобразования, 8471 90 000 0 превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5; 4.1.3.5. Аппаратура, специально 8471 90 000 0; разработанная для обеспечения 8517 50 внешних соединений цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных, превышающую 1,25 Гбайт/с Примечание. По пункту 4.1.3.5 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи Примечания: 1. Пункт 4.1.3 включает: а) векторные процессоры; б) матричные процессоры; в) процессоры цифровой обработки сигналов; г) логические процессоры; д) оборудование для улучшения качества изображения; е) оборудование для обработки сигналов 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.3, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если: а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем; б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5 Особые примечания: 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента 2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) 4.1.4. ЭВМ, указанные ниже, и специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них: 4.1.4.1. ЭВМ с систолической матрицей; 8471 4.1.4.2. Нейронные ЭВМ; 8471 4.1.4.3. Оптические ЭВМ 8471 4.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет 4.3. Материалы - нет 4.4. Программное обеспечение Примечание. Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Ноябрь
|
