|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 08.09.2011 № 763освоение 308,8 168,3 140,5 единой системы производства конструкторской, изделий технологической микроэлектроники документации и ввод в с технологическим эксплуатацию уровнем 0,13 мкм производственной линии 62. Разработка 939,45 196 360 154 229,45 разработка комплектов базовой ______ ___ ___ ___ ______ документации в стандартах технологии 587,3 102 240 99 146,3 единой системы формирования конструкторской, многослойной технологической и разводки производственной (7-8 уровней) документации, сверхбольших ввод в эксплуатацию интегральных производственной линии схем на основе Al и Cu 63. Разработка 519,525 235,513 168,512 115,5 разработка комплектов технологии и _______ _______ _______ _____ документации в стандартах организация 288,9 101 110,9 77 единой системы производства конструкторской, многокристальных технологической и микроэлектронных производственной модулей для документации, мобильных ввод в эксплуатацию применений с производственной линии использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей 64. Разработка новых 133,8 67 66,8 разработка технологической методов _____ __ ____ и производственной технологических 133,8 67 66,8 документации, ввод в испытаний изделий эксплуатацию микроэлектроники, специализированных участков гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 65. Разработка 243,77 131,9 111,87 разработка комплектов современных ______ _____ ______ документации, включая методов анализа 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые отказов изделий методики, ввод в микроэлектроники эксплуатацию с применением модернизированных участков ультраразрешающих и лабораторий анализа методов отказов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие) 66. Разработка 1240,5 310 380 310 240,5 создание технологии базовых ______ ___ ___ ___ _____ сверхбольших интегральных субмикронных 800 200 245 200 155 схем; технологий создание базовой технологии уровней формирования многослойной 0,065 - 0,045 мкм разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно- распорядительной документации по взаимодействию центров 67. Исследование 1424,45 383 383,45 368 290 создание технологии технологических _______ ___ ______ ___ ___ сверхбольших интегральных процессов и 915,7 245 245,7 235 190 схем технологических структур для уровней 65-45 нм, субмикронных организация опытного технологий производства и исследование уровней 0,032 мкм технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) 68. Разработка 1479,55 166,05 402,7 355 317,5 238,3 создание технологий и перспективных _______ ______ _____ ___ _____ _____ конструкций перспективных технологий и 959,7 110,7 261,8 230 205 152,2 изделий интеллектуальной конструкций силовой микроэлектроники изделий для применения в аппаратуре интеллектуальной промышленного и бытового силовой назначения; электроники для создание встроенных применения в интегральных источников аппаратуре питания (2013-2015 годы) бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно- энергетическом комплексе и в специальных системах 69. Разработка 1730,6 300 356,4 205 455 414,2 разработка перспективной перспективных ______ ___ _____ ___ ___ _____ технологии многокристальных технологий сборки 1100 200 224,2 123 290 262,8 микроэлектронных модулей сверхбольших для мобильных применений с интегральных схем использованием полимерных и в многовыводные металлополимерных микроплат корпуса, в том и носителей (2015 год) числе корпуса с матричным расположением выводов и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе" Всего по 11689,829 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1552,9 1450,5 1183 направлению 4 _________ ________ ________ _______ ______ ______ ______ ______ ____ 7328,27 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 990 930 760 Направление 5. Электронные материалы и структуры 70. Разработка 78 51 27 внедрение новых технологии __ __ __ диэлектрических материалов производства 49 32 17 на основе ромбоэдрической новых модификации нитрида бора и диэлектрических подложек из материалов поликристаллического алмаза на основе с повышенной ромбоэдрической теплопроводностью и модификации электропроводностью для нитрида бора и создания нового поколения подложек из высокоэффективных и надежных поликристал- сверхвысокочастотных лического алмаза приборов 71. Разработка 93,663 46,233 47,43 создание технологии технологии ______ ______ _____ производства производства 54,24 22,62 31,62 гетероэпитаксиальных гетероэпитакси- структур и структур альных структур и гетеробиполярных структур транзисторов на основе гетеробиполярных нитридных соединений А В транзисторов на 3 5 основе нитридных для обеспечения разработок соединений А В и изготовления 3 5 сверхвысокочастотных для мощных монолитных интегральных полупроводниковых схем и мощных транзисторов приборов и (2011 год) сверхвысоко- частотных монолитных интегральных схем 72. Разработка 78,047 50,147 27,9 создание базовой технологии базовой ______ ______ ____ производства гетероструктур технологии 49,8 32 17,8 и псевдоморфных структур на производства подложках InP для метаморфных