|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 19.08.2014 № 829анализа отказов изделий ______ _____ ______ документации, включая микроэлектроники с применением 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые методики, ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию (ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.) 66. Разработка базовых 1170,325 310 354,45 285 220,875 создание технологии сверхбольших субмикронных технологий ________ ___ ______ ___ _______ интегральных схем, уровней 0,065 - 0,045 мкм 773,55 200 236,3 190 147,25 создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров 67. Исследование технологических 1372,075 383 383,45 334,875 270,75 создание технологии сверхбольших процессов и структур для ________ ___ ______ _______ ______ интегральных схем технологических субмикронных технологий 894,45 245 245,7 223,25 180,5 уровней 65-45 нм, организация уровней 0,032 мкм опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) 68. Разработка перспективных 1372,376 166,05 402,7 318 288,38 197,246 создание технологий и конструкций технологий и конструкций ________ ______ _____ ___ ______ _______ перспективных изделий изделий интеллектуальной 902,946 110,7 261,8 212 192,25 126,196 интеллектуальной силовой силовой электроники для микроэлектроники для применения в применения в аппаратуре аппаратуре промышленного и бытового и промышленного бытового назначения, применения, на транспорте, в создание встроенных интегральных топливно-энергетическом источников питания комплексе и в специальных (2013-2015 годы) системах 69. Разработка перспективных 1649,14 300 356,4 205 413,25 374,49 разработка перспективной технологий сборки сверхбольших _______ ___ _____ ___ ______ ______ технологии многокристальных интегральных схем в 1072,36 200 224,2 123 275,5 249,66 микроэлектронных модулей для многовыводные корпуса, в том мобильных применений с числе корпуса с матричным использованием полимерных и расположением выводов, и металлополимерных микроплат и технологий многокристальной носителей (2015 год) сборки, включая создание "систем в корпусе" Всего по направлению 4 11378,645 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1490,35 1321,505 1063,361 _________ ________ ________ _______ ______ ______ _______ ________ ________ 7196,176 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 963,3 881 703,606 Направление 5. Электронные материалы и структуры 70. Разработка технологии 78 51 27 внедрение новых диэлектрических производства новых __ __ __ материалов на основе диэлектрических материалов на 49 32 17 ромбоэдрической модификации основе ромбоэдрической нитрида бора и подложек из модификации нитрида бора и поликристаллического алмаза с подложек из повышенной теплопроводностью поликристаллического алмаза и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов 71. Разработка технологии 93,663 46,233 47,43 создание технологии производства производства ______ ______ _____ гетероэпитаксиальных структур гетероэпитаксиальных структур 54,24 22,62 31,62 и структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных транзисторов на основе соединений А В для обеспечения нитридных соединений А В для 3 5 3 5 разработок и изготовления мощных полупроводниковых сверхвысокочастотных монолитных приборов и интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов (2011 год) монолитных интегральных схем 72. Разработка базовой технологии 78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии производства метаморфных ______ ______ ____ производства гетероструктур и структур на основе GaAs и 49,8 32 17,8 псевдоморфных структур на псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных подложках InP для приборов полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотной сверхвысокочастотных монолитных электроники диапазона интегральных схем диапазона 60-90 ГГц 60-90 ГГц (2009 год) 73. Разработка технологии 132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных производства спинэлектронных _______ ______ __ __ магнитных материалов и магнитных материалов, 82 16 30 36 микроволновых структур со радиопоглощающих и спиновым управлением для создания мелкодисперсных ферритовых перспективных микроволновых материалов для сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления 74. Разработка технологии 76,4 50,1 26,3 создание технологии массового производства высокочистых ____ ____ ____ производства высокочистых химических материалов 47,3 31 16,3 химических материалов (аммиака, (аммиака, арсина, фосфина, арсина, фосфина, тетрахлорида тетрахлорида кремния) для кремния) для выпуска обеспечения производства полупроводниковых подложек полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, нитрида галлия, арсенида фосфида индия, кремния галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур и гетероэпитаксиальных на их основе (2009 год) структур на их основе 75. Разработка технологии 62,07 12 35,07 15 создание технологии производства производства _____ __ _____ __ поликристаллических алмазов и их поликристаллических алмазов и 45,38 12 23,38 10 пленок для мощных их пленок