|
Расширенный поиск
Постановление Правительства Российской Федерации от 08.09.2011 № 763ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ П О С Т А Н О В Л Е Н И Е от 8 сентября 2011 г. N 763 МОСКВА О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы Правительство Российской Федерации п о с т а н о в л я е т: Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130). Председатель Правительства Российской Федерации В.Путин __________________________ УТВЕРЖДЕНЫ постановлением Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763 И З М Е Н Е Н И Я, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы 1. В паспорте Программы: а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции: "Государственные - Министерство промышленности и торговли заказчики Российской Федерации, Федеральное космическое Программы агентство, Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю, Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"; б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей: в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить"; в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13"; в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117" заменить цифрами "114"; в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы: в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366"; в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71", цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить цифрами "42936,41"; в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656; г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности: в абзаце тринадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8". 2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.". 3. В разделе IV: а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366"; б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71"; в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3"; г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41"; д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656"; е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500". 4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить словами "Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю". 5. В разделе VI: а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4"; б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9"; в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640"; г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54"; д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8". 6. Приложения N 1-4 к указанной Программе изложить в следующей редакции: "ПРИЛОЖЕНИЕ N 1 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763) ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы -------------------------|-------|-----|------|------|------|------|------|------|------|----- |Единица|2007 | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 |2015 |измере-|год | год | год | год | год | год | год | год |год | ния | | | | | | | | | -------------------------|-------|-----|------|------|------|------|------|------|------|----- Индикатор Достигаемый мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 технологический уровень электроники Показатели Увеличение объемов млрд. 19 58 70 95 130 170 210 250 300 продаж изделий рублей электронной и радиоэлектронной техники Количество разработанных - 3-5 16-20 80-90 125- 179- 210 230 250 260- базовых технологий в 135 185 270 области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом) Количество объектов - 1 8 10 14 30 30 31 31 42 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) Количество объектов - - - - - 1 1 1 4 4 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов - - - - - - 1 3 3 10 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов - - 1 1 2 2 3 5 5 7 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов - - 1 5 8 18 21 25 25 96 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) Количество объектов - - - - - - 1 1 1 1 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом) Количество объектов - - - - - - - 1 1 9 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество объектов - - - - - - - 1 1 8 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) Количество завершенных - 1 3 9 9-10 10-12 12-14 14-16 16-18 20-22 поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом) Количество реализованных - 4 11-12 16-20 22-25 36-40 41-45 45-50 50-55 55-60 мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) Количество создаваемых - 450 1020- 1800- 3000- 3800- 4100- 4400- 4700- 5000- рабочих мест 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000 (нарастающим итогом) _______________ ПРИЛОЖЕНИЕ N 2 к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 8 сентября 2011 г. N 763) П Е Р Е Ч Е Н Ь мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) -----------------------|----------|-------------------------------------------------------------------------|------------------------------ Мероприятия |2008-2015 | В том числе | Ожидаемые результаты | годы - |---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|------| | всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | | | год | год | год | год | год | год | год | год | | | | | | | | | | | -----------------------|----------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|------|------------------------------ I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника 1. Разработка 128,624 66 62,624 создание базовой технологии технологии _______ __ ______ производства мощных производства 84 44 40 сверхвысокочастотных мощных транзисторов на основе сверхвысоко- гетероструктур материалов частотных группы А В для бортовой и транзисторов 3 5 на основе наземной аппаратуры гетероструктур (2009 год), разработка материалов комплектов документации в группы А В стандартах единой системы 3 5 конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 2. Разработка 208,25 30,5 39,5 53,25 31,8 53,2 создание базовой технологии базовой ______ ____ ____ _____ ____ ____ производства монолитных технологии 137,7 20 26 35,5 21,2 35 сверхвысокочастотных производства микросхем и объемных монолитных приемо-передающих сверхвысоко- сверхвысокочастотных частотных субмодулей X-диапазона на микросхем и основе гетероструктур объемных материалов группы А В для приемо- 3 5 передающих бортовой и наземной сверхвысоко- аппаратуры радиолокации, частотных средств связи (2013 год), субмодулей разработка комплектов X-диапазона документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 3. Разработка 212,75 141,75 71 создание технологии базовой ______ ______ __ производства мощных технологии 134,75 87,75 47 транзисторов производства сверхвысокочастотного мощных диапазона на основе сверхвысоко- нитридных частотных гетероэпитаксиальных полупровод- структур для техники связи, никовых радиолокации (2009 год) приборов на основе нитридных гетеро- эпитаксиальных структур 4. Разработка 531 20 77,5 163,5 118 152 создание технологии базовой ___ __ ____ _____ ___ ___ производства на основе технологии и 375 17 65 109 80 104 нитридных библиотеки гетероэпитаксиальных элементов для структур мощных проектирования сверхвысокочастотных и производства монолитных интегральных монолитных схем с рабочими частотами интегральных до 20 ГГц для техники схем связи, радиолокации сверхвысоко- (2013 год), разработка частотного комплектов документации в диапазона на стандартах единой системы основе конструкторской, нитридных технологической и гетероэпитак- производственной сиальных документации, ввод в структур эксплуатацию производственной линии 5. Разработка 149,257 85,757 63,5 создание базовой технологии базовой _______ ______ ____ производства компонентов технологии 101,7 59,7 42 для сверхвысокочастотных производства интегральных схем диапазона сверхвысоко- 2-12 ГГц с высокой степенью частотных интеграции для аппаратуры компонентов и радиолокации и связи сложнофункци- бортового и наземного ональных применения, а также бытовой блоков для и автомобильной электроники сверхвысоко- (2009 год), разработка частотных комплектов документации в интегральных стандартах единой системы схем высокой конструкторской, степени технологической и интеграции на производственной основе документации, ввод в гетероструктур эксплуатацию "кремний - производственной линии германий" 6. Разработка 248,55 5,6 65,8 177,15 создание базовой технологии базовой ______ ___ ____ ______ производства технологии 158,1 5 35 118,1 сверхвысокочастотных производства интегральных схем диапазона сверхвысоко- 2-12 ГГц с высокой степенью частотных интеграции для аппаратуры интегральных радиолокации и связи схем высокой бортового и наземного степени применения, а также бытовой интеграции на и автомобильной электроники основе (2011 год), разработка гетероструктур комплектов документации в "кремний - стандартах единой системы германий" конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 7. Разработка 448,408 253 195,408 разработка аттестованных аттестованных _______ ___ _______ библиотек библиотек 308,75 169 139,75 сложнофункциональных блоков сложнофункцио- для проектирования широкого нальных блоков спектра сверхвысокочастотных для интегральных схем на SiGe с проектирования рабочими частотами до сверхвысоко- 150 ГГц, разработка частотных и комплектов документации в радиочастотных стандартах единой системы интегральных конструкторской, схем на основе технологической и гетероструктур производственной "кремний - документации, германий" ввод в эксплуатацию производственной линии 8. Разработка 217,44 47 80,09 58,95 17 14,4 создание базовых технологий базовых ______ __ _____ _____ ____ ____ проектирования на основе