перспективных структур на полупроводниковых приборов основе GaAs и и сверхвысокочастотных псевдоморфных монолитных интегральных схем структур на диапазона 60-90 ГГц подложках InP (2009 год) для приборов сверхвысоко- частотной электроники диапазона 60-90 ГГц 73. Разработка 132,304 33,304 45 54 создание спинэлектронных технологии _______ ______ __ __ магнитных материалов и производства 82 16 30 36 микроволновых структур со спинэлектронных спиновым управлением для магнитных создания перспективных материалов, микроволновых радиопоглощающих сверхвысокочастотных и мелкодисперсных приборов повышенного ферритовых быстродействия и низкого материалов для энергопотребления сверхвысоко- частотных приборов 74. Разработка 76,4 50,1 26,3 создание технологии технологии ____ ____ ____ массового производства производства 47,3 31 16,3 высокочистых химических высокочистых материалов (аммиака, химических арсина, фосфина, материалов тетрахлорида кремния) для (аммиака, арсина, выпуска полупроводниковых фосфина, подложек нитрида галлия, тетрахлорида арсенида галлия, фосфида кремния) для индия, кремния и обеспечения гетероэпитаксиальных производства структур на их основе полупроводниковых (2009 год) подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитак- сиальных структур на их основе 75. Разработка 62,07 12 35,07 15 создание технологии технологии _____ __ _____ __ производства производства 45,38 12 23,38 10 поликристаллических алмазов поликристалличес- и его пленок для мощных ких алмазов сверхвысокочастотных и их пленок для приборов (2012 год) теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысоко- частотных приборов 76. Исследование 57 36 21 создание технологии путей и __ __ __ изготовления новых разработка 38 24 14 микроволокон на основе технологии двухмерных диэлектрических изготовления и металлодиэлектрических новых микро- и наноструктур для микроволокон на новых классов основе двухмерных микроструктурных приборов, диэлектрических магниторезисторов, и металлоди- осцилляторов, устройств электрических оптоэлектроники (2009 год) микро- и наноструктур, а также полу- проводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника 77. Разработка 64,048 4,5 32,548 27 создание базовой пленочной технологии ______ ___ ______ __ технологии пьезокерамических выращивания слоев 39 3 18 18 элементов, совместимой с пьезокерамики на комплементарной металло- кремниевых оксидной полупроводниковой подложках для технологией для разработки формирования нового класса активных комплексированных пьезокерамических устройств устройств, интегрированных микросистемной с микросистемами (2011 год) техники 78. Разработка 63,657 42,657 21 создание технологии методологии и ______ ______ __ травления и изготовления базовых 38 24 14 кремниевых трехмерных технологий базовых элементов создания микроэлектромеханических многослойных систем с использованием кремниевых "жертвенных" и "стопорных" структур с слоев для серийного использованием производства элементов "жертвенных" и микроэлектромеханических "стопорных" систем (2009 год) диффузионных и кремниевых структур с диэлектрических использованием силикатных слоев для стекол, моно-, производства поликристаллического и силовых приборов пористого кремния и и элементов диоксида кремния микроэлектро- механических систем 79. Разработка 45,85 29,35 16,5 создание технологии базовых _____ _____ ____ получения алмазных технологий 22 11 11 полупроводниковых получения наноструктур и алмазных наноразмерных органических полупроводниковых покрытий, алмазных наноструктур и полупроводящих пленок для наноразмерных конкурентоспособных органических высокотемпературных и покрытий с радиационно стойких широким устройств и приборов диапазоном двойного назначения функциональных (2011 год) свойств 80. Исследование и 136,716 57,132 79,584 создание технологии разработка _______ ______ ______ изготовления гетероструктур технологии роста 88,55 38 50,55 и эпитаксиальных структур эпитаксиальных на основе нитридов для слоев карбида создания радиационно кремния, структур стойких на основе сверхвысокочастотных и нитридов, а также силовых приборов нового формирования поколения (2009 год) изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники 81. Разработка 159,831 52 107,831 создание технологии технологии _______ __ _______ производства структур производства 90 35 55 "кремний на сапфире" радиационно диаметром до 150 мм с стойких толщиной приборного слоя до сверхбольших 0,1 мкм и топологическими интегральных нормами до 0,18 мкм для схем на производства электронной ультратонких компонентной базы гетероэпитакси- специального и двойного альных структурах назначения (2009 год) кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения 82. Разработка 138,549 54 84,549 создание технологии технологии _______ __ ______ производства радиационно производства 89,7 36 53,7 облученного кремния и высокоомного пластин кремния до 150 мм радиационно для выпуска мощных облученного транзисторов и сильноточных кремния, слитков тиристоров нового поколения и пластин кремния (2009 год) диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов 83. Разработка 90,4 38,5 51,9 разработка