|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 08.11.2001 № 779Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации совместно с другими государственными заказчиками Программы. (В редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 07.05.2006 г. N 274) Программа имеет межотраслевой, межведомственный характер, отвечает интересам развития большинства отраслей народного хозяйства, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию. В качестве государственных заказчиков по основным программным мероприятиям выступают одиннадцать федеральных органов исполнительной власти. Исполнителями Программы являются научные и научно-производственные организации различной ведомственной принадлежности. Эти особенности Программы должны быть адекватно учтены при формировании системы управления ее реализацией. Государственный заказчик-координатор осуществляет общее руководство реализацией Программы, формирует органы управления ее реализацией. Конкретная структура системы управления, задачи и функции входящих в нее органов управления (без образования юридического лица) регламентируются положением о порядке управления реализацией Программы, утверждаемым Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации по согласованию со всеми государственными заказчиками Программы. (В редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 07.05.2006 г. N 274) Для планирования работ, определения приоритетных направлений разработок, а также для контроля за их научно-техническим уровнем создается экспертный совет по координации и научному сопровождению Программы, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области технологического развития, компетентные представители государственных заказчиков, других заинтересованных федеральных органов исполнительной власти, ведущих предприятий высокотехнологичных отраслей промышленности. При ведущих научных центрах по каждому технологическому разделу Программы создаются секции экспертного совета, осуществляющие непосредственное научное сопровождение и контроль работ. Реализация Программы осуществляется на основе государственных контрактов, заключаемых государственными заказчиками с головными исполнителями программных мероприятий. Головные исполнители программных мероприятий по технологическим направлениям определяются по конкурсу, организуемому государственными заказчиками Программы, из числа ведущих научных организаций соответствующего технологического профиля или временных их объединений (консорциумов) по выполнению программных мероприятий. Головные исполнители обеспечивают в соответствии с государственным контрактом выполнение технологических проектов, необходимых для реализации программных мероприятий, организуют на контрактно-конкурсной основе необходимую кооперацию соисполнителей. Разработанные в ходе реализации Программы технологии могут быть переданы исполнителям инвестиционных проектов и программ коммерческого характера в счет вклада государства при формировании общего инвестиционного пакета конкретного проекта. Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации совместно с другими государственными заказчиками ежегодно в установленный срок представляет доклады о ходе работ по Программе и эффективности использования бюджетных средств в Министерство экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации. (В редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 07.05.2006 г. N 274) 6. Оценка эффективности реализации Программы Экономическая эффективность реализации Программы (без учета подпрограммы) характеризуется следующими показателями: налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 36161 млн. рублей; чистый дисконтированный доход - 2421,1 млн. рублей; бюджетный эффект - 26184,9 млн. рублей; индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям - 3,62; индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу предприятий - 1,14; удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) - 0,57; срок окупаемости инвестиций из всех источников финансирования - 4 года; срок окупаемости средств федерального бюджета - 1 год; внутренняя норма доходности инвестиций - 0,42 (при норме дисконтирования 0,2); уровень безубыточности - 0,73. Сопоставление показателей эффективности федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы и затрат (по годам) (млн. рублей) ------------------------------------------------------------------- Наименование| | | | | |2002-2006 показателя |2002 год|2003 год|2004 год|2005 год|2006 год| годы | | | | | | - всего ------------------------------------------------------------------- Размер 2307,3 2717,3 2726,6 2994 5114 15859,2 инвестиций из всех источников финансиро- вания (в ценах соответ- ствующих лет) Коэффициент 1,48 1,3 1,1 1 0,88 дисконтиро- вания (норма дисконта Е=14 процентов) Размер 3418,4 3531,4 3108,3 2994 4486 17538,1 инвестиций из всех источников финансиро- вания (в действующих ценах с учетом дисконти- рования к 2005 году) Чистый -1599,1 -2660,5 -2051,9 91,7 2421,1 дисконти- рованный доход Срок 4 окупаемости инвестиций (лет) Индекс 1,14 доходности (рентабель- ность) инвестиций Внутренняя - - - - - 0,42 норма доходности Уровень 0,77 0,75 0,73 0,72 0,69 0,73 безубыточ- ности Средства 1936,8 1958,9 1728,9 1734 2617,5 9976,2 федераль- ного бюджета, выделяемые на НИОКР, капитальные вложения и прочие нужды (в действующих ценах с учетом дисконтиро- вания к 2005 году) Налоги, 6933,9 6663 6457,6 7667 8439,6 36161 поступающие в бюджет и внебюджет- ные фонды (в действующих ценах с учетом дисконтиро- вания к 2005 году) Бюджетный 4997,1 9701,1 14429,8 20362,8 26184,9 эффект Индекс 3,62 доходности (рентабель- ность) бюджетных ассигнова- ний Удельный 0,57 вес средств федераль- ного бюджета в общем объеме финансиро- вания (степень участия государст- ва) Срок 1 окупаемости средств федераль- ного бюджета (лет) Реализация мероприятий Программы будет определять технологические возможности страны на длительную перспективу и способствовать созданию научно-технологических основ для повышения качества жизни, подъема экономики и равноправного участия страны в мировых рынках высокотехнологичной наукоемкой продукции, а также позволит: преодолеть наметившееся неблагоприятное для безопасности страны отставание от мирового уровня по критическим технологическим направлениям; создать передовую технологическую базу для производства конкурентоспособной высокотехнологичной наукоемкой продукции, соответствующей мировому уровню, в области важнейших технических систем (воздушного, морского и наземного транспорта, ракетно-космической техники, машиностроительного, энергетического оборудования, вычислительной техники, систем управления и связи), лекарственных средств и другой наукоемкой продукции, создать предпосылки для равноправного международного технологического сотрудничества; обеспечить сохранение и создание в процессе реализации Программы