технологий 142 30 52 39,3 11,3 9,4 библиотеки проектирования сложнофункциональных блоков кремний- широкого спектра германиевых сверхвысокочастотных сверхвысоко- интегральных схем на SiGe с частотных и рабочими частотами до радиочастотных 150 ГГц (2013 год), интегральных разработка комплектов схем на основе документации в стандартах аттестованной единой системы библиотеки конструкторской, сложнофункцио- технологической и нальных блоков производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 9. Разработка 114,9 60 54,9 создание базовых технологий базовых _____ __ ____ производства элементной технологий 74 40 34 базы для высокоплотных производства источников вторичного элементной электропитания базы для ряда сверхвысокочастотных силовых приборов и узлов аппаратуры герметичных (2009 год), разработка модулей комплектов документации в высокоплотных стандартах единой системы источников конструкторской, вторичного технологической и электропитания производственной вакуумных и документации, ввод в твердотельных эксплуатацию сверхвысоко- производственной линии частотных приборов и узлов аппаратуры 10. Разработка 126,913 79,513 47,4 создание базовых конструкций базовых _______ ______ ____ и технологии производства технологий 73,1 41,5 31,6 высокоэффективных, производства высокоплотных источников ряда силовых вторичного электропитания герметичных сверхвысокочастотных модулей приборов и узлов аппаратуры высокоплотных на основе гибридно- источников пленочной технологии с вторичного применением бескорпусной электропитания элементной базы (2011 год), вакуумных и разработка комплектов твердотельных документации в стандартах сверхвысоко- единой системы частотных конструкторской, приборов и узлов технологической и аппаратуры производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 11. Разработка 226 151,2 74,8 создание технологии базовых ___ _____ ____ массового производства ряда конструкций 152 102 50 корпусов мощных и технологии сверхвысокочастотных производства приборов для "бессвинцовой" корпусов сборки (2009 год), мощных разработка комплектов сверхвысоко- документации в стандартах частотных единой системы транзисторов конструкторской, X-, C-, S-, L- технологической и и P-диапазонов производственной из малотоксичных документации, ввод в материалов с эксплуатацию высокой производственной линии теплопро- водностью 12. Разработка 83,5 13 40,5 30 создание базовых базовых ____ __ ____ __ конструктивных рядов конструкций 55 8 27 20 элементов систем охлаждения теплоотводящих аппаратуры Х- и С- элементов диапазонов наземных, систем корабельных и воздушно- охлаждения космических комплексов сверхвысоко- частотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов 13. Разработка 109 64 45 создание технологии базовой ___ __ __ массового производства технологии 62 32 30 конструктивного ряда производства элементов систем охлаждения теплоотводящих аппаратуры Х- и С- элементов диапазонов наземных, систем корабельных и воздушно- охлаждения космических комплексов сверхвысоко- (2011 год), разработка частотных комплектов документации в приборов Х- и стандартах единой системы С-диапазонов конструкторской, на основе новых технологической и материалов производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 14. Разработка 13 13 создание технологии базовых __ __ массового производства технологий 8 8 конструктивного ряда производства сверхвысокочастотных суперлинейных транзисторов S- и L- кремниевых диапазонов для техники сверхвысоко- связи, локации и контрольной частотных аппаратуры (2009 год), транзисторов разработка комплектов S- и L- документации в стандартах диапазонов единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 15. Разработка 208,9 139,9 69 создание конструктивно- конструктивно- _____ _____ __ параметрического ряда параметричес- 115,9 69,9 46 сверхвысокочастотных кого ряда транзисторов S- и L- суперлинейных диапазонов для техники кремниевых связи, локации и контрольной сверхвысоко- аппаратуры, разработка частотных комплектов документации в транзисторов S- стандартах единой системы и L-диапазонов конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 16. Разработка 32 18 14 разработка метрологической технологии __ __ __ аппаратуры нового поколения измерений и 22 12 10 для исследования и контроля базовых параметров полупроводниковых конструкций структур, активных элементов установок и сверхвысокочастотных автоматизи- монолитных интегральных рованного схем в производстве и при измерения их использовании параметров нелинейных моделей сверхвысоко- частотных полупровод- никовых структур, мощных транзисторов и сверхвысоко- частотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства 17. Исследование 149,416 84,916 64,5 создание технологии и разработка _______ ______ ____ унифицированных базовых 102 59 43 сверхширокополосных