и промышленное технологии ____ ____ ____ освоение получения производства 58,9 24 34,9 высококачественных подложек кремниевых и структур для подложек и использования в структур для производстве силовых силовых полупроводниковых приборов, полупроводниковых с глубокими приборов с высоколегированными слоями глубокими и скрытыми слоями носителей высоколегирован- с повышенной рекомбинацией ными слоями р- и (2009 год) n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией 84. Разработка 220,764 73,964 146,8 создание технологии технологии _______ ______ _____ производства пластин производства 162 48 114 кремния диаметром до 200 мм электронного и эпитаксиальных структур кремния, уровня 0,25 - 0,18 мкм кремниевых (2009 год) пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 85. Разработка 266,35 81,85 124,5 30 30 разработка технологии методологии, ______ _____ _____ __ __ корпусирования интегральных конструктивно- 161 38 83 20 20 схем и полупроводниковых технических приборов на основе решений и использования многослойных перспективной кремниевых структур со базовой сквозными токопроводящими технологии каналами, обеспечивающей корпусирования сокращение состава интегральных схем сборочных операций и и полупроводнико- формирование трехмерных вых приборов на структур (2013 год) основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами 86. Разработка 230,141 35,141 135 30 30 создание базовой технологии технологии _______ ______ ___ __ __ производства гетероструктур производства 143 13 90 20 20 SiGe для выпуска гетероструктур быстродействующих SiGe для сверхбольших интегральных разработки схем с топологическими сверхбольших нормами 0,25 - 0,18 мкм интегральных схем (2011 год, 2013 год) с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 87. Разработка 46,745 28,745 18 создание технологии технологии ______ ______ __ выращивания и обработки выращивания и 34 22 12 пьезоэлектрических обработки, в материалов том числе акустоэлектроники и плазмохимической, акустооптики для новых пьезо- обеспечения производства электрических широкой номенклатуры материалов для акустоэлектронных устройств акустоэлектроники нового поколения (2009 год) и акустооптики 88. Разработка 93,501 24,001 33 23 13,5 создание технологии технологий ______ ______ __ __ ____ массового производства производства 58 12 22 15 9 исходных материалов и соединений структур для перспективных А В и тройных приборов лазерной и 3 5 оптоэлектронной техники, в структур для: том числе: производства производства сверхмощных сверхмощных лазерных диодов (2010 год); лазерных диодов; высокоэффективных высокоэффективных светодиодов белого, светодиодов зеленого, синего и белого, зеленого, ультрафиолетового синего и диапазонов (2011 год); ультрафиолетового фотоприемников среднего диапазонов; инфракрасного диапазона фотоприемников (2013 год) среднего инфракрасного диапазона 89. Исследование и 45,21 30,31 14,9 создание технологии разработка _____ _____ ____ производства принципиально технологии 30 22 8 новых материалов получения полупроводниковой гетероструктур с электроники на основе вертикальными сложных композиций для оптическими перспективных приборов резонаторами на лазерной и оптоэлектронной основе квантовых техники (2009 год) ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 90. Разработка 32,305 24,805 7,5 создание технологии технологии ______ ______ ___ производства компонентов производства 17 12 5 для специализированных современных электронно-лучевых компонентов для (2010 год), специализирован- электронно-оптических и ных фото- отклоняющих систем электронных (2010 год), приборов, в том стеклооболочек и деталей из числе: электровакуумного стекла катодов и различных марок (2011 год) газопоглотителей; электронно- оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 91. Разработка 39,505 27,505 12 создание технологии технологии ______ ______ __ производства особо тонких производства 32 20 12 гетерированных особо тонких нанопримесями гетерированных полупроводниковых структур нанопримесями для изготовления полупроводниковых высокоэффективных структур для фотокатодов электронно- высокоэффективных оптических преобразователей фотокатодов, и фотоэлектронных электронно- умножителей, приемников оптических инфракрасного диапазона, преобразователей солнечных элементов и и фотоэлектронных других приложений (2009 год) умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия 92. Разработка 42,013 24,013 18 создание технологии базовой ______ ______ __ монокристаллов AlN для технологии 24 12 12 изготовления изолирующих и производства проводящих подложек для монокристаллов создания полупроводниковых AlN для высокотемпературных и изготовления мощных сверхвысокочастотных изолирующих и приборов нового поколения проводящих (2011 год) подложек для гетероструктур 93. Разработка 44,559 29,694 14,905 создание базовой технологии базовой ______ ______ ______ вакуумно-плотной технологии 29,2 19,85 9,35 спецстойкой керамики из производства нанокристаллических порошков наноструктури- и нитридов металлов для рованных оксидов промышленного освоения металлов (корунда спецстойких приборов нового и т. п.) для поколения (2009 год), в производства том числе микрочипов, вакуумно-плотной сверхвысокочастотных нанокерамики, в аттенюаторов, RLC-матриц, а том числе с также особо прочной заданными электронной компонентной оптическими базы оптоэлектроники и свойствами фотоники 94. Разработка 25,006 22,006 3 создание технологии базовой ______ ______ _ производства полимерных и технологии 13 11 2 композиционных материалов с производства использованием полимерных и поверхностной и объемной гибридных органо- модификации полимеров неорганических наноструктурированными наноструктуриро- наполнителями для создания ванных защитных изделий с высокой материалов для механической, термической и электронных радиационной стойкостью при компонентов работе в условиях длительной нового поколения эксплуатации и воздействии прецизионных и комплекса специальных сверхвысоко- внешних факторов (2011 год) частотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно- индукционно- емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов 95. Исследование и 1395,5 225 269 309 322,5 270 создание базовой технологии разработка ______ ___ ___ ___ _____ ___ производства гетероструктур, перспективных 930 150 179 206 215 180 структур и псевдоморфных гетероструктурных структур на подложках InP и наноструктури- для перспективных рованных полупроводниковых приборов материалов и сверхвысокочастотных с экстремальными монолитных интегральных характеристиками схем диапазона 60-90 ГГц для перспективных (2012 год), создание электронных технологии получения приборов и алмазных полупроводниковых радиоэлектронной наноструктур и наноразмерных аппаратуры органических покрытий специального (2013 год), алмазных назначения полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) 96. Исследование и 1395 435 382,5 277,5 300 создание нового класса разработка ____ ___ _____ _____ ___ конструкционных и экологически 930 290 255 185 200 технологических материалов чистых материалов для уровней технологии и методов их 0,065 - 0,032 мкм и использования в обеспечения высокого производстве процента выхода годных электронной изделий, экологических компонентной требований по международным базы и стандартам (2012 год, радиоаппаратуры, 2015 год) включая бессвинцовые композиции для сборки 97. Разработка 1379 404 367,5 307,5 300 создание перспективных перспективных ____ ___ _____ _____ ___ технологий производства технологий 920 270 245 205 200 компонентов для получения специализированных ленточных электронно-лучевых, материалов электронно-оптических и (полимерные, отклоняющих систем, металлические, стеклооболочек и деталей из плакированные и электровакуумного стекла другие) для различных марок (2013 год), радиоэлектронной создание технологии аппаратуры и производства полимерных и сборочных композиционных материалов с операций использованием электронной поверхностной и объемной компонентной базы модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год) Всего по 6532,174 621,754 658,169 365,251 717 1260 1132,5 907,5 870 направлению 5 ________ _______ _______ _______ ___ ____ ______ _____ ___ 4275,07 407,85 431,6 177,62 478 840 755 605 580 Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы 98. Разработка 30,928 18 12,928 разработка расширенного технологии ______ __ ______ ряда резонаторов с выпуска 20 12 8 повышенной кратковременной прецизионных и долговременной температуро- стабильностью для создания стабильных контрольной аппаратуры и высокочастотных техники связи двойного до 1,5 - 2 ГГц назначения резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 99. Разработка в 78,5 32 33 13,5 создание технологии и лицензируемых ____ __ __ ____ конструкции и нелицензируемых 45 14 22 9 акустоэлектронных пассивных международных и активных меток- частотных транспондеров для диапазонах применения в логистических 860 МГц и приложениях на транспорте, 2,45 ГГц ряда в торговле и промышленности радиочастотных (2010 год, 2011 год) пассивных и активных акустоэлектронных меток- транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 100. Разработка 30,5 17 13,5 создание технологии базовой ____ __ ____ проектирования и базовых конструкции и 19,5 11 8,5 конструкций промышленной пьезоэлектрических фильтров технологии в малогабаритных корпусах производства для поверхностного монтажа пьезокерамических при изготовлении техники фильтров в связи массового применения корпусах для (2009 год) поверхностного монтажа 101. Разработка 37,73 37,73 создание базовой технологии технологии _____ _____ акустоэлектронных приборов проектирования, 23 23 для перспективных систем базовой связи, измерительной и технологии навигационной аппаратуры производства и нового поколения: конструирования подвижных, спутниковых, акустоэлектронных тропосферных и устройств нового радиорелейных линий связи, поколения и цифрового интерактивного фильтров телевидения, промежуточной радиоизмерительной частоты с аппаратуры, высокими радиолокационных станций, характеристиками спутниковых навигационных для современных систем (2008 год) систем связи, включая высокоизбира- тельные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 102. Разработка 97,416 35,001 62,415 создание