для теплопроводных сверхвысокочастотных приборов конструкций мощных выходных (2012 год) транзисторов и сверхвысокочастотных приборов 76. Исследование путей и 57 36 21 создание технологии изготовления разработка технологии __ __ __ новых микроволокон на основе изготовления новых 38 24 14 двухмерных диэлектрических и микроволокон на основе металлодиэлектрических микро- и двухмерных диэлектрических и наноструктур для новых классов металлодиэлектрических микро- микроструктурных приборов, и наноструктур, а также магниторезисторов, осцилляторов, полупроводниковых нитей с устройств оптоэлектроники наноразмерами при вытяжке (2009 год) стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника 77. Разработка технологии 64,048 4,5 32,548 27 создание базовой пленочной выращивания слоев ______ ___ ______ __ технологии пьезокерамических пьезокерамики на кремниевых 39 3 18 18 элементов, совместимой с подложках для формирования комплементарной металлооксидной комплексированных устройств полупроводниковой технологией для микросистемной техники разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год) 78. Разработка методологии и 63,657 42,657 21 создание технологии травления и базовых технологий создания ______ ______ __ изготовления кремниевых многослойных кремниевых 38 24 14 трехмерных базовых элементов структур с использованием микроэлектромеханических систем "жертвенных" и "стопорных" с использованием "жертвенных" и диффузионных и диэлектрических "стопорных" слоев для серийного слоев для производства силовых производства элементов приборов и элементов микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических (2009 год) кремниевых структур с систем использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния 79. Разработка базовых технологий 45,85 29,35 16,5 создание технологии получения получения алмазных _____ _____ ____ алмазных полупроводниковых полупроводниковых наноструктур 22 11 11 наноструктур и наноразмерных и наноразмерных органических органических покрытий, алмазных покрытий с широким диапазоном полупроводящих пленок для функциональных свойств конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год) 80. Исследование и разработка 136,716 57,132 79,584 создание технологии изготовления технологии роста _______ ______ ______ гетероструктур и эпитаксиальных эпитаксиальных слоев карбида 88,55 38 50,55 структур на основе нитридов для кремния, структур на основе создания радиационно стойких нитридов, а также формирования сверхвысокочастотных и силовых изолирующих и коммутирующих приборов нового поколения слоев в приборах экстремальной (2009 год) электроники 81. Разработка технологии 159,831 52 107,831 создание технологии производства производства радиационно _______ __ _______ структур "кремний на сапфире" стойких сверхбольших 90 35 55 диаметром до 150 мм с толщиной интегральных схем на приборного слоя до 0,1 мкм и ультратонких топологическими нормами до 0,18 гетероэпитаксиальных мкм для производства электронной структурах кремния на компонентной базы специального и сапфировой подложке для двойного назначения (2009 год) производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения 82. Разработка технологии 138,549 54 84,549 создание технологии производства производства высокоомного _______ __ ______ радиационно облученного кремния и радиационно облученного 89,7 36 53,7 пластин кремния до 150 мм для кремния, слитков и пластин выпуска мощных транзисторов и кремния диаметром до 150 мм сильноточных тиристоров нового для производства силовых поколения (2009 год) полупроводниковых приборов 83. Разработка технологии 90,4 38,5 51,9 разработка и промышленное производства кремниевых ____ ____ ____ освоение получения подложек и структур для 58,9 24 34,9 высококачественных подложек и силовых полупроводниковых структур для использования в приборов с глубокими производстве силовых высоколегированными слоями р- полупроводниковых приборов с и n-типов проводимости глубокими высоколегированными и скрытыми слоями носителей с слоями и скрытыми слоями повышенной рекомбинацией носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год) 84. Разработка технологии 220,764 73,964 146,8 создание технологии производства производства электронного _______ ______ _____ пластин кремния диаметром до кремния, кремниевых пластин 162 48 114 200 мм и эпитаксиальных структур диаметром до 200 мм уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 85. Разработка методологии, 266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии конструктивно-технических ______ _____ _____ __ __ корпусирования интегральных схем решений и перспективной 161 38 83 20 20 и полупроводниковых приборов на базовой технологии основе использования многослойных корпусирования интегральных кремниевых структур со сквозными схем и полупроводниковых токопроводящими каналами, приборов на основе обеспечивающей сокращение состава использования многослойных сборочных операций и формирование кремниевых структур со трехмерных структур (2013 год) сквозными токопроводящими каналами 86. Разработка технологии 230,141 35,141 135 30 30 создание