около 182 тыс. рабочих мест на предприятиях высокотехнологичных отраслей экономики; создать на основе разрабатываемых технологий, соответствующих мировому уровню (планируемая доля в общем объеме разрабатываемых технологий - не менее 72 процентов), научные и промышленно-технологические предпосылки для кардинального изменения структуры экспорта в пользу наукоемкой продукции за счет резкого повышения потребительских свойств и конкурентоспособности выпускаемой продукции, закрепления традиционных и освоения новых сегментов мирового рынка; существенно сократить отставание России в сфере высоких технологий, являющихся основой мирового развития в XXI веке. Предполагается значительное улучшение среды обитания, создание экологически чистых материалов и технологий, повышение безопасности функционирования сложных систем "человек - машина", а также существенное снижение вероятности техногенных катастроф. (В редакции постановлений Правительства Российской Федерации от 13.11.2002 г. N 816; от 07.05.2006 г. N 274) _______________ ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы П Е Р Е Ч Е Н Ь мероприятий федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы (В редакции постановлений Правительства Российской Федерации от 13.11.2002 г. N 816; от 07.05.2006 г. N 274) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- | Стоимость (млн. рублей, в ценах | | соответствующих лет) | Ожидаемые результаты +---------------------------------------------| |2002 год | в том числе | | +-----------------------------------| | | 2003 | 2004 | 2005 | 2006 | | | год | год | год | год | ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- I. Технологии новых материалов Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы 1. Создание высокопрочных, 10,2* 28,8 11,8 6,8 4,4 создание, подготовка хорошо свариваемых сталей, ----- ---- ---- ---- ---- промышленного производства сварочных материалов и 5,1 14,4 5,9 3,4 2,2 материалов для разработки технологии сварки для конструкций морской и перспективного оборудования авиакосмической техники, топливно-энергетического стройиндустрии, комплекса (ТЭК), морской и машиностроения, оборудования авиакосмической техники для ТЭК, обеспечивающих нового поколения значительное повышение потребительских качеств и конкурентоспособности продукции на мировом рынке; создание высоконадежных элементов конструкций активных зон атомных и термоядерных реакторов, а также ледостойких буровых платформ 2. Создание принципиально новых 7,6 7,6 8,6 4 5 использование для изготовления высокопрочных азотистых --- --- --- --- --- высокопрочных корпусных сталей аустенитно-ферритного 3,8 3,8 4,3 2 2,5 конструкций авиакосмической и и мартенситного классов с морской техники нового высокой коррозионной поколения, обеспечивающих стойкостью и повышенной значительное снижение риска вязкостью для использования коррозионного растрескивания и в авиакосмической технике, увеличение междокового периода медицине, бурильных трубах, морских судов; использование в трубопроводах, судовой медицине для изготовления арматуре, насосах и в другой имплантантов, эндопротезов и продукции, эксплуатируемой в др., обеспечивающее экономию экстремальных условиях дефицитного и дорогостоящего сырья и исключение эффекта "никелевой аллергии" 3. Создание контейнеров для 2,2 2,2 2,4 2,6 3 повышение надежности, отработанного ядерного --- --- --- --- --- безопасности и экономичности топлива (ОЯТ) судовых и 1,1 1,1 1,2 1,3 1,5 продукции, создание уникальных стационарных атомных контейнеров для энергетических установок транспортировки и длительного (АЭУ) с использованием (до 100 лет) хранения ОЯТ конструкционных малоактивированных радиационно-стойких основных и сварочных материалов нового поколения 4. Создание комплексно 7,2 7,2 8,2 8,6 9 создание с использованием легированных свариваемых --- --- --- --- --- сплавов авиакосмической титановых сплавов для 3,6 3,6 4,1 4,3 4,5 техники, глубоководных авиакосмической техники, аппаратов, атомных судостроения, атомной энергетических установок с энергетики и медицины увеличенным в 1,5-2 раза ресурсом работы, улучшение качества медицинской аппаратуры в хирургии, ортопедии, стоматологии, кардиологии и др. 5. Создание новых высокопрочных 15 25,8 17,8 6 4,4 создание корпусных конструкций свариваемых, термически --- --- ---- -- --- кораблей, самолетов, неупрочняемых алюминиевых 7,5 12,9 8,9 3 2,2 вертолетов, ракет и сплавов для морских судов, космических аппаратов нового авиационной и поколения, современных ракетно-космической техники, скоростных паромов типа скоростных поездов и "катамаран", обтекателей автомобильной промышленности глубоководной техники с уникальными техническими характеристиками (на 30-50 процентов выше мировых), силовых элементов скоростных поездов и новых автомобилей (стоимость изготовления продукции со сплавами из скандия будет снижена в 1,5-2 раза) 6. Разработка и промышленное 1,4 1,4 1,6 1,8 1,8 обеспечение высокой освоение перспективных --- --- --- --- --- коррозионной стойкости металла сварочных материалов и 0,7 0,7 0,8 0,9 0,9 шва в потоке свинца и технологий сварки для радиационной стойкости, изготовления энергетического увеличение срока службы оборудования безопасных АЭС конструкций в 2 раза, с жидкометаллическим повышение надежности их работы теплоносителем на основе при температурах до 1050 свинца градусов в условиях коррозионного и эрозионного воздействия, использование результатов работы при создании газотурбинных установок нового поколения, высокотемпературных установок нефтеперерабатывающих, нефтехимических и металлургических производств 7. Создание принципиально новых 13,4 13,4 38,4 2,8 2,8 освоение пилотных технологий многофункциональных покрытий ---- ---- ---- ---- ---- получения многофункциональных с высоким уровнем 6,7 6,7 19,2 1,4 1,4 покрытий с высоким уровнем физических, экологических, каталитической активности, физико-химических, магнитных и электрофизических эксплуатационных параметров, высокой характеристик и эффективных коррозионной, эрозионной и технологий их нанесения при износостойкостью; улучшение изготовлении деталей и функциональных характеристик и конструкций перспективной конкурентоспособности техники, обеспечивающих авиакосмической техники, эксплуатацию изделий новой транспортных средств, техники во всех нефтегазопроводов, буровых климатических условиях в платформ, электронных систем, течение 30-40 лет систем связи, оптоэлектроники, приборных, навигационных и вычислительных комплексов; адаптация производства к новым рыночным условиям 8. Создание новых 9,2 9,2 33,6 3,8 3,6 повышение физико-механических интерметаллических --- --- ---- ---- ---- характеристик высокопрочных материалов и композиций на 4,6 4,6 16,8 1,9 1,8 конструкционных материалов в основе алюминидов переходных 1,2-1,5 раза, снижение в 1,2-3 металлов, неравновесных раза габаритно-весовых аморфных и