технологии технологии ______ ______ ______ производства проектирования и 60,9 22 38,9 высокоинтегрированной базовой электронной компонентной технологии базы типа "система в производства корпусе" для вновь функциональных разрабатываемых и законченных модернизируемых сложных устройств радиоэлектронных систем и стабилизации, комплексов (2010 год) селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе" 103. Разработка 63 21 21 21 создание базовой технологии базовой __ __ __ __ и базовой конструкции конструкции и 42 14 14 14 микроминиатюрных технологии высокодобротных фильтров изготовления для малогабаритной и высокочастотных носимой аппаратуры резонаторов и навигации и связи (2013 год) фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуника- ционных и навигационных систем 104. Разработка 35 35 создание нового поколения технологии и __ __ оптоэлектронных приборов базовой 23 23 для обеспечения задач конструкции предотвращения аварий и фоточувствитель- контроля ных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 105. Разработка 35,309 16,009 19,3 создание базовой технологии базовой ______ ______ ____ нового поколения приборов технологии 21,9 10 11,9 контроля тепловых полей для унифицированных задач теплоэнергетики, электронно- медицины, поисковой и оптических контрольной аппаратуры на преобразователей, транспорте, микроканальных продуктопроводах и в пластин, охранных системах (2009 год) пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона 106. Разработка 82 45 37 создание базовой технологии базовой __ __ __ (2008 год) и конструкции технологии 53 30 23 новых типов приборов, создания сочетающих фотоэлектронные интегрированных и твердотельные технологии, гибридных с целью получения фотоэлектронных экстремально достижимых высокочувстви- характеристик для задач тельных и контроля и наблюдения в высокоразрешающих системах двойного приборов и назначения усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры 107. Разработка 96,537 48,136 48,401 создание базовой технологии базовых ______ ______ ______ (2008 год) и конструкций технологий мощных 64 30 34 принципиально новых мощных полупроводниковых диодных лазеров, лазерных диодов предназначенных для (непрерывного и широкого применения в импульсного изделиях двойного излучения), назначения, медицины, специализирован- полиграфического ных лазерных оборудования и системах полупроводниковых открытой оптической связи диодов, фотодиодов и лазерных волоконно- оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения 108. Разработка и 56,5 16 30 10,5 разработка базового освоение базовых ____ __ __ ____ комплекта основных технологий для 37 10 20 7 оптоэлектронных компонентов лазерных для лазерных гироскопов навигационных широкого применения приборов, включая (2010 год), создание интегральный комплекса технологий оптический модуль обработки и формирования лазерного структурных и приборных гироскопа на базе элементов, оборудования сверхмалогабарит- контроля и аттестации, ных кольцевых обеспечивающих новый полупроводниковых уровень технико- лазеров экономических показателей инфракрасного производства диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта 109. Разработка 22 22 создание базовой технологии базовых __ __ твердотельных чип-лазеров конструкций и 15 15 для лазерных дальномеров, технологий твердотельных лазеров с создания пикосекундными квантово- длительностями импульсов электронных для установок по приемопередающих прецизионной обработке модулей для композитных материалов, для малогабаритных создания элементов и лазерных изделий микромашиностроения дальномеров и в производстве электронной нового поколения компонентной базы нового на основе поколения, мощных лазеров твердотельных для применения в чип-лазеров с машиностроении, полупроводниковой авиастроении, накачкой, автомобилестроении, технологических судостроении, в составе лазерных промышленных технологических установок установок обработки и широкого сборки, систем спектрального экологического мониторинга диапазона окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год) 110. Разработка 66,305 56,27 10,035 создание технологии базовых ______ _____ ______ получения широкоапертурных технологий 43 37 6 элементов на основе формирования алюмоиттриевой легированной конструктивных керамики композитных узлов и блоков составов для лазеров с для лазеров диодной накачкой (2008 год), нового поколения высокоэффективных и технологии преобразователей частоты создания полного лазерного излучения, комплекта организация промышленного электронной выпуска оптических изделий компонентной базы и лазерных элементов для производства широкой номенклатуры лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве 111. Разработка 35 17 18 разработка расширенной базовых __ __ __ серии низковольтных технологий, 35 17 18 катодолюминесцентных и базовой других дисплеев с широким конструкции и диапазоном эргономических организация характеристик и свойств по производства условиям применения для интегрированных информационных и катодолюмине- контрольных систем сцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением 112. Разработка 38,354 23,73 14,624 