базовой технологии производства гетероструктур _______ ______ ___ __ __ производства гетероструктур SiGe SiGe для разработки 143 13 90 20 20 для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год) 87. Разработка технологии 46,745 28,745 18 создание технологии выращивания и выращивания и обработки, в том ______ ______ __ обработки пьезоэлектрических числе плазмохимической, новых 34 22 12 материалов акустоэлектроники и пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры акустооптики акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год) 88. Разработка технологий 93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии массового производства соединений А В ______ ______ __ __ ____ производства исходных материалов 3 5 58 12 22 15 9 и структур для перспективных и тройных структур для приборов лазерной и производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том лазерных диодов, числе производства сверхмощных высокоэффективных светодиодов лазерных диодов (2010 год), белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов ультрафиолетового диапазонов, белого, зеленого, синего и фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов инфракрасного диапазона (2011 год), фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год) 89. Исследование и разработка 45,21 30,31 14,9 создание технологии производства технологии получения _____ _____ ____ принципиально новых материалов гетероструктур с вертикальными 30 22 8 полупроводниковой электроники на оптическими резонаторами на основе сложных композиций для основе квантовых ям и перспективных приборов лазерной и квантовых точек для оптоэлектронной техники производства вертикально (2009 год) излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 90. Разработка технологии 32,305 24,805 7,5 создание технологии производства производства современных ______ ______ ___ компонентов для компонентов для 17 12 5 специализированных специализированных электронно-лучевых (2010 год), фотоэлектронных приборов, в электронно-оптических и том числе катодов и газо- отклоняющих систем (2010 год), поглотителей, стеклооболочек и деталей из электронно-оптических и электровакуумного стекла отклоняющих систем, различных марок (2011 год) стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 91. Разработка технологии 39,505 27,505 12 создание технологии производства производства особо тонких ______ ______ __ особо тонких гетерированных гетерированных нанопримесями 32 20 12 нанопримесями полупроводниковых полупроводниковых структур для структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических электронно-оптических преобразователей и преобразователей и фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного приемников инфракрасного диапазона и солнечных диапазона, солнечных элементов и элементов с высокими других приложений (2009 год) значениями коэффициента полезного действия 92. Разработка базовой технологии 42,013 24,013 18 создание технологии производства монокристаллов ______ ______ __ монокристаллов AlN для AlN для изготовления 24 12 12 изготовления изолирующих и изолирующих и проводящих проводящих подложек для создания подложек для гетероструктур полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год) 93. Разработка базовой технологии 44,599 29,694 14,905 создание базовой технологии производства ______ ______ ______ вакуумно-плотной спецстойкой наноструктурированных оксидов 29,2 19,85 9,35 керамики из нанокристаллических металлов (корунда и др.) для порошков и нитридов металлов для производства вакуумно-плотной промышленного освоения нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового заданными оптическими поколения (2009 год), в том числе свойствами микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники 94. Разработка базовой технологии 25,006 22,006 3 создание технологии производства производства полимерных и ______ ______ _ полимерных и композиционных гибридных 13 11 2 материалов с использованием органо-неорганических поверхностной и объемной наноструктурированных модификации полимеров защитных материалов для наноструктурированными электронных компонентов нового наполнителями для создания поколения прецизионных и изделий с высокой механической, сверхвысокочастотных термической и радиационной резисторов, терминаторов, стойкостью при работе в условиях аттенюаторов и длительной эксплуатации и резисторно-индукционно- воздействии комплекса специальных емкостных матриц, стойких к внешних факторов (2011 год) воздействию комплекса специальных внешних факторов 95. Исследование и разработка 1365,875 225 269 309 306,375 256,5 создание базовой технологии перспективных ________ ___ ___ ___ _______ _____ производства гетероструктур, гетероструктурных и 910,25 150 179 206 204,25 171 структур и псевдоморфных структур наноструктурированных на подложках InP для материалов с экстремальными перспективных полупроводниковых характеристиками для приборов и сверхвысокочастотных перспективных электронных монолитных интегральных схем приборов и радиоэлектронной диапазона 60-90 ГГц (2012 год), аппаратуры специального создание технологии