нанофазных показателей при одновременном структур со специфическими уменьшении до 50 процентов свойствами стоимости композитов, снижение на 15-25 процентов веса конструкций автомобилей, энергетических установок судов и судовых агрегатов, ракет и авиакосмической техники, повышение в 2-7 раз срока службы конструктивных элементов нефте- и газодобывающей, горнорудной и химической промышленности 9. Разработка полимерных, 17,6 41,8 33,2 5,2 5,2 снижение массы корпусных металлополимерных и ---- ---- ---- --- -- конструкций на 20-30 термопластичных 8,8 20,9 16,6 2,6 2,6 процентов, повышение композиционных материалов с шумопоглощения и увеличение регулируемыми демпфирующей способности многофункциональными конструкций, снижение свойствами заметности судов и летательных аппаратов в широком диапазоне длин волн; увеличение удельной мощности и ресурса электросиловых преобразователей в 2-3 раза; снижение стоимости и трудоемкости изготовления размеростабильных приборных платформ; ликвидация зависимости российских производителей от зарубежных фирм в производстве материалов этого класса 10. Создание новых жаропрочных 10,2 22,6 11,8 4 4 обеспечение надежной работы конструкционных материалов и ---- ---- ---- -- -- высокотемпературных установок сплавов, разработка и 5,1 11,3 5,9 2 2 нефтеперерабатывающих, промышленное освоение нефтехимических и технологий изготовления металлургических производств в деталей и конструкций на их условиях воздействия рабочих основе сред и критических температур; снижение ресурсоемкости и энергоемкости производства деталей перспективных газотурбинных и жидкостных ракетных двигателей 11. Разработка технологии 1,4 1,4 1,6 1,8 1,8 использование квазикристаллов изготовления --- --- --- --- --- в качестве покрытий изделий квазикристаллических 0,7 0,7 0,8 0,9 0,9 для уменьшения коэффициента материалов для уменьшения трения, износа и стирания трения, электрохимической подложки, повышение прочности защиты и водородной стали в сочетании с ростом энергетики пластичности; применение квазикристаллических материалов в области катализа, радиационной и электрохимической защиты, водородной энергетики, экологическая чистота при изготовлении квазикристаллических материалов 12. Разработка составов и 20,8 20,8 43,2 44,4 44 получение активных элементов базовых технологий ---- ---- ---- ---- -- лазерного качества с высокой изготовления лазерных стекол 10,4 10,4 21,6 22,2 22 надежностью при работе в нового поколения, оптических импульсных режимах с высокой стекол, ситаллов, выходной мощностью излучения; халькогенидных стекол, снижение себестоимости радиационно стойких стекол, активных элементов; повышение светочувствительных, качества оптического стекла по термохромных и однородности; изготовление электрохромных стекол, крупногабаритных ситалловых заготовок очковых стекол заготовок для астрозеркал; нового поколения производство имплантантов для стоматологии и ортопедии; производство оптических элементов с нелинейными свойствами для ИК-оптики Инвестиционные проекты (капитальные вложения**) 13. Модернизация комплексов 18,5 15 14,1 17,95 21,5 экспериментальная отработка технологического ---- -- ---- ----- ---- технологий создания новых оборудования для создания 18,5 15 14,1 17,95 21,5 конструкционных и новых конструкционных и функциональных материалов для функциональных материалов на судостроения и других отраслей ФГУП "ЦНИИ КМ "Прометей", промышленности, обеспечение г. Санкт-Петербург испытаний облученных конструкционных материалов 14. Организация производства 7 7,84 - - - обеспечение широкомасштабного микропорошков на базе ГУП - ---- выпуска соединительных, "ЦНИИМ", г. Санкт-Петербург 7 7,84 уплотнительных и износостойких деталей и существенное уменьшение импортных закупок для нефтеперерабатывающей, горно-добывающей, дорожно-строительной и металлургической промышленности II. Электронная компонентная база Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы 1. Микроэлектроника 15. Разработка базовых 139,8 82,6 82,6 35,6 31,2 создание базовых технологий технологий конструирования ----- ----- ----- ----- ---- СБИС и ССИС на кремнии с новых поколений сверхбольших 69,9 41,3 41,3 17,8 15,6 предельно достижимыми интегральных схем (СБИС) и минимальными топологическими сверхскоростных интегральных размерами, максимальной схем (ССИС) с минимальными тактовой частотой 500 МГц и размерами элементов 0,1-0,25 7 8 мкм для аппаратуры степенью интеграции 10 -10 сверхвысокого быстродействия транз/кр.; снижение стоимости и сверхскоростной обработки проектирования и сборки РЭА информации, в том числе специального и общего базовой технологии назначения в 2-3 раза, производства спецстойких снижение энергопотребления в СБИС с минимальными 3-4 раза; повышение размерами элементов 0,5-0,8 функциональных возможностей мкм и полупроводниковых аппаратуры и снижение приборов, включая стоимости единичной функции в радиационно-стойкие 10-20 раз; возможность серийного производства для выпуска КМОП СБИС со степенью 5 интеграции до 2 х 10 вент/кр. при сохранении группы стойкости 2У-3У, сохранение технологической независимости и обеспечение безопасности работы атомных станций 16. Разработка технологической 82 74,6 21 21 6,4 создание технологической базы базы (среды) сквозного -- ---- ---- ---- --- среды сквозного проектирования автоматизированного 41 37,3 10,5 10,5 3,2 элементной базы и аппаратуры; проектирования элементной сокращение сроков внедрения базы и аппаратуры, перспективной элементной базы включающей библиотеки в разработки аппаратуры; элементов, библиотеки обеспечение технологической макроблоков (СФ), независимости при разработке технологическое обеспечение конкурентоспособной продукции; приборных разработок с создание центров привлечением зарубежных проектирования, сертификации и партнеров, создание единой аттестации пластин, базы данных разрабатываемых разработанных по алгоритмам российских проектов, в том российских заказчиков; числе разработка технологии разработка и реализация проектирования механизма технологического микроэлектронных ядер и взаимодействия в рамках единой моделей для обработки, среды и разработки элементной сжатия, передачи и базы и аппаратуры; распознавания информации в создание конкурентоспособной системах телекоммуникаций, в технологии проектирования том числе цифрового СФ-блоков, СБИС "система на телевидения и кристалле" с характеристиками, информационного мониторинга не уступающими мировым достижениям, позволяющей в малые сроки и с наименьшими затратами создавать унифицированные комплексы сверхвысокой производительности в реальном масштабе времени для различных областей применения 16-1. Разработка и внедрение - - - - 720 создание отечественной системы автоматизированного --- технологии конструирования проектирования электронной 360 сложнофункциональной ЭКБ компонентной базы (ЭКБ), в "система на кристалле" для том числе СБИС "система на конкурентоспособных комплексов кристалле", на основе радиолокации, систем связи, структур КМОП-технологий с телевидения и радиовещания проектными нормами 0,18 - нового поколения и т.