создание ряда принципиально технологии и ______ _____ ______ новых светоизлучающих базовых 29 16 13 приборов с минимальными конструкций геометрическими размерами, высокояркостных высокой надежностью и светодиодов устойчивостью к механическим и индикаторов и климатическим основных цветов воздействиям, обеспечивающих свечения для энергосбережение за счет систем подсветки замены ламп накаливания в в приборах нового системах подсветки поколения аппаратуры и освещения 113. Разработка 100,604 21,554 61,05 18 создание базовой технологии базовой _______ ______ _____ __ производства нового технологии и 59 10 37 12 поколения оптоэлектронной конструкции высокоэффективной и оптоэлектронных надежной электронной приборов компонентной базы для (оптроны, промышленного оборудования оптореле, и систем связи (2010 год, светодиоды) в 2011 год) миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа 114. Разработка 51,527 24 27,527 создание технологии новых схемотехнических ______ __ ______ классов носимой и решений и 33,5 16 17,5 стационарной аппаратуры, унифицированных экранов отображения базовых информации коллективного конструкций и пользования повышенных технологий емкости и формата (2009 год) формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой 115. Разработка 57,304 31,723 25,581 создание технологии базовой ______ ______ ______ массового производства технологии 37 20 17 солнечных элементов для изготовления индивидуального и высокоэффективных коллективного использования солнечных в труднодоступных районах, элементов на базе развития солнечной использования энергетики в жилищно- кремния, коммунальном хозяйстве для полученного по обеспечения задач "бесхлоридной" энергосбережения (2009 год) технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения 116. Разработка 32 18 14 создание технологии базовой __ __ __ массового производства технологии и 19 12 7 нового класса освоение оптоэлектронных приборов производства для широкого применения в оптоэлектронных радиоэлектронной аппаратуре реле с (2009 год) повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа 117. Комплексное 136,7 50 63 23,7 создание базовой технологии исследование и _____ __ __ ____ массового производства разработка 71,8 22 34 15,8 экранов с предельно низкой технологий удельной стоимостью для получения новых информационных и обучающих классов систем (2010 год, 2011 год) органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" 118. Разработка 145,651 45 13,526 87,125 создание технологии и базовых _______ ______ ______ конструкции активно- конструкций и 100,5 30 8,5 62 матричных органических технологии электролюминесцентных, активных матриц и жидкокристаллических и драйверов плоских катодолюминесцентных экранов на основе дисплеев, стойких к внешним аморфных, поли- специальным и климатическим кристаллических и воздействиям (2010 год) кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминес- центные, жидко- кристаллические и катодолюминес- центные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения 119. Разработка 85,004 41,004 20 24 создание технологии и базовой ______ ______ __ __ базовых конструкций конструкции и 46 10 20 16 полноцветных газоразрядных технологии видеомодулей специального и крупноформатных двойного назначения для полноцветных наборных экранов газоразрядных коллективного пользования видеомодулей (2010 год) 120. Разработка 63,249 24,013 18,027 21,209 разработка расширенного технологии ______ ______ ______ ______ ряда сверхпрецизионных сверхпрецизионных 42 16 12 14 резисторов, гибридных резисторов и интегральных схем гибридных цифроаналоговых и аналого- интегральных схем цифровых преобразователей с цифроаналоговых параметрами, превышающими и аналого-цифровых уровень существующих преобразователей отечественных и зарубежных на их основе в изделий, для аппаратуры металлокерамичес- связи, диагностического ких корпусах для контроля, медицинского аппаратуры оборудования, авиастроения, двойного станкостроения, назначения измерительной техники (2010 год) 121. Разработка 75 30 30 15 разработка расширенного ряда базовой __ __ __ __ сверхпрецизионных резисторов технологии особо 50 20 20 10 с повышенной удельной стабильных и мощностью рассеяния, особо точных высоковольтных высокоомных резисторов резисторов для измерительной широкого техники, приборов ночного диапазона видения и аппаратуры номиналов, контроля (2013 год) прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства 122. Разработка 149,319 10,5 18,519 24,75 45 50,55 создание базовой технологии технологии и _______ ____ ______ _____ __ _____ и конструкции резисторов с базовых 100,2 7 13 16,5 30 33,7 повышенными значениями конструкций стабильности, удельной резисторов и мощности в чип-исполнении резистивных на основе многослойных структур нового монолитных структур поколения для (2010 год, 2013 год) поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции 123. Разработка 46,93 36,001 10,929 создание базовой технологии технологий _____ ______ ______ производства датчиков на формирования 30,95 24 6,95 резистивной основе с интегрированных высокими техническими резистивных характеристиками и структур с