получения назначения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) 96. Исследование и разработка 1254,0188 435 300 259,5188 259,5 создание нового класса экологически чистых материалов _________ ___ ___ ________ _____ конструкционных и технологических и методов их использования в 836,0125 290 200 173,0125 173 материалов для уровней технологии производстве электронной 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения компонентной базы и высокого процента выхода годных радиоаппаратуры, включая изделий, экологических бессвинцовые композиции для требований по международным сборки стандартам (2012 год, 2015 год) 97. Разработка перспективных 1333,625 404 352,5 292,125 285 создание перспективных технологий технологий получения ленточных ________ ___ _____ _______ ___ производства компонентов для материалов (полимерные, 889,75 270 235 194,75 190 специализированных металлические, плакированные электронно-лучевых, и другие) для радиоэлектронной электронно-оптических и аппаратуры и сборочных отклоняющих систем, операций электронной стеклооболочек и деталей из компонентной базы электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год) Всего по направлению 5 6316,1928 621,754 658,169 365,251 717 1260 1035 858,0188 801 _________ _______ _______ _______ ___ ____ ____ ________ 4131,0825 407,85 431,6 177,62 478 840 690 572,0125 534 Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы 98. Разработка технологии выпуска 30,928 18 12,928 разработка расширенного ряда прецизионных ______ __ ______ резонаторов с повышенной температуростабильных 20 12 8 кратковременной и долговременной высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания резонаторов на поверхностно контрольной аппаратуры и техники акустических волнах до 1,5 ГГц связи двойного назначения с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 99. Разработка в лицензируемых и 78,5 32 33 13,5 создание технологии и конструкции нелицензируемых международных ____ __ __ ____ акустоэлектронных пассивных и частотных диапазонах 860 МГц и 45 14 22 9 активных меток-транспондеров для 2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических пассивных и активных приложениях на транспорте, акустоэлектронных в торговле и промышленности меток-транспондеров, в том (2010 год, 2011 год) числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 100. Разработка базовой конструкции 30,5 17 13,5 создание технологии и промышленной технологии ____ __ ____ проектирования и базовых производства пьезокерамических 19,5 11 8,5 конструкций пьезоэлектрических фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных поверхностного монтажа корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год) 101. Разработка технологии 37,73 37,73 создание базовой технологии проектирования, базовой _____ _____ акустоэлектронных приборов для технологии производства и 23 23 перспективных систем связи, конструирования измерительной и навигационной акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения - нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых, промежуточной частоты с тропосферных и радиорелейных высокими характеристиками для линий связи, цифрового современных систем связи, интерактивного телевидения, включая высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры, высокочастотные устройства радиолокационных станций, частотной селекции на спутниковых навигационных систем поверхностных и (2008 год) приповерхностных волнах и волнах Гуляева - Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 102. Разработка технологии 97,416 35,001 62,415 создание технологии производства проектирования и базовой ______ ______ ______ высокоинтегрированной электронной технологии производства 60,9 22 38,9 компонентной базы типа "система в функциональных законченных корпусе" для вновь устройств стабилизации, разрабатываемых и модернизируемых селекции частоты и обработки сложных радиоэлектронных систем и сигналов типа "система в комплексов (2010 год) корпусе" 103. Разработка базовой конструкции 63 21 21 21 создание базовой технологии и технологии изготовления __ __ __ __ (2013 год) и базовой конструкции высокочастотных резонаторов и 42 14 14 14 микроминиатюрных высокодобротных фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и телекоммуникационных и связи навигационных систем 104. Разработка технологии и 35 35 создание нового поколения базовой конструкции __ __ оптоэлектронных приборов для фоточувствительных приборов с 23 23 обеспечения задач предотвращения матричными приемниками аварий и контроля высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 105. Разработка базовой технологии 35,309 16,009 19,3 создание базовой технологии унифицированных ______ ______ ____ нового поколения приборов электронно-оптических 21,9 10 11,9 контроля тепловых полей для задач преобразователей, теплоэнергетики, медицины, микроканальных пластин, поисковой и контрольной пироэлектрических матриц и аппаратуры на транспорте, камер на их основе с продуктопроводах и в охранных чувствительностью до 0,1 К и системах (2009 год) широкого инфракрасного диапазона 