д., в том 0,25 мкм числе двойного назначения; снижение массогабаритных характеристик аппаратуры в 3-5 раз и увеличение ее надежности в 2-3 раза; сокращение расходов на закупку аналогичной зарубежной элементной базы 17. Создание приборно- 30,2 20 14,6 - - в настоящее время за рубежом технологического базиса ---- -- ---- на основе SiGe серийно производства 15,1 10 7,3 выпускаются СВЧ-транзисторы сверхбыстродействующих БИС мощностью до 0,2 Вт на типа БиКМОП и на основе SiGe диапазон частот до 3,0 ГГц и для телекоммуникационных освоено производство систем и перспективных специализированных ИС для систем техники средств связи, а производство ИС широкого применения (операционных и инструментальных усилителей) отсутствует, не имеется отечественной технологии БИС на основе БиКМОП. Разработка таких БИС позволит реализовать анализаторы спектра с высокой разрешающей способностью для аппаратуры специального применения; результаты работ позволят улучшить характеристики отечественной измерительной и приемопередающей техники, систем радиолокации, средств телекоммуникаций и цифрового телевидения 18. Разработка СФ-блоков для - - 80,8 130,6 137,2 создание функционально полной обработки, сжатия и передачи ---- ----- ----- номенклатуры СФ-блоков, информации, в том числе 40,4 65,3 68,6 различающихся по ядер: процессоры (сигнальные производительности и и цифровые) и назначению и ориентированных микроконтроллеры; на разработку СБИС "система на цифроаналоговые, кристалле" для аналого-цифровые конкурентоспособных преобразователи; шины и электронных систем интерфейсы (драйверы, мультимедиа, телекоммуникаций, приемо-передатчики и т. д.); систем радиолокации, специализированные блоки для космического мониторинга, телекоммуникаций, включая транспорта, средств связи, блоки для цифрового цифрового телевидения, систем телевидения, радиорелейной безналичного расчета и связи и АТМ-технологии идентификации (аудио-видео сжатие, цифровая фильтрация, видеоконтроллеры, модемы, узлы помехоустойчивого кодирования, АТМ-коммутатора, приемопередающего радиотракта, преобразования Фурье и т. д.) 19. Разработка базовых 12 11,2 11,6 - - выпуск отечественных силовых конструкций и технологий -- ---- ---- модулей на токи до 1400 А и производства серии 6 5,6 5,8 напряжение 1200, 1800, 2500, универсальных 3300, 4500 В, предназначенных интегрированных силовых для применения в IGBT-модулей и модулей преобразовательном прижимной конструкции нового оборудовании, мощностью от поколения на токи до 1400 А десятков кВА до десятков МВА в и напряжение до 4500 В электроприводах транспортных средств 20. Разработка базовых - 10,2 - - - обеспечение выпуска силовых конструкций и технологий ---- модулей различных конструкций производства полностью 5,1 и назначения управляемых силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (АКВ) на токи до 100 А (на кристалл) и напряжение 1200, 1800, 2500, 3300, 4500 В 21. Разработка библиотеки - - - - - разработка и освоение базовых конструкций силовых производства силовой управляемых биполярных и элементной базы для выпуска полевых приборов на конкурентоспособных силовых напряжения до 6,0 кВ, а приборов, в которых остро также нуждаются различные отрасли быстровосстанавливающихся экономики, в том числе диодов и силовых ИС на IGBT-модулей на токи 25-1000 А напряжения до 2,5 кВ и напряжение от 600 В до 3300 В и комплектных БВД с временем обратного восстановления 0,05 мкс - 0,3 мкс 22. Разработка базовой - - 3,2 - 4,2 разработка и освоение конструкции и организация -- --- производства типового ряда серийного производства 1,6 2,1 интеллектуальных и силовых "интеллектуальных" силовых модулей позволит создать IGBT-модулей на токи до ресурсоэнергоэффективное 900 А и напряжения 1200 и преобразовательное 1700 В, а также серии оборудование с улучшенными универсальных техническими характеристиками, интегрированных силовых большей надежностью, меньшими IGBT-модулей и модулей массогабаритными показателями прижимной конструкции нового и стоимостью в интересах поколения городского электрифицированного транспорта и транспортных средств в добывающей промышленности 2. Наноэлектроника и микромеханика 23. Разработка технологий 11,8 18,8 5,4 5,6 5,8 создание трехмерных производства ---- ---- --- ---- --- микроизделий по технологии, микромеханических элементов 5,9 9,4 2,7 2,8 2,9 обеспечивающей получение для микросистемной техники субмикронных трехмерных изделий без использования дорогостоящих литографических процессов, являющихся в настоящее время основой "кремниевой" технологии 24. Создание интеллектуальных 6 18,8 5 5 5 развитие наукоемкого, с низкой нанотехнологических - ---- --- --- --- энерго- и материалоемкостью комплексов для наноэлементов 3 9,4 2,5 2,5 2,5 производства электронной и терабитных техники - нового поколения микромеханических конкурентоспособных запоминающих устройств накопителей, превосходящих существующий уровень на несколько порядков по емкости и скорости передачи данных 25. Разработка зондовых и ионных 11,4 18,8 19,6 11 11,2 создание приборов, значительно нанотехнологий формирования ---- ---- ---- --- ---- превосходящих традиционные элементов с размерами менее 5,7 9,4 9,8 5,5 5,6 аналоги по эффективности, 10 нм и исследование надежности, ресурсу, эмиссионных характеристик массогабаритным параметрам и нанотрубных углеродных энергопотреблению; возможность структур разработок микросистемной техники на принципах искусственного интеллекта, а также разработки СБИС с уровнем интеграции до 9 2 10 эл/см ; повышение конкурентоспособности разработанной радиоэлектронной аппаратуры 26. Разработка библиотек и - - 6 - - создание элементной базы для базовых элементов -- телекоммуникационной наноэлектроники и 3 аппаратуры, в том числе для микроэлектроники, в том мобильной связи, радаров и числе: средств связи ВВСТ.234 нанодиодов; нанотранзисторов; нанодинисторов; нановаристоров; логических элементов; функциональных устройств 3. Акусто- и магнитоэлектроника 27. Разработка технологии 10,2 16,4 8,4 - - разработка базовых технологий нанотехнологического ---- ---- -- и создание пьезокерамических производства 5,1 8,2 4,2 материалов и акустоэлектронных пьезокерамических материалов изделий с параметрами, не и температуростабильных уступающими лучшим мировым акустоэлектронных изделий образцам, организация для систем связи, серийного выпуска этих гидроакустики, медицины и материалов и датчиков различного конкурентоспособных назначения акустоэлектронных изделий; экономический эффект от реализации изделий составит не менее 30 млн. рублей 28. Разработка базовых - - 4,2 - - создание пьезоэлектронных конструкций типового ряда --- устройств нового поколения для пьезоэлектронных