надежностью (2009 год) повышенными технико- эксплуатационными характеристиками на основе микроструктури- рованных материалов и методов групповой сборки 124. Создание 59,011 30,006 29,005 создание технологии групповой ______ ______ ______ автоматизированного технологии 39 20 19 производства чип- и автоматизирован- микрочип-резисторов ного производства (в габаритах 0402, 0201 и толстопленочных менее) для применения в чип- и микрочип- массовой аппаратуре резисторов (2009 год) 125. Разработка новых 126 24 27 75 создание базовой технологии базовых ___ __ __ __ производства конденсаторов технологий и 83 16 17 50 с качественно улучшенными конструктивных характеристиками с решений электродами из изготовления неблагородных металлов при танталовых сохранении высокого уровня оксидно-полу- надежности (2010 год) проводниковых и оксидно- электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками 126. Разработка 29,801 22,277 7,524 создание базовых технологий комплексной ______ ______ _____ конденсаторов и ионисторов базовой 18 13 5 на основе полимерных технологии и материалов с повышенным организация удельным зарядом и производства энергоемких накопительных конденсаторов с конденсаторов с повышенной органическим удельной энергией (2009 год) диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда 127. Разработка 94,006 23,5 39,006 31,5 создание технологии и технологии, ______ ____ ______ ____ базовых конструкций нового базовых 62 15 26 21 поколения выключателей для конструкций радиоэлектронной аппаратуры высоковольтных с повышенными тактико- (быстродействую- техническими щих, мощных) характеристиками и вакуумных надежностью (2011 год) выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радио- технической аппаратуры с высокими сроками службы 128. Разработка 50,599 24,803 25,796 создание технологии технологий ______ ______ ______ изготовления коммутирующих создания 33,5 16,5 17 устройств для токовой газонаполненных коммутации цепей в широком высоковольтных диапазоне напряжений и высокочастотных токов для радиоэлектронных коммутирующих и электротехнических систем устройств для (2009 год) токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками 129. Разработка 26,5 26,5 создание технологии выпуска полного комплекта ____ ____ устройств грозозащиты в электронной 17,5 17,5 индивидуальном, компонентной базы промышленном и гражданском для создания строительстве, модульного строительстве пожароопасных устройства объектов (2008 год) грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам 130. Разработка 55 46 9 создание базовой технологии базовых __ __ _ формирования конструкций и 37 31 6 высококачественных технологий гальванических покрытий, изготовления технологии прецизионного малогабаритных формирования изделий для переключателей с автоматизированных систем повышенными изготовления коммутационных сроками службы устройств широкого для печатного назначения (2009 год) монтажа 131. Комплексное 825 80,55 181 224,95 195 143,5 комплексное исследование и исследование и ___ _____ ___ ______ ___ _____ разработка технологий разработка 550 53,7 121 150,3 130 95 получения новых классов пленочных органических светоизлучающих технологий диодов (ОСИД), полимерной изготовления пленочной основы и высокоэкономичных технологий изготовления крупноформатных гибких ОСИД-экранов, в том гибких и особо числе на базе плоских экранов высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2013 год); создание базовой технологии производства ОСИД-экранов для применения в различных системах (2015 год) 132. Исследование 798 75 217,5 168 195 142,5 создание технологии перспективных ___ __ _____ ___ ___ _____ формирования нового конструкций и 532 50 145 112 130 95 поколения оптоэлектронных технологических комплексированных приборов, принципов обеспечивающих создание формирования "системы на кристалле" с оптоэлектронных и оптическими входами- квантовых выходами (2014 год, структур и 2015 год) приборов нового поколения 133. Разработка 811,5 255 247,5 180 129 создание перспективной перспективных _____ ___ _____ ___ ___ технологии массового технологий 541 170 165 120 86 производства солнечных промышленного элементов для изготовления индивидуального и солнечных коллективного использования высокоэффективных (2015 год) элементов Всего по 4623,784 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 727 570 415 направлению 6 ________ _______ _______ _______ _____ _____ ___ ___ ___ 3034,25 456 365,35 336,9 235 500 485 380 276 Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции 134. Разработка 4355,463 130,715 167,733 127,015 630 1058 814 726 702 создание на основе базовых ________ _______ _______ _______ ___ ____ ___ ___ ___ современной и перспективной технологий 2911,4 90,1 113,6 87,7 420 691 553 486 470 отечественной электронной создания рядов компонентной элементной приемо-передающих базы и последних достижений унифицированных в разработке алгоритмов электронных сжатия видеоизображений модулей для приемо-передающих аппаратуры связи, унифицированных электронных радиолокации, модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, телекоммуникаций, цифрового бортовых