106. Разработка базовой технологии 82 45 37 создание базовой технологии создания интегрированных __ __ __ (2008 год) и конструкции новых гибридных фотоэлектронных 53 30 23 типов приборов, сочетающих высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные высокоразрешающих приборов и технологии, в целях получения усилителей для задач экстремально достижимых космического мониторинга и характеристик для задач контроля специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного научной и метрологической назначения аппаратуры 107. Разработка базовых технологий 96,537 48,136 48,401 создание базовой технологии мощных полупроводниковых ______ ______ ______ (2008 год) и конструкций лазерных диодов (непрерывного 64 30 34 принципиально новых мощных и импульсного излучения), диодных лазеров, предназначенных специализированных лазерных для широкого применения в полупроводниковых диодов, изделиях двойного назначения, фотодиодов и лазерных медицины, полиграфического волоконно-оптических модулей оборудования и системах открытой для создания аппаратуры и оптической связи систем нового поколения 108. Разработка и освоение базовых 56,5 16 30 10,5 разработка базового комплекта технологий для лазерных ____ __ __ ____ основных оптоэлектронных навигационных приборов, 37 10 20 7 компонентов для лазерных включая интегральный гироскопов широкого применения оптический модуль лазерного (2010 год), создание комплекса гироскопа на базе технологий обработки и сверхмалогабаритных кольцевых формирования структурных и полупроводниковых лазеров приборных элементов, оборудования инфракрасного диапазона, контроля и аттестации, оптоэлектронные компоненты для обеспечивающих новый уровень широкого класса инерциальных технико-экономических показателей лазерных систем управления производства движением гражданских и специальных средств транспорта 109. Разработка базовых конструкций 22 22 создание базовой технологии и технологий создания __ __ твердотельных квантово-электронных 15 15 чип-лазеров для лазерных приемо-передающих модулей для дальномеров, твердотельных малогабаритных лазерных лазеров с пикосекундными дальномеров нового поколения длительностями импульсов для на основе твердотельных установок по прецизионной чип-лазеров с обработке композитных материалов, полупроводниковой накачкой, для создания элементов и изделий технологических лазерных микромашиностроения и в установок широкого производстве электронной спектрального диапазона компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год) 110. Разработка базовых технологий 66,305 56,27 10,035 создание технологии получения формирования конструктивных ______ _____ ______ широкоапертурных элементов на узлов и блоков для лазеров 43 37 6 основе алюмоиттриевой нового поколения и технологии легированной керамики композитных создания полного комплекта составов для лазеров с диодной электронной компонентной базы накачкой (2008 год), для производства лазерного высокоэффективных устройства определения наличия преобразователей частоты опасных, взрывчатых, лазерного излучения, организация отравляющих и наркотических промышленного выпуска оптических веществ в контролируемом изделий и лазерных элементов пространстве широкой номенклатуры 111. Разработка базовых технологий, 35 17 18 разработка расширенной серии базовой конструкции и __ __ __ низковольтных организация производства 35 17 18 катодолюминесцентных и других интегрированных дисплеев с широким диапазоном катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и дисплеев двойного назначения свойств по условиям применения со встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных управлением систем 112. Разработка технологии и 38,354 23,73 14,624 создание ряда принципиально новых базовых конструкций ______ _____ ______ светоизлучающих приборов с высокояркостных светодиодов и 29 16 13 минимальными геометрическими индикаторов основных цветов размерами, высокой надежностью и свечения для систем подсветки устойчивостью к механическим и в приборах нового поколения климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения 113. Разработка базовой технологии 100,604 21,554 61,05 18 создание базовой технологии и конструкции оптоэлектронных _______ ______ _____ __ производства нового поколения приборов (оптроны, оптореле, 59 10 37 12 оптоэлектронной высокоэффективной светодиоды) в миниатюрных и надежной электронной корпусах для поверхностного компонентной базы для монтажа промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год) 114. Разработка схемотехнических 51,527 24 27,527 создание технологии новых классов решений и унифицированных ______ __ ______ носимой и стационарной базовых конструкций и 33,5 16 17,5 аппаратуры, экранов отображения технологий формирования информации коллективного твердотельных видеомодулей на пользования повышенных емкости и полупроводниковых формата (2009 год) светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой 115. Разработка базовой технологии 57,304 31,723 25,581 создание технологии массового изготовления высокоэффективных ______ ______ ______ производства солнечных элементов