приборов технологий для среднего и большого уровня создания нового мощности сантиметрового поколения диапазона длин волн и мощных вакуумно- сверхвысокочастотных твердотельных магнитоэлектрических сверхвысоко- приборов для перспективных частотных радиоэлектронных систем и приборов и аппаратуры связи гибридных космического базирования малогабаритных (2009 год), разработка сверхвысоко- комплектов документации в частотных стандартах единой системы модулей с конструкторской, улучшенными технологической и массогабаритными производственной характеристиками, документации, ввод в магнитоэлектри- эксплуатацию ческих приборов производственной линии сверхвысоко- частотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 18. Разработка 118,45 77,5 40,95 разработка конструктивных базовых ______ ____ _____ рядов и базовых технологий конструкций и 85,3 58 27,3 производства технологии сверхширокополосных производства приборов среднего и нового большого уровня мощности поколения мощных сантиметрового диапазона вакуумно- длин волн и твердотельных сверхвысокочастотных сверхвысоко- магнитоэлектрических частотных приборов для перспективных приборов и радиоэлектронных систем и гибридных аппаратуры связи малогабаритных космического базирования сверхвысоко- (2011 год), разработка частотных комплектов документации в модулей с стандартах единой системы улучшенными конструкторской, массогабаритными технологической и характеристиками, производственной магнитоэлектри- документации, ввод в ческих приборов эксплуатацию сверхвысоко- производственной линии частотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения 19. Исследование и 110,5 65,5 45 создание технологических разработка _____ ____ __ процессов производства процессов и 75,5 45,5 30 нанопленочных малогабаритных базовых сверхвысокочастотных технологий резисторно-индуктивно- нанопленочных емкостных матриц малогабаритных многофункционального сверхвысоко- назначения для печатного частотных монтажа (2008 год), резисторно- создание базовой технологии индуктивно- получения емкостных матриц сверхбыстродействующих (до многофункцио- 150 ГГц) приборов на нального наногетероструктурах с назначения для квантовыми эффектами печатного (2009 год), разработка монтажа и комплектов документации в сверхбыстро- стандартах единой системы действующих конструкторской, (до 150 ГГц) технологической и приборов на производственной наногетеро- документации, структурах с ввод в эксплуатацию квантовыми производственной линии дефектами 20. Разработка 84,5 50 34,5 создание конструктивных базовых ____ __ ____ рядов и базовых технологий конструкций и 53 30 23 производства нанопленочных технологии малогабаритных производства сверхвысокочастотных нанопленочных резисторно-индуктивно- малогабаритных емкостных матриц сверхвысоко- многофункционального частотных назначения для печатного резисторно- монтажа (2011 год), индуктивно- разработка комплектов емкостных матриц документации в стандартах многофункцио- единой системы нального конструкторской, назначения для технологической и печатного монтажа производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 21. Разработка 133,314 63,447 69,867 создание базовой технологии базовой _______ ______ ______ производства элементов и технологии 88 42 46 специальных элементов и сверхвысоко- блоков портативной частотных аппаратуры миллиметрового p-i-n диодов, диапазона длин волн для матриц, узлов нового поколения средств управления и связи, радиолокационных портативных станций, радионавигации, фазированных измерительной техники, блоков автомобильных радаров, аппаратуры охранных и сигнальных миллиметрового устройств (2009 год), диапазона длин разработка комплектов волн на основе документации в стандартах магнито- единой системы электронных конструкторской, твердотельных и технологической и высокоскоростных производственной цифровых приборов документации, ввод в и устройств с эксплуатацию функциями производственной линии адаптации и цифрового диаграммо- образования 22. Разработка 2342,933 338 295,11 364,823 380,85 320 189,8 218,35 236 создание конструктивных базовых ________ ___ ______ _______ ______ ___ _____ ______ ___ рядов и базовых технологий технологий 1540,66 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 145,88 156 проектирования и создания мощных производства мощных и вакуумных сверхмощных вакуумных сверхвысоко- сверхвысокочастотных частотных приборов для аппаратуры устройств широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) 23. Разработка 1661,182 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 118 112 143 создание базовых базовых ________ _______ _______ _______ ______ ______ ____ ___ ___ конструкций и технологий технологий 1096,4 103 166,5 192,4 195,7 189,9 78,9 75 95 изготовления создания мощных сверхвысокочастотных мощных твердотельных