устройств 2,1 применения в системах нового поколения, в том гидроакустики, точного оружия, числе: адаптивной оптики, охраны интегрированных датчиков; морских и сухопутных границ, фильтров, резонаторов, автомобильной электроники и генераторов; медицины пьезогироскопов и пьезотрансформаторов 29. Разработка типового ряда - - 6,4 14,6 5,4 создание ферритовых приборов, перспективных ферритовых --- ---- --- устройств на МСВ и приборов, трансформаторов, 3,2 7,3 2,7 трансформаторов радиодиапазона устройств на для модернизации существующих магнитостатических волнах и электронных систем и магнитоэлектрических разработок систем 5-го приборов микроволнового и поколения радиодиапазона, в том числе: высокодобротных резонаторов; фазовращателей и циркуляторов; вентилей и ограничителей; перестраиваемых фильтров; переключателей 4. СВЧ-электроника 30. Разработка базовых 19,8 25,2 21 - - технологии проектирования, технологий изготовления ---- ---- ---- изготовления и серийного мощных транзисторов и 9,9 12,6 10,5 выпуска мощных транзисторов и монолитных СВЧ-микросхем на монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур основе гетероструктур материалов группы А3В5 для материалов группы А3В5 для современных бортовых и бортовой и наземной аппаратуры наземных радиоэлектронных радиолокации и средств связи систем, унифицированных нового поколения; создание приемно-передающих модулей с нового класса отечественных высокой плотностью упаковки радиоэлектронных систем на для АФАР дециметрового и базе новейших достижений в сантиметрового диапазонов области СВЧ-полупроводниковой электроники и развитие техники активных фазированных антенных решеток; обеспечение выпуска современной конкурентоспособной продукции с высоким экспортным потенциалом и техническими характеристиками, соответствующими лучшим мировым аналогам 31. Реконструкция базовых 6,4 24 25,8 - - переход на новый технический унифицированных --- -- ---- уровень отечественной технологических процессов 3,2 12 12,9 технологии изготовления мощных для разработок и выпуска вакуумных СВЧ-приборов нового мощных вакуумных поколения с высокими СВЧ-приборов и эксплуатационными комплексированных устройств характеристиками и повышенной на их основе долговечностью для дальнейшего развития высокопотенциальных бортовых и наземных радиоэлектронных систем, а также миниатюрной аппаратуры миллиметрового диапазона 32. Разработка технологии 9,6 12 10,8 - - технологии производства изготовления современных --- -- ---- твердотельных микроэлектронных гетероструктур, широкозонных 4,8 6 5,4 гетероструктур на основе полупроводниковых соединений арсенида галлия, нитрида и новых диэлектрических галлия и карбида кремния на материалов для приборов и пластинах диаметром до 100 мм, МИС СВЧ-техники обеспечивающих последующую размерную обработку менее 0,1 мкм 33. Разработка технологии и 3,4 6,2 6,4 - - создание метрической базовых конструкций --- --- --- аппаратуры нового поколения установок нового поколения 1,7 3,1 3,2 для исследований параметров для автоматизированного полупроводниковых структур, измерения параметров активных элементов и МИС СВЧ в нелинейных моделей процессе изготовления и сдачи СВЧ-полупроводниковых продукции с целью повышения структур, мощных процента выхода годных транзисторов и МИС изделий, их долговечности и СВЧ-диапазона надежности при эксплуатации 34. Разработка системы - 52,6 41 83 86 проведение модернизации автоматизированного ---- ---- ---- -- существующих электронных проектирования и библиотеки 26,3 20,5 41,5 43 систем и обеспечение базовых конструкций разработки систем 5-го перспективных ВЧ и поколения СВЧ-приборов и интегральных схем, в том числе: генерации, обработки и передачи ВЧ- и СВЧ-сигналов в реальном масштабе времени; мощных монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов А3В5; унифицированных приемо-передающих модулей; СВЧ-транзисторов широкого применения, в том числе малошумящих; унифицированных миниатюрных сверхширокополосных вакуумно-твердотельных мощных СВЧ-модулей 34-1. Разработка перспективных - - - - 520 создание СВЧ-приборов на основе твердотельных и --- сложных соединений кремния и функциональных СВЧ-приборов, 260 германия, арсенида галлия и интегральных схем и нитрида галлия, позволяющих гетероструктур на основе уменьшить массогабаритные соединения кремния и характеристики аппаратуры на германия, арсенида галлия и 65-70 процентов и снизить ее нитрида галлия, в том числе энергопотребление на 30-40 гибридных и монолитных процентов; интегральных СВЧ-микросхем повышение в 1,5 - 2 раза нового поколения, важнейших функциональных многолучевых клистронов, характеристик радиоэлектронной перспективных магнитов аппаратуры современных Nd-Fe-B и магнитных систем радиоэлектронных комплексов, систем для вакуумных и систем связи, телевидения и ферритовых приборов, а также радиовещания; программно-аппаратных ежегодный прирост объемов комплексов для определения продаж изделий на 10-15 параметров мощных процентов СВЧ-транзисторов 5. Методология и технологии создания ЭКБ 35. Разработка системы - 34 20,8 23 22,6 создание средств ускоренного автоматизированного -- ---- ---- ---- проектирования широкой проектирования СБИС "система 17 10,4 11,5 11,3 номенклатуры СБИС "система в на кристалле" (с кристалле" (с использованием использованием СФ-блоков), в российских и иностранных том числе информационной СФ-блоков); среды автоматизированного разработка базы данных, проектирования СБИС "система содержащей библиотеки моделей на кристалле" и СФ-блоков для всех уровней проектирования, в том числе библиотеки СФ-блоков, обеспечивающих процесс сквозного проектирования СБИС специального и коммерческого применения 36. Разработка библиотеки - 23 21,6 22,4 17,6 библиотека элементов по элементов по классам, правил ---- ---- ---- ---- классам, правила проектирования СФ-блоков и 11,5 10,8 11,2 8,8 проектирования, электронной компонентной ориентированные на технологии базы, ориентированных на "кремниевых мастерских" с перспективные технологии, в учетом достигнутого том числе иностранные зарубежного уровня 37. Разработка системы - - 16 - - современная электронная автоматизированного -- компонентная база для проектирования, библиотек и 8 миниатюрных навигационных базовых элементов систем различного назначения: микроэлектромеханических от перспективного систем широкого применения высокоточного оружия и на основе интегральных авиационно-космических методов обработки кремния, в аппаратов до систем управления том числе: автомобилями и катерами; прецизионных акселерометров; методы проектирования датчиков угловых скоростей микроэлектромеханических (микро-механических систем и библиотеки основных гироскопов); элементов сверхпрецизионных (виброрезонансных) сенсоров измерения давления; микропереключателей каналов оптоволоконной связи; других микроэлектромеханических систем 38. Разработка