солнечных элементов на базе 37 20 17 для индивидуального и использования кремния, коллективного использования в полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районах, развития технологии и технологии солнечной энергетики в "литого" кремния жилищно-коммунальном хозяйстве прямоугольного сечения для обеспечения задач энергосбережения (2009 год) 116. Разработка базовой технологии 32 18 14 создание технологии массового и освоение производства __ __ __ производства нового класса оптоэлектронных реле с 19 12 7 оптоэлектронных приборов для повышенными техническими широкого применения в характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре поверхностного монтажа (2009 год) 117. Комплексное исследование 136,7 50 63 23,7 создание базовой технологии и разработка технологий _____ __ __ ____ массового производства экранов с получения новых классов 71,8 22 34 15,8 предельно низкой удельной органических (полимерных) стоимостью для информационных и люминофоров, пленочных обучающих систем (2010 год, транзисторов на основе 2011 год) "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления с катушки на катушку 118. Разработка базовых конструкций 145,651 45 13,526 87,125 создание технологии и конструкции и технологии активных матриц и _______ __ ______ ______ активно-матричных органических драйверов плоских экранов на 100,5 30 8,5 62 электролюминесцентных, основе аморфных, жидкокристаллических и поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и интегральных структур на климатическим воздействиям различных подложках и создание (2010 год) на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения 119. Разработка базовой конструкции 85,004 41,004 20 24 создание технологии и базовых и технологии крупноформатных ______ ______ __ __ конструкций полноцветных полноцветных газоразрядных 46 10 20 16 газоразрядных видеомодулей видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год) 120. Разработка технологии 63,249 24,013 18,027 21,209 разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов и ______ ______ ______ ______ сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем 42 16 12 14 гибридных интегральных схем цифроаналоговых и цифроаналоговых и аналого-цифровых аналого-цифровых преобразователей преобразователей на их основе с параметрами, превышающими в металлокерамических корпусах уровень существующих для аппаратуры двойного отечественных и зарубежных назначения изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год) 121. Разработка базовой технологии 72 30 30 12 разработка расширенного ряда особо стабильных и особо __ __ __ __ сверхпрецизионных резисторов с точных резисторов широкого 48 20 20 8 повышенной удельной мощностью диапазона номиналов, рассеяния, высоковольтных прецизионных датчиков тока для высокоомных резисторов для измерительной и контрольной измерительной техники, приборов аппаратуры и освоение их ночного видения и аппаратуры производства контроля (2013 год) 122. Разработка технологии и 149,019 10,5 18,519 24,75 45 50,25 создание базовой технологии и базовых конструкций резисторов _______ ____ ______ _____ __ _____ конструкции резисторов с и резистивных структур нового 100 7 13 16,5 30 33,5 повышенными значениями поколения для поверхностного стабильности, удельной мощности монтажа, в том числе в чип-исполнении на основе резисторов с повышенными многослойных монолитных структур характеристиками, (2010 год, 2013 год) ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции 123. Разработка технологий 46,93 36,001 10,929 создание базовой технологии формирования интегрированных _____ ______ ______ производства датчиков на резистивных структур с 30,95 24 6,95 резистивной основе с высокими повышенными техническими характеристиками и технико-эксплуатационными надежностью (2009 год) характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки 124. Создание групповой технологии 59,011 30,006 29,005 создание технологии автоматизированного ______ ______ ______ автоматизированного производства производства толстопленочных 39 20 19 чип- и микрочип-резисторов чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год) 125. Разработка новых базовых 126 24 27 75 создание базовой технологии технологий и конструктивных ___ __ __ __ производства конденсаторов с решений изготовления 83 16 17 50 качественно улучшенными танталовых характеристиками с электродами из оксидно-полупроводниковых и неблагородных металлов при оксидно-электролитических сохранении высокого уровня конденсаторов и надежности (2010 год) чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками 126. Разработка комплексной базовой 29,801 22,277 7,524 создание базовых технологий технологии и организация ______ ______ _____ конденсаторов и ионисторов на производства конденсаторов с 18 13 5 основе полимерных материалов с органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и повышенными удельными энергоемких накопительных характеристиками и ионисторов конденсаторов с повышенной с повышенным током разряда удельной энергией (2009 год) 127. Разработка технологии, базовых 94,006 23,5 39,006 31,5 создание технологии