приборов на структурах с сверхвысоко- использованием нитрида частотных галлия (2008 год, 2010 устройств на год), включая: базе нитрида создание гетеропереходных галлия полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30-40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) 24. Исследование 1085,2 160,2 99,5 300 308 217,5 исследование технологических перспективных ______ _____ _____ _____ ___ _____ принципов формирования типов 699,1 32,8 224,7 147,6 170 124 перспективных сверхвысоко- сверхвысокочастотных частотных приборов и структур, включая приборов и создание наногетероструктур, структур, использование разработка комбинированных (электронных технологических и оптических методов принципов их передачи и преобразования изготовления сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц 25. Разработка 1043,3 49,2 331,7 221,4 255 186 создание полного состава перспективных ______ ____ _____ _____ ___ ___ прикладных программ методов 699,1 32,8 224,7 147,6 170 124 проектирования и оптимизации проектирования и сверхвысокочастотной моделирования электронной компонентной сложно- базы, включая проектирование функциональной активных приборов, сверхвысоко- полосковых линий передачи, частотной согласующих компонентов, электронной формируемых в едином компонентной базы технологическом процессе Всего по 9787,287 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1048,8 893,35 782,5 направлению 1 ________ _______ ________ ________ ______ _______ ______ ______ _____ 6468,08 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 700 595,88 520 Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база 26. Разработка 106,65 60 46,65 создание технологии базовой ______ __ _____ изготовления микросхем с технологии 79,65 38 41,65 размерами элементов 0,5 мкм радиационно на структурах "кремний на стойких сапфире" диаметром 150 мм сверхбольших (2009 год), разработка интегральных правил проектирования схем уровня базовых библиотек элементов 0,5 мкм на и блоков цифровых и структурах аналоговых сверхбольших "кремний на интегральных схем сапфире" расширенной номенклатуры диаметром для организации 150 мм производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) 27. Разработка 286,65 39,2 170,25 53,2 24 создание технологии базовой ______ ____ ______ ____ ____ изготовления микросхем с технологии 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 размерами элементов 0,35 мкм радиационно на структурах "кремний на стойких сапфире" диаметром 150 мм сверхбольших (2013 год), разработка интегральных правил проектирования схем уровня базовых библиотек элементов 0,35 мкм на и блоков цифровых и структурах аналоговых сверхбольших "кремний на интегральных схем, сапфире" обеспечивающих создание диаметром расширенной номенклатуры 150 мм быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы 28. Разработка 245,904 130 115,904 создание технологического технологии _______ ___ _______ базиса (технология проектирования и 164 87 77 проектирования, базовые конструктивно- технологии), позволяющего технологических разрабатывать радиационно решений стойкие сверхбольшие библиотеки интегральные схемы на логических и структурах "кремний на аналоговых изоляторе" с проектной элементов, нормой до 0,25 мкм оперативных (2009 год) запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно- функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 29. Разработка 365,35 108,6 166,05 67,7 23 создание технологического технологии ______ _____ ______ ____ ____ базиса (технология проектирования и 235 54,3 110,7 52,6 17,4 проектирования, базовые конструктивно- технологии), позволяющего технологических разрабатывать радиационно решений стойкие сверхбольшие библиотеки интегральные схемы на логических и структурах "кремний на аналоговых изоляторе" с проектной элементов, нормой до 0,18 мкм оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно- функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 30. Разработка 141,75 92 49,75 создание технологического базовых ______ __ _____ процесса изготовления технологических 97,65 63 34,65 сверхбольших интегральных процессов схем энергонезависимой, изготовления радиационно стойкой радиационно сегнетоэлектрической памяти стойкой уровня 0,35 мкм и базовой элементной базы технологии создания, для сверхбольших изготовления и аттестации интегральных схем радиационно стойкой энергозависимой пассивной электронной пьезоэлектричес- компонентной базы (2009 кой и магнито- год) резистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 31. Разработка 257,45 74,6 130,35 42,3 10,2 создание технологического базовых ______ ____ ______ ____ ____ процесса изготовления технологических 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных процессов схем энергонезависимой изготовления радиационно стойкой радиационно сегнетоэлектрической