комплектов - - 26,6 46,4 46 СБИС "система на кристалле" по специализированных СБИС ---- ---- -- функциональной сложности и "система на кристалле" 13,3 23,2 23 схемотехническим решениям 7 будут соответствовать сложностью до 10 зарубежному уровню и обеспечат транзисторов на кристалле создание массовой для: малогабаритной аппаратуры на цифрового телевидения; основе одной микросхемы, цифрового радиовещания; включающей блоки цифровой технологической телекоммуникаций, компьютеров, радиотелефонной связи; навигации и др.; будет других систем отработана методология "сквозного" автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" на основе СФ-блоков и библиотек микро- и макроэлементов 39. Разработка системы - - - - - разработка высокоэффективных автоматизированного устройств на ПАВ, ППАВ, ОВ проектирования и библиотеки позволит создать современные базовых конструкций системы точного оружия, связи, перспективных ПВО, радиочастотной акустоэлектронных устройств идентификации нового поколения, в том числе: изделий на ПАВ; устройств на объемных волнах; изделий на приповерхностных ПАВ 40. Создание физических - 24 25 22 21 научно обоснованные принципов, моделирование и -- ---- -- ---- рекомендации для дальнейшего разработка 12 12,5 11 10,5 развития электронной физико-технологических компонентной базы процессов, направленных на создание перспективной электронной компонентной базы 41. Разработка функционально - - 50 40 54 обеспечение комплектации, полной номенклатуры -- -- -- ремонта и эксплуатации серийно электронной компонентной 25 20 27 выпускаемых и модернизируемых базы, необходимой для образцов ВВСТ современной комплектации и модернизации электронной компонентной базой серийно выпускаемых образцов ВВСТ 6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база 42. Разработка библиотеки - 25,8 28,2 55 42,6 создание электронных систем элементов и СФ-блоков ---- ---- ---- ---- вооружения, военной и радиационностойкой 12,9 14,1 27,5 21,3 специальной техники, электронной компонентной функционирующих в условиях базы на основе технологий воздействия радиационных кремний на изоляторе и факторов кремний на сапфире, в том числе: процессоры (сигнальные и цифровые процессоры); микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т. д.); логические схемы; экспертиза и мониторинг технических процессов по обеспечению радиационной стойкости электронной компонентной базы 42-1. Создание базовых технологий - - - - 500 создание базовых технологий проектирования, --- проектирования, конструирования конструирования и 250 и производство ряда радиационно производства нового стойкой ЭКБ (микросхем памяти, поколения радиационно микропроцессоров, процессоров стойкой электронной обработки сигналов, цифро- компонентной базы на основе аналоговых и аналого-цифровых структур "кремний на БИС др.) со степенью интеграции изоляторе" и "кремний на 5 сапфире" с минимальными 2 х 10 транзисторов на размерами элементов 0,5-0,8 кристалле и сохранением мкм и КМОП-технологией с параметров при воздействии ВВФ минимальными размерами по группе стойкости 2У-3У, а элементов 0,35-0,5 мкм также системы проектирования и производства СФ-блоков и СБИС "система на кристалле" со степенью интеграции 7 2 x 10 транзисторов на кристалле и сохранением параметров при воздействии ВВФ по группе стойкости 2У-3У 7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники 43. Разработка базового - 3,2 9,6 9,8 9,8 создание матричных фотоэлектронного модуля на --- --- --- --- унифицированных основе инфракрасных 1,6 4,8 4,9 4,9 фотоэлектронных модулей с смотрящих двухцветных повышенной информационной многорядных матричных емкостью на базе фотодиодов из фотоприемных устройств КРТ и антимонида индия, (МФПУ) на базе фотодиодов из работающих в двух спектральных КРТ и антимонида индия с диапазонах. Применение цифровой обработкой и многоспектральных фотоприемных повышенной информационной модулей в тепловизионных и емкостью теплопеленгационных системах выведет последние по дальности и надежности обнаружения и захвата целей, а также помехозащищенности на качественно новый уровень 44. Разработка базового - 3,2 9,6 9,8 9,8 разработка базового фотоэлектронного модуля --- --- --- --- унифицированного нового поколения для 1,6 4,8 4,9 4,9 фотоэлектронного модуля сканирующих тепловизионных формата не менее 8 х 288 систем, работающих в режиме элементов, предназначенного ВЗН, с числом элементов для комплектации накопления не менее 8 тепловизионных приборов нового поколения, работающих в режиме ВЗН; увеличение числа рядов в МФПУ позволит улучшить фотоэлектрические параметры МФПУ, увеличить надежность за счет резервирования ФЧЭ, улучшить качество тепловизионных изображений 45. Разработка ряда базовых 1,4 4,2 10,8 7 10,6 создание типоразмерного ряда фотоэлектронных модулей на --- --- ---- --- ---- охлаждаемых матричных основе охлаждаемых 0,7 2,1 5,4 3,5 5,3 ИК-приемников на основе фотодиодных матриц из фотодиодов и антимонида индия и микроболометрических микроболометров для элементов, чувствительных в диапазонов спектра 3...5 и диапазоне 3...5 и 8...12 мкм 8...12 мкм формата формата 320 х 240, 384 х 288 320 х 240, 384 х 288 элементов и более. Возможность элементов выпуска тепловизионных систем гражданского и двойного применения 46. Разработка МФПУ смотрящего - - 4,6 4,6 4,8 создание смотрящего МФПУ на типа на спектральный --- --- --- основе КРТ формата 128 х 128 диапазон 3...5 мкм с 2,3 2,3 2,4 спектрального диапазона 3...5 покадровым накоплением мкм с совмещенным покадровым фотосигналов и цифровым накоплением и цифровым выводом выводом информации информации, предназначенного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения; существенное уменьшение темновых и фоновых токов по сравнению с фотодиодами спектрального диапазона 8-12 мкм, переход к более длительному времени накопления по сравнению с построчным накоплением фотосигналов в диапазоне 8-12 мкм и повышение технических характеристик МФПУ 47. Разработка унифицированных - 2,6 7,8 - - создание унифицированных модулей аналоговой и --- --- модулей для обработки сигналов цифровой обработки сигналов 1,3 3,9 МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288, многорядных матричных 8 х 288 и др., обеспечивающих фотоприемных устройств для функции аналого-цифрового тепловизионных каналов преобразования сигналов МФПУ, широкого применения суммирование сигналов с задержкой для реализации режима ВЗН, цифровую обработку сигналов с проведением коррекции неоднородности чувствительности, формирование сигналов управления МФПУ и синхронизацию с системой сканирования, оптимизацию режима работы МФПУ при изменении условий эксплуатации, формирование видеосигнала для отображения на мониторе 48. Разработка МОП - - - 4,6 4,6 4,8 создание МОП - мультиплексора мультиплексора с --- --- --- формата 128 х 128 с интегрированием фототока в 2,3 2,3 2,4 интегрированием