и базовых конструкций высоковольтных ______ ____ ______ ____ конструкций нового поколения (быстродействующих, мощных) 62 15 26 21 выключателей для радиоэлектронной вакуумных выключателей нового аппаратуры с повышенными поколения с предельными тактико-техническими характеристиками для характеристиками и надежностью радиотехнической аппаратуры с (2011 год) высокими сроками службы 128. Разработка технологий создания 50,599 24,803 25,796 создание технологии изготовления газонаполненных высоковольтных ______ ______ ______ коммутирующих устройств для высокочастотных коммутирующих 33,5 16,5 17 токовой коммутации цепей в устройств для токовой широком диапазоне напряжений и коммутации цепей с повышенными токов для радиоэлектронных и техническими характеристиками электротехнических систем (2009 год) 129. Разработка полного комплекта 26,5 26,5 создание технологии выпуска электронной компонентной базы ____ ____ устройств грозозащиты в для создания модульного 17,5 17,5 индивидуальном, промышленном и устройства грозозащиты зданий гражданском строительстве, и сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных требований по международным объектов (2008 год) стандартам 130. Разработка базовых конструкций 55 46 9 создание базовой технологии и технологий изготовления __ __ _ формирования высококачественных малогабаритных переключателей 37 31 6 гальванических покрытий, с повышенными сроками службы технологии прецизионного для печатного монтажа формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год) 131. Комплексное исследование и 741,505 80,55 181 172,5 172,08 135,375 комплексное исследование и разработка пленочных _______ _____ ___ _____ ______ _______ разработка технологий получения технологий изготовления 494,67 53,7 121 115 114,72 90,25 новых классов органических высокоэкономичных светоизлучающих диодов (ОСИД), крупноформатных гибких и особо полимерной пленочной основы и плоских экранов технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год) 132. Исследование перспективных 740,8875 75 217,5 156,75 171,075 120,5625 создание технологии формирования конструкций и технологических ________ __ _____ ______ _______ ________ нового поколения оптоэлектронных принципов формирования 493,925 50 145 104,5 114,05 80,375 комплексированных приборов, оптоэлектронных и квантовых обеспечивающих создание "системы структур и приборов нового на кристалле" с оптическими поколения входами-выходами (2014 год, 2015 год) 133. Разработка перспективных 707,55 255 247,5 82,5 122,55 создание перспективной технологии технологий промышленного ______ ___ _____ ____ ______ изготовления солнечных элементов изготовления солнечных 471,7 170 165 55 81,7 на основе четверных соединений высокоэффективных элементов нитридов металлов III группы (2015 год) Всего по направлению 6 4375,9265 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 660 425,655 378,4875 _________ _______ _______ _______ _____ _____ ___ _______ ________ 2869,345 456 365,35 336,9 235 500 440 283,77 252,325 Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции 134. Разработка базовых технологий 4141,433 130,715 167,733 127,015 630 1058 707,55 665,7 654,72 создание на основе современной и создания рядов ________ _______ _______ _______ ___ ____ ______ _____ ______ перспективной отечественной приемо-передающих 2715,25 90,1 113,6 87,7 420 691 471,7 435,3 405,85 электронной компонентной унифицированных электронных элементной базы и последних модулей для аппаратуры связи, достижений в разработке радиолокации, алгоритмов сжатия телекоммуникаций, бортовых видеоизображений радиотехнических средств приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами диапазона частот до 100 ГГц, скорости передачи информации до 100 Гбит/с, создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области, разработка новых технологий 135. Разработка базовых технологий 2961,6528 91,404 159,155 101,29 465 797 706,8 305,675 335,3288 создание на основе базовых создания нового класса _________ ______ _______ ______ ___ ___ _____ _______ ________ технологий и современной унифицированных электронных 1963,5475 61,1 104,9 56,4 310 540 471,2 196,395 223,5525 отечественной твердотельной модулей для обработки компонентной электронной базы аналоговых и цифровых сигналов унифицированных электронных на основе устройств модулей нового поколения для функциональной электроники, обработки аналоговых и цифровых приборов обработки сигналов сигналов радиолокационных систем аналого-цифровых и и других радиотехнических систем цифроаналоговых в высокочастотных и преобразователей, сенсоров и сверхвысокочастотных диапазонах, преобразователей освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем 136. Разработка базовых технологий 1599,0388 47,185 77,477 63,783 285 453 247,5 199,3275 225,7613 создание рядов унифицированных создания рядов унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ ________ ________ электронных модулей для систем электронных модулей для систем 1068,6425 32,5 42,2 45,55 190 313 162 132,885 150,5075 телеметрии, управления, телеметрии, управления, радиолокационных, навигации (угловых и линейных робототехнических, перемещений, ориентации, телекоммуникационных систем и стабилизации, навигации (ориентации, позиционирования, наведения, стабилизации, позиционирования, радиопеленгации, единого наведения, радиопеленгации, времени) единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения 137. Разработка базовых технологий 3010,4329 60,024 89,053 63,082 540 977 447 433,4324 400,8415 создание на основе современной и создания рядов унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ________ ________ перспективной отечественной электронных модулей 1992,1499 40 53,5 42,04 360 658 296 279,9824 262,6275 электронной компонентной базы процессоров, скоростного и унифицированных электронных сверхскоростного ввода-вывода модулей широкой номенклатуры для данных, шифрования и применения в различных дешифрования данных, информационных системах, в том интерфейсов обмена, систем числе унифицированных электронных сбора и хранения информации, модулей шифрования и дешифрования периферийных устройств, систем данных, разработка базовых идентификации и управления технологий и конструкций доступом, конверторов, унифицированных электронных информационно-вычислительных модулей систем радиочастотной систем идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с 138. Разработка базовых технологий 1969,3185 49,076 64,824 81,236 270 437 500,9 258,499 307,7835 разработка на основе создания рядов унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ _______ ________ перспективных отечественных электронных цифровых модулей 1312,529 32,7 43,2 46,5 180 303 329,6 172,34 205,189 сверхбольших интегральных схем для перспективных типа "система на кристалле" магистрально-модульных базового ряда электронных модулей архитектур для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов 139. Разработка базовых технологий 2029,9439 72,091 92,753 61,381 330 536 312,9 318,8432 305,9757 создание на основе современной и создания ряда унифицированных _________ ______ ______ ______ ___ ___ _____ ________ ________ перспективной отечественной электронных модулей для 1347,3459 35,5 61,9 40,8 220 364 208,6 212,5621 203,9838 электронной компонентной базы контрольно-измерительной, рядов унифицированных электронных метрологической и поверочной модулей, обеспечивающих аппаратуры, аппаратуры возможность создания по тестового контроля, модульному принципу диагностики блоков контрольно-измерительной, радиоэлектронной аппаратуры, метрологической и поверочной для стандартных и встроенных аппаратуры, аппаратуры тестового систем контроля и измерений контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций, создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений 140. Разработка базовых технологий 2921,0238 58,5 95,178 91,262 480 860 421,05 519,3 395,7388 разработка базовых технологий создания нового поколения _________ ____ ______ ______ ___ ___ ______ ______ ________ создания системообразующих унифицированных рядов средств 1934,6725 41 62 55 320 574 280,7 338,15 263,8225 унифицированных рядов средств электропитания и (систем, источников, сервисных преобразователей устройств) и преобразователей электроэнергии для электроэнергии нового поколения радиоэлектронных систем и межвидового и межведомственного аппаратуры гражданского и применения, в том числе средств двойного назначения электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания унифицированных рядов источников электропитания, преобразователей электрической энергии, источников и систем бесперебойного электропитания, фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов, модулей защиты от сетевых помех, адаптеров 141. Разработка оптимизированной 2731,3303 43 84,225 90 525 920 424 289,9995 355,1058 разработка системы базовых системы базовых несущих _________ __ ______ __ ___ ___ ___ ________ ________ несущих конструкций, конструкций первого, второго и 1809,5588 28 54,5 57 350 612 295 193,333 219,7258 изготавливаемых на основе третьего уровней для наземной, прогрессивных технологий и морской, авиационной и обеспечивающих техническую космической радиоэлектронной совместимость со всеми видами аппаратуры специального и современных объектов с двойного назначения, использованием композиционных предназначенной для жестких материалов. Применение условий эксплуатации, в том оптимизированных базовых несущих числе работающей в конструкций позволит сократить негерметизированном отсеке с сроки разработки радиоэлектронной использованием прогрессивных аппаратуры в 1,2 раза, снизить технологий трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение 142. Разработка базовых технологий 2191,264 46,16 66,651 60,078 285 482 403,8 421,575 426 разработка системы базовых комплексно интегрированных ________ _____ ______ ______ ___ ___ _____ _______ ___ несущих конструкций, базовых несущих конструкций с 1463,93 33 45,3 41,38 190 320 269,2 281,05 284 изготавливаемых на основе функциями контроля, прогрессивных технологий и диагностики, индикации обеспечивающих техническую функционирования совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Ноябрь
|