памяти стойкой уровня 0,18 мкм (2010 год) элементной базы и создания, изготовления и для сверхбольших аттестации радиационно интегральных схем стойкой пассивной энергозависимой электронной компонентной пьезоэлектричес- базы (2013 год) кой и магнито- резистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 32. Разработка 110,736 58,609 52,127 разработка расширенного технологии _______ ______ ______ ряда цифровых процессоров, "кремний на 73 38 35 микроконтроллеров, сапфире" оперативных запоминающих изготовления программируемых и ряда перепрограммируемых лицензионно- устройств, аналого-цифровых независимых преобразователей в радиационно радиационно стойком стойких исполнении для создания комплементарных специальной аппаратуры полевых нового поколения полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса 33. Разработка 370,802 82,952 190,35 72,6 24,9 создание технологии технологии _______ ______ ______ ____ ____ проектирования и структур с 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и ультратонким сложнофункциональных блоков слоем кремния на основе ультратонких на сапфире слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год) 34. Разработка 92,669 51 41,669 разработка конструкции и базовой ______ __ ______ модели интегральных технологии и 73,15 40 33,15 элементов и технологического приборно-техно- маршрута изготовления логического радиационно стойких базиса сверхбольших интегральных производства схем типа "система на радиационно кристалле" с расширенным стойких температурным диапазоном, сверхбольших силовых транзисторов и интегральных модулей для бортовых и схем "система промышленных систем на кристалле", управления с пробивными радиационно напряжениями до 75 В и стойкой силовой рабочими токами коммутации электроники до 10 А (2009 год) для аппаратуры питания и управления 35. Разработка 74,471 36,2 38,271 создание ряда элементной базы ______ ____ ______ микронанотриодов и радиационно 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с наивысшей стойких радиационной стойкостью для интегральных долговечной аппаратуры схем на основе космического базирования полевых эмиссионных микронанотриодов 36. Создание 256,6 21,4 25 92,4 117,8 разработка комплекса информационной _____ ____ ____ ____ _____ моделей расчета базы радиационно 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 радиационной стойкости стойкой электронной компонентной электронной базы для определения компонентной технически обоснованных базы, содержащей норм испытаний модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 37. Разработка 975,5 105 184,5 281,5 209,5 195 создание технологии библиотек _____ ___ _____ _____ _____ ___ проектирования и стандартных 650 70 123 187,5 139,5 130 изготовления микросхем и элементов и сложнофункциональных блоков сложнофункцио- на основе ультратонких нальных блоков слоев на структуре "кремний для создания на сапфире", позволяющей радиационно разрабатывать радиационно стойких стойкие сверхбольшие сверхбольших интегральные схемы с высоким интегральных схем уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) 38. Разработка 978,75 187,5 185 163 242,75 200,5 разработка расширенного расширенного ______ _____ ___ _____ ______ _____ ряда цифровых процессоров, ряда радиационно 650 125 123 108,5 160 133,5 микроконтроллеров, стойких оперативных запоминающих сверхбольших программируемых и интегральных перепрограммируемых схем для устройств, аналого-цифровых специальной преобразователей в аппаратуры связи, радиационно стойком обработки исполнении для создания и передачи специальной аппаратуры информации, нового поколения, систем управления разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования 39. Разработка и 953 75 275 230 196 177 разработка комплекса совершенствование ___ __ ___ _____ _____ ___ моделей расчета методов 634 50 183 153,5 130,5 117 радиационной стойкости моделирования и электронной компонентной проектирования базы для определения радиационно технически обоснованных стойкой норм испытаний элементной базы 40. Разработка и 988,15 180 191 177,5 233,65 206 создание технологического совершенствование ______ ___ ___ _____ ______ _____ базиса (технология базовых 650 120 123 113,5 160 133,5 проектирования, базовые технологий и технологии), позволяющего конструкций разрабатывать радиационно радиационно стойкие сверхбольшие стойких интегральные схемы на сверхбольших структурах "кремний на интегральных схем изоляторе" с проектной на структурах нормой не менее 0,18 мкм "кремний на (2014 год), создание сапфире" и технологического базиса "кремний на (технология проектирования, изоляторе" с базовые технологии), топологическими позволяющего разрабатывать нормами не менее радиационно стойкие 0,18 мкм сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) Всего по 6204,432 