фототока в ячейке для двухцветных ячейке для матриц фотодиодов матричных ФПУ, на основе материалов чувствительных в диапазонах кадмий-ртуть-теллур и длин волн 3...5 и 8...14 мкм антимонида индия в обеспечение выпуска матричных двухцветных ФПУ нового поколения 49. Разработка микросхем - 1,6 4,6 5 4,8 создание унифицированного ряда малошумящих операционных --- --- --- --- малошумящих операционных усилителей (ОУ) для 0,8 2,3 2,5 2,4 усилителей, предназначенных обработки сигналов для обработки сигналов фотоприемных устройств фотоприемников (ФП) с различных спектральных различным внутренним диапазонов сопротивлением. Унифицированный ряд включает в себя двухканальный ОУ двух типов для обработки сигналов фотоприемников с низким и высоким внутренним сопротивлением 50. Разработка спецалгоритмов и - 2,6 - 8 8,4 разработка алгоритмов и создание модулей цифровой --- - --- модулей автоматического обработки сигналов и 1,3 4 4,2 обнаружения, распознавания и изображений, получаемых в сопровождения целей на основе различных областях спектра с информации, получаемой радио- применением технологий и оптико-электронными каналами нейросетей и методов различного спектрального локально-анизотропных диапазона комплексированных признаков для решения задач систем; создание комплекта обнаружения, распознавания и экспериментальных образцов автосопровождения целей в модулей автоматического реальном времени обнаружения, распознавания и сопровождения целей и проведение их испытаний 51. Разработка жидкофазных и 3 6,6 13,6 - - разработка жидкофазных МОС-гидридных эпитаксиальных --- --- ---- эпитаксиальных структур структур материала 1,5 3,3 6,8 материала "кадмий-ртуть-теллур" для "кадмий-ртуть-теллур" с крупноформатных матричных высоким уровнем параметров, фотоприемников на пригодных для промышленного спектральные диапазоны 3...5 производства матричных ФПУ на и 8...12 мкм спектральные диапазоны 3...5 и 8...12 мкм 52. Разработка типоразмерного - 2,6 7,8 3,2 3,2 создание типоразмерного ряда ряда микрокриогенных систем --- --- --- --- микрокриогенных систем (МКС), с повышенным ресурсом работы 1,3 3,9 1,6 1,6 обеспечивающих температурный для охлаждения матричных режим работы нового поколения фотоприемных устройств матричных фотоприемных нового поколения устройств различных форматов для спектральных диапазонов 3...5 и 8...12 мкм. Основные характеристики: холодопроизводительность - 0,4...1,2 Вт; тип МКС - интегральный, Сплит-Стирлинг; ресурс работы - не менее - 20000 час 53. Разработка базовых модулей - 0,6 - 1,8 2 создание базовых модулей охлаждения на основе --- --- - охлаждения на основе термоэлектрических 0,3 0,9 1 термоэлектрических охладителей охладителей, в том числе на (ТЭО) для фотоприемников и основе явлений в квантовых фотоприемных устройств (МОФ) с ямах, для фотоприемников и улучшенными ТТХ, в том числе фотоприемных устройств по энергопотреблению, весу и ИК-диапазона габаритам, конкурентоспособных на внешнем рынке (МОФ на основе термоэлектрических охладителей на базе Bi2 Te3, Sb2 Te3 и твердых растворов Bi - Те- Sе- Sb, в том числе с использованием новых квантоворазмерных явлений) 54. Разработка ультрафиолетового - 0,8 - - - создание ЭОП на спектральный ЭОП на основе фотокатодов с --- диапазон от 0,2 мкм до 0,4 мкм отрицательным электронным 0,4 на основе принципиально нового сродством фотокатода с отрицательным электронным сродством 55. Разработка - 1,4 5,2 - - создание инфракрасного высокочувствительного --- --- фотоэлектрического модуля на фотоэлектрического 0,7 2,6 основе ЭОП с фотокатодом на инфракрасного модуля для структурах А3В5 с барьером лазерных систем Шоттки, чувствительного в круглосуточного видения спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 2,0 мкм и работающего в активно-импульсном режиме совместно с импульсным лазером для электронных систем повышенной дальности действия, в том числе для обнаружения и распознавания воздушных объектов на дальностях свыше 30 км, а также для медицинской техники, дифференциальной диагностики в онкологии, маммографии, оптической томографии и др. 56. Разработка высокоэффективных - - - 33 34 создание высокоэффективного ЭОП на основе фотокатодов, ---- -- инфракрасного ЭОП с квантовой чувствительных в 16,5 17 эффективностью более 5% на спектральном диапазоне от длине волны лямбда = 1,54 мкм 0,9 мкм до 1,65 мкм для оптико-электронных систем с повышенной помехозащищенностью и обнаружительной способностью, дальность действия которых в ночных условиях на 60% больше, чем у аналогичных систем на основе ЭОП третьего поколения для создания принципиально нового класса приборных комплексов и систем двойного назначения 57. Создание межотраслевой - 1,8 5,2 5,6 5,8 разработка методологии оценки интегрированной базы данных --- --- --- --- перспективности исследований и по исследованиям и 0,9 2,6 2,8 2,9 разработок, проводимых в разработкам ИК-систем и рамках межведомственной приборов двойного назначения целевой программы "Развитие инфракрасной техники на 2002-2006 годы", создание информационно-аналитической базы данных, имеющихся в данной области разработок 58. Разработка и освоение 0,8 1 1,4 1,4 1,8 разработка МКП с повышенной технологии мелкоструктурных --- --- --- --- --- информативностью свыше 80 МКП с повышенной 0,4 0,5 0,7 0,7 0,9 штр/мм, улучшенными пороговыми информативностью для ЭОПов характеристиками (фактор четвертого поколения, шума - не более 1,5), предназначенных для долговечностью более перспективной техники 5 тыс. ч., термостойкостью ночного видения более 550°С 59. Разработка базовой 1 1 - - - создание нового поколения технологии производства --- --- высокоэффективных индикаторов полупроводниковых 0,5 0,5 мирового уровня расширенного индикаторов нового поколения диапазона свечения для в широкой видимой области широкого применения в спектра на основе народнохозяйственной и антистоксовых люминофоров специальной аппаратуре 60. Разработка новых технологий 9 9 - - - разработка принципиально новых фотоники и оптоэлектроники --- --- систем фотонной обработки на полупроводниковых 4,5 4,5 информации с гетероструктурах производительностью, многократно превышающей предельную производительность электронных информационно-обрабатывающих систем (в том числе разработка технологии выращивания функциональных полупроводниковых гетероструктур, диагностика и сертификация функциональных параметров, создание образцов систем); создание на основе полупроводниковых гетероструктур новых типов оптоэлектронных компонентов 61. Разработка охлаждаемых 10,8 12,8 8,6 12 12 создание светочувствительных полупроводниковых структур и ---- ---- ---- -- -- многоэлементных структур, устройств на их основе, 5,4 6,4 4,3 6 6 охлаждаемых фотоприемных технологий производства устройств, в том числе крупноформатных матричных двухцветных субматричных фотоприемных комплексов на фотоприемников; создание основе фотодиодов из базовой