телевидения, бортовых радиотехнических радиотехнических средств, средств активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий 135. Разработка 2916,849 91,404 159,155 101,29 465 797 555 353 395 создание на основе базовых базовых ________ ______ _______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ технологий и современной технологий 1932,4 61,1 104,9 56,4 310 540 365 233 262 отечественной твердотельной создания нового компонентной электронной класса базы унифицированных унифицированных электронных модулей нового электронных поколения для обработки модулей для аналоговых и цифровых обработки сигналов РЛС и других радио- аналоговых и технических систем в цифровых сигналов высокочастотных, ПЧ и на основе сверхвысокочастотных устройств диапазонах, освоение функциональной производства нового класса электроники, многофункциональных приборов радиоэлектронных устройств, обработки разработка унифицированных сигналов аналого- электронных модулей цифровых и преобразователей физических цифроаналоговых и химических величин для преобразователей, измерения и контроля сенсоров и широкой номенклатуры преобразователей параметров микромеханических систем 136. Разработка 1748,445 47,185 77,477 63,783 285 453 300 257 265 создание рядов базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ унифицированных электронных технологий 1160,25 32,5 42,2 45,55 190 313 197 167 173 модулей для систем создания рядов телеметрии, управления, унифицированных радиолокационных, электронных робототехнических, модулей для телекоммуникационных систем систем и навигации (ориентации, телеметрии, стабилизации, управления, позиционирования, наведения, навигации радиопеленгации, единого (угловых и времени), позволяющих резко линейных снизить стоимость и перемещений, организовать крупносерийное ориентации, производство стабилизации, радиоэлектронных средств позиционирования, широкого применения наведения, радиопеленгации, единого времени) 137. Разработка 3227,159 60,024 89,053 63,082 540 977 525 495 478 создание на основе базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ современной и перспективной технологий 2145,54 40 53,5 42,04 360 658 348 328 316 отечественной электронной создания рядов компонентной базы унифицированных унифицированных электронных электронных модулей широкой модулей номенклатуры для применения процессоров, в различных информационных скоростного и системах, в том числе сверхскоростного унифицированных электронных ввода-вывода модулей шифрования и данных, дешифрования данных; шифрования и разработка базовых дешифрования технологий и конструкций данных, унифицированных электронных интерфейсов модулей на поверхностных обмена, систем акустических волнах систем сбора и хранения радиочастотной и информации, биометрической периферийных идентификации, систем устройств, систем идентификации личности, идентификации и транспортных средств, управления электронных паспортов, доступом, логистики, контроля доступа конверторов, на объекты повышенной информационно- безопасности, объектов вычислительных атомной энергетики. систем В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с 138. Разработка 1710,136 49,076 64,824 81,236 270 437 302 256 250 разработка на основе базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ перспективных отечественных технологий 1132,4 32,7 43,2 46,5 180 303 197 167 163 сверхбольших интегральных создания рядов схем типа "система на унифицированных кристалле" базового ряда электронных электронных модулей для цифровых модулей создания перспективных для перспективных магистрально-модульных магистрально- архитектур, обеспечивающих модульных создание защищенных средств архитектур вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов 139. Разработка 2026,225 72,091 92,753 61,381 330 536 336 303 295 создание на основе базовых ________ ______ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ современной и перспективной технологий 1338,2 35,5 61,9 40,8 220 364 224 198 194 отечественной электронной создания ряда компонентной базы рядов унифицированных унифицированных электронных электронных модулей, обеспечивающих модулей для возможность создания по контрольно- модульному принципу измерительной, контрольно-измерительной, метрологической метрологической и и поверочной поверочной аппаратуры, аппаратуры, аппаратуры тестового аппаратуры контроля и диагностики на тестового основе базовых несущих контроля, конструкций; диагностики создание комплекта блоков сложнофункциональных радиоэлектронной блоков, определяющих ядро аппаратуры, измерительных приборов, для стандартных систем и комплексов, и встроенных разработка законченных систем контроля и функциональных модулей, измерений предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений 140. Разработка 2869,94 58,5 95,178 91,262 480 860 417 477 391 разработка базовых базовых _______ ____ ______ ______ ___ ___ ___ ___ ___ технологий создания технологий 1908 41 62 55 320 574 278 318 260 системообразующих создания нового унифицированных рядов поколения средств (систем, унифицированных источников, сервисных рядов средств устройств) и Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