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 1051,9 881,9 778,5 направлению 2 ________ _______ _______ _______ _____ ______ ______ _____ _____ 4103,35 292,1 245,95 161,7 819,6 780 700 590 514 Направление 3. Микросистемная техника 41. Разработка 184,215 165,053 19,162 создание базовых технологий базовых _______ _______ ______ (2009 год) и комплектов технологий микро- 117,9 105,9 12 технологической документации электромеханичес- на изготовление ких систем микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов 42. Разработка 433,712 87,239 73,473 108 82,5 82,5 разработка базовых базовых _______ ______ ______ ___ ____ ____ конструкций и комплектов конструкций 273,8 42,1 49,7 72 55 55 необходимой конструкторской микроэлектро- документации на механических изготовление чувствительных систем элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно- энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике 43. Разработка 166,784 122,356 44,428 создание базовых технологий базовых _______ _______ ______ (2009 год) и комплектов технологий 108,15 78,55 29,6 необходимой технологической микроакусто- документации на изготовление электромехани- микроакустоэлектромеханичес- ческих систем ких систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно- акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники 44. Разработка 244,325 52 103,825 88,5 разработка базовых базовых _______ __ _______ ____ конструкций и комплектов конструкций 147,3 28 60,3 59 необходимой конструкторской микро- документации на акустоэлектро- изготовление пассивных механических датчиков физических величин систем микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов 45. Разработка 37 37 создание базовых технологий базовых __ __ изготовления элементов технологий 25 25 микроаналитических систем, микроаналитичес- чувствительных к газовым, ких систем химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов 46. Разработка 134 47 60 27 создание базовых конструкций базовых ___ __ __ __ микроаналитических систем, конструкций 78 20 40 18 предназначенных для микроаналитичес- аппаратуры жилищно- ких систем коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах 47. Разработка 42,444 15,358 27,086 создание базовых технологий базовых ______ ______ ______ выпуска трехмерных технологий 27 10,2 16,8 оптических и микро- акустооптических оптоэлектромеха- функциональных элементов, нических систем микрооптоэлектро- механических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год) 48. Разработка 109,278 33,95 48,328 27 разработка базовых базовых _______ _____ ______ __ конструкций и комплектов конструкций 70 21 31 18 конструкторской документации микро- на изготовление оптоэлектро- микрооптоэлектро- механических механических систем систем коммутации и модуляции оптического излучения 49. Разработка 55,008 55,008 создание базовых технологий базовых ______ ______ изготовления микросистем технологий 36 36 анализа магнитных полей на микросистем основе анизотропного и анализа гигантского магнитных полей магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) 50. Разработка 153,518 39,518 93 21 разработка базовых базовых _______ ______ __ __ конструкций и комплектов конструкций 98,018 22,018 62 14 конструкторской микросистем документации на анализа магниточувствительные магнитных полей микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях 51. Разработка 123,525 43,274 80,251 разработка и освоение в базовых _______ ______ ______ производстве базовых технологий 80,662 28,45 52,212 технологий изготовления радиочастотных радиочастотных микроэлектро- микроэлектро- механических систем и механических компонентов, включающих систем микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) 52. Разработка 142,577 35,6 63,477 43,5 разработка базовых базовых _______ ____ ______ ____ конструкций и комплектов конструкций 96 25 42 29 конструкторской радиочастотных документации на микроэлектро- изготовление радиочастотных механических микроэлектромеханических систем систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий 53. Разработка 38,915 38,915 создание методов и средств методов и ______ ______ контроля и измерения средств 22,8 22,8 параметров и характеристик обеспечения изделий микросистемотехники, создания и разработка комплектов производства стандартов и нормативных изделий документов по безопасности микросистемной и экологии техники 54. Разработка 1155 345 315 270 225 создание базовых технологий перспективных ____ ___ ___ ___ ___ выпуска трехмерных технологий и 770 230 210 180 150 оптических и конструкций акустооптических микро- функциональных элементов, оптоэлектро- микрооптоэлектро- механических механических систем для систем для коммутации и модуляции оптической оптического излучения аппаратуры, (2012 год), акустооптических систем перестраиваемых фильтров отображения (2012 