системы теллурида кадмия-ртути, автоматизированного двухцветных матричных проектирования охлаждаемых фотоприемников на матричных фотоприемных гетероструктурах с устройств квантовыми ямами ИК-диапазона спектра (3...5 и 8...12 мкм). Разработка базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств 62. Разработка 1 1 1,8 1,8 2 организация серийного гетероэпитаксиальных --- --- --- --- - производства типового ряда структур фоточувствительных 0,5 0,5 0,9 0,9 1 тепловизионной техники слоев полноформатной двойного назначения в ИК-матрицы и спектральной области 3...5 мкм производственно- с чувствительностью на уровне технологического базиса лучших зарубежных аналогов (не создания фотоприемных 7 2 устройств с использованием более 5 х 10 Вт/см ) современных кремниевых мультиплексоров 63. Разработка МОС-гидридных - 1,4 - - - развитие МОС-гидридной эпитаксиальных --- эпитаксии позволит наладить полупроводниковых 0,7 выпуск высококачественных гетероструктур гетероструктур на соединениях InGaAlAs(P) с толщинами квантовых ям до 10 А и планарной однородностью электро-физических и оптических характеристик на уровне 1% для производства на их основе квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона, фотокатодов для электронно-оптических преобразователей 64. Разработка протяженных - 0,6 - - - создание активных элементов активных элементов длиной до --- длиной 120 мм, генерирующих в 120 мм из кристаллов KYW:Tm 0,3 диапазоне 1,85-1,95 мкм из кристаллов KYW:Tm в безопасном для глаз диапазоне 65. Разработка нелинейно- - 0,6 - - - разработка нелинейно- оптического материала на --- оптического материала на основе монокристаллов 0,3 основе монокристаллов (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 заданной концентрации с оптимизированными свойствами для конкретных заданных типов взаимодействия с целью разработки генераторов суммарной частоты и параметрических преобразователей частоты 66. Разработка мощных одиночных - 3,8 11 - - создание мощных источников полупроводниковых лазеров --- --- накачки лазерных кристаллов на (до 10 Вт), лазерных линеек 1,9 5,5 диапазон длин волн 0,78-1,06 (50-150 Вт) и матриц (свыше мкм с КПД ~50% м для систем 1 кВт), работающих в специального назначения, а непрерывном режиме также для использования в промышленных технологических установках 67. Создание мощного - 4,6 4 4 4 создание фемтосекундного широкодиапазонного --- -- -- -- лазерного излучателя с диодной фемтосекундного лазерного 2,3 2 2 2 накачкой, энергией в импульсе излучателя на твердотельных до 100 мДж при длительности активных средах с диодной 20-30 фс накачкой 68. Создание твердотельных - 1,6 4,6 5 5,2 разработка высокоэффективных лазерных модулей с --- --- --- --- высокоресурсных многоцветных полупроводниковой накачкой 0,8 2,3 2,5 2,6 (видимого диапазона) лазерных непрерывного излучения модулей с полупроводниковой мощностью до 10 Вт с длинами накачкой для информационных, волн 0,4-0,7 мкм технологических и медицинских целей, а также в интересах комплексов специального назначения 69. Разработка и создание - 1,6 4,6 5 5,2 создание модульной конструкции типового ряда непрерывных --- --- --- --- излучателя, позволяющей твердотельных лазеров с 0,8 2,3 2,5 2,6 наращивать мощность от 10 до накачкой линейками лазерных 100 Вт выходного излучения на диодов средней мощностью до осевом типе колебаний с 100 Вт дифракционной расходимостью КПД излучателя - более 50% от мощности накачки 70. Разработка и создание - 2,6 7,8 3,6 3,6 создание экономичных мощных базовой модели --- --- --- --- кристаллических источников технологического лазерного 1,3 3,9 1,8 1,8 лазерного излучения мощностью излучателя средней мощностью до 1 кВт с полупроводниковой 1 кВт на основе накачкой для применения в кристаллических активных различных технологиях сред с накачкой полупроводниковыми лазерами 71. Разработка микролазеров на - 0,6 1,8 - - разработка микролазеров для основе активированных --- --- диапазонов 1,3-1,5 мкм и 3.0 монокристаллических 0,3 0,9 мкм с диодной накачкой с целью оптических волокон и применения в медицине, технике пленочных структур и телекоммуникациях 72. Создание ряда - - 11 - - создание: высокоэффективных --- эксимерных лазеров непрерывных и 5,5 ультрафиолетового диапазона импульсно-периодических спектра на длинах волн 157 нм, газовых лазеров УФ-, 193 нм, 248 нм и 308 нм с видимого и ИК-диапазонов энергией в импульсе до 200 МДж для использования в лазерных для отжига и кристаллизации технологиях различного поверхностей полупроводниковых назначения. Разработка материалов; нормативной базы микроструктур, а также реализации новых методов лечения заболеваний в области кардиохирургии, дерматологии, офтальмологии и др.; опытных образцов цельнометаллических компактных отпаянных СО -лазеров с 2 ресурсом не менее 10000 часов, в том числе волноводных лазеров с планарной геометрией с ВЧ разрядом с мощностью до 1 кВт для технологии и медицины и перестраиваемых лазеров с ВЧ разрядом с компьютерным управлением для спектроскопических применений, включая лидары (аналоги отсутствуют); ряда щелевых отпаянных СО -лазеров с уровнем выходной 2 мощности от 0,1 до 1,5 кВт, ряда образцов лазеров на парах меди с уровнем выходной мощности от 10 до 100 Вт и технологии их изготовления, создание образцов лазерных технологических комплексов на основе щелевых СО -лазеров и 2 лазеров на парах меди; типового ряда СО -лазеров с 2 ВЧ-накачкой активной среды с мощностью 1,5; 2,5 и 5 кВт, ресурсом работы более 5000 часов, стабильностью излучения не менее 2% и расходимостью дифракционного качества 73. Разработка перспективной - 5,8 9,2 5 5 разработка базовых модулей, элементной базы для лазерных --- ---- ---- --- определяющих основные локаторов дальнего действия 2,9 4,6 2,5 2,5 характеристики лазерных локаторов и информационных лазерных комплексов, в том числе: 3-координатных приемных модулей с чувствительностью до 3 х 10-17 Дж; гибридных телевизионных приемных модулей с чувствительностью до 3 х 10-18 Дж на элемент; быстродействующих сканирующих устройств с полосой пропускания не менее 1 кГц и апертурой 20-200 млм; модулей усиления лазерного сигнала с энергией в импульсе 10-14 - 10-12 до значения 1 Дж на основе явления вынужденного рассеивания в нелинейных средах. Внедрение создаваемых ключевых элементов в новые комплексы позволит в 5...10 раз уменьшить ошибки слежения комплексов за динамическими объектами, сократить время обзора контролируемого пространства, увеличить дальность наблюдения 74. Разработка лазерных - 2,2 6,4 6,6 6,6 создание лазерных стереодатчиков для --- --- --- --- стереодатчиков с точностью робототехнических 1,1 3,2 3,3 3,3 измерения дальности 0,1-0,3% комплексов, лазерных позволит на порядок сократить дальномеров время измерительных операций в машиностроении, на транспортных магистралях, в Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Ноябрь
|