год), двухмерных изображений, управляемых матриц научных микрозеркал исследований и микропереключателей и специальной фазовращателей (2013 год), техники разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектро- механических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год) 55. Разработка и 1140 150 262,5 232,5 270 225 создание методов и средств совершенствование ____ ___ _____ _____ ___ ___ контроля и измерения методов и средств 760 100 175 155 180 150 параметров и характеристик контроля, изделий испытаний и микросистемотехники, аттестации разработка комплектов изделий стандартов и нормативных микросистемо- документов по безопасности техники и экологии 56. Разработка 1170 360 315 255 240 создание перспективных перспективных ____ ___ ___ ___ ___ технологий изготовления технологий и 780 240 210 170 160 элементов конструкций микроаналитических систем, микро- чувствительных к газовым, аналитических химическим и биологическим систем для компонентам внешней среды, аппаратуры предназначенных для контроля и использования в аппаратуре обнаружения жилищно-коммунального токсичных, хозяйства (2012 год, горючих, 2013 год, 2014 год) взрывчатых и наркотических веществ Всего по 5330,301 476,964 466,233 442,103 465 1050 945 795 690 направлению 3 ________ _______ _______ _______ ___ ____ ___ ___ ___ 3490,63 306,9 268,73 285 310 700 630 530 460 Направление 4. Микроэлектроника 57. Разработка 308,667 219,3 89,367 разработка комплекта технологии и _______ _____ ______ нормативно-технической развитие 178,4 129,5 48,9 документации по методологии проектированию изделий проектирования микроэлектроники, создание изделий отраслевой базы данных с микроэлектроники: каталогами библиотечных разработка и элементов и сложно- освоение функциональных блоков с современной каталогизированными технологии результатами аттестации на проектирования физическом уровне, универсальных разработка комплекта микропроцессоров, нормативно-технической и процессоров технологической обработки документации по сигналов, микро- взаимодействию центров контроллеров и проектирования в сетевом "системы на режиме кристалле" на основе катало- гизированных сложнофункцио- нальных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизирован- ных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 58. Разработка и 34,569 22,7 11,869 разработка комплекта освоение базовой ______ ____ ______ технологической технологии 22,7 14,7 8 документации и производства организационно- фотошаблонов с распорядительной технологическим документации по уровнем до взаимодействию центров 0,13 мкм с целью проектирования и центра обеспечения изготовления фотошаблонов информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 59. Разработка 852,723 350,836 501,887 разработка комплектов семейств и серий _______ _______ _______ документации в стандартах изделий 490,2 190,1 300,1 единой системы микроэлектроники: конструкторской, универсальных технологической и микропроцессоров производственной для встроенных документации, изготовление применений; опытных образцов изделий и универсальных организация серийного микропроцессоров производства для серверов и рабочих станций; цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого- цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопере- датчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микро- электроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 60. Разработка 2236,828 1129,878 971,95 135 разработка комплектов базовых серийных ________ ________ ______ ___ документации в стандартах технологий 1299 592,3 616,7 90 единой системы изделий микро- конструкторской, электроники: технологической и цифроаналоговых производственной и аналого- документации, изготовление цифровых опытных образцов изделий и преобразователей организация серийного на частотах выше производства 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито- электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 61. Разработка 545,397 304,9 240,497 разработка комплектов технологии и _______ _____ _______ документации в стандартах Информация по документуЧитайте также
Изменен протокол лечения ковида23 февраля 2022 г. МедицинаГермания может полностью остановить «Северный поток – 2»23 февраля 2022 г. ЭкономикаБогатые уже не такие богатые23 февраля 2022 г. ОбществоОтныне иностранцы смогут найти на портале госуслуг полезную для себя информацию23 февраля 2022 г. ОбществоВакцина «Спутник М» прошла регистрацию в Казахстане22 февраля 2022 г. МедицинаМТС попала в переплет в связи с повышением тарифов22 февраля 2022 г. ГосударствоРегулятор откорректировал прогноз по инфляции22 февраля 2022 г. ЭкономикаСтоимость нефти Brent взяла курс на повышение22 февраля 2022 г. ЭкономикаКурсы иностранных валют снова выросли21 февраля 2022 г. Финансовые